改进的双桥混合式桥路型高温超导故障限流器 被引量：18

1

作者 朱青 朱英浩 +1 位作者 周有庆 周腊吾 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期39-44,50,共7页

针对现有断路器开断容量不能满足超高压系统故障短路电流要求的现状,介绍了两种单相桥型高温超导限流器的基本工作原理;针对整流桥中直流偏压的引入问题,提出了一种改进的双桥混合式桥路型高温超导故障限流器,深入讨论了新型限流器的工... 针对现有断路器开断容量不能满足超高压系统故障短路电流要求的现状,介绍了两种单相桥型高温超导限流器的基本工作原理;针对整流桥中直流偏压的引入问题,提出了一种改进的双桥混合式桥路型高温超导故障限流器,深入讨论了新型限流器的工作原理,限流器的参数变化对其限流特性的影响,包括临界电流、动作电流和超导线圈电感。仿真与实验表明该类型限流器具有良好的限流作用,从工程的角度解决了直流偏压引入困难的问题。 展开更多

关键词 双桥桥路型高温超导限流器 直流偏压 参数

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直流偏置电压下的介电常数测量系统设计

2

作者 郭春鑫 荣宪伟 《仪器仪表用户》 2024年第3期39-41,共3页

本文设计了在直流偏置电压下的介电常数测量系统。本研究采用谐振电路结合数字频率计测量方法,利用其谐振信号的频移获得待测材料的介电常数,并深入探讨了直流偏置电压对材料介电特性的影响。研究结果表明,在不同直流偏置电压下,材料的... 本文设计了在直流偏置电压下的介电常数测量系统。本研究采用谐振电路结合数字频率计测量方法,利用其谐振信号的频移获得待测材料的介电常数,并深入探讨了直流偏置电压对材料介电特性的影响。研究结果表明,在不同直流偏置电压下,材料的介电常数呈现显著变化,谐振电路电容测量分辨率最高可达2.95×10^(-3)MHz/p F,稳定度可达10^(-3)MHz。 展开更多

关键词 谐振电路 介电常数 直流偏压

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静电伺服微加速度计的量程设计 被引量：4

3

作者 何晓平 张德 文贵印 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 2003年第6期90-93,共4页

详细推导了静电伺服加速度计在定极板上施加直流偏压、交流驱动电压,动极板上有反馈直流电压和交流检测电压的情况下,检测质量(动极板)受到的静电力。通过对静电力的分析,得出静电伺服微加速度计的量程除了受系统能提供的最大静电力限制... 详细推导了静电伺服加速度计在定极板上施加直流偏压、交流驱动电压,动极板上有反馈直流电压和交流检测电压的情况下,检测质量(动极板)受到的静电力。通过对静电力的分析,得出静电伺服微加速度计的量程除了受系统能提供的最大静电力限制外,还需满足电刚度小于与机械刚度的条件,该电刚度是极板上所有的直流电压、交流电压产生的电刚度之和。离心实验证明,利用该原则设计的“叉指”结构静电伺服微加速度计的量程达到了设计值。该设计原则可以为此类加速度计的设计提供参考。 展开更多

关键词 静电伺服微加速度计 量程设计 电刚度 静电力 直流偏压 交流驱动电压 动极板 定极板

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直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化 被引量：3

4

作者 惠增哲 李振荣 +2 位作者 徐卓 张良莹 姚熹 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第13期1421-1423,共3页

在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32％PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5～4.0kV/cm范围内,在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现;当E>4.0kV/cm时,异常介电峰消失。... 在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32％PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5～4.0kV/cm范围内,在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现;当E>4.0kV/cm时,异常介电峰消失。而对于[111]方向的单晶,在偏压下没有新的异常介电峰出现。对直流偏压下PMN-32％PT单晶的介电异常变化进行了讨论。 展开更多

关键词 直流偏压 PMN-PT单晶 介电温度谱 铁电相变 弛豫型铁电体体系

原文传递

直流偏压对CrN薄膜结构和性能的影响 被引量：3

5

作者 李碧晗 詹华 +2 位作者 吴佳亿 刘继彬 汪瑞军 《新技术新工艺》 2022年第3期1-4,共4页

采用电弧离子镀技术在高速钢表面制备CrN薄膜,研究直流偏压对CrN薄膜结构和性能的影响。利用冷场发射扫描电镜和X射线衍射仪对薄膜的表面形貌和微观结构进行分析,利用球坑仪、显微硬度计以及多功能材料表面性能试验仪等,对薄膜的厚度、... 采用电弧离子镀技术在高速钢表面制备CrN薄膜,研究直流偏压对CrN薄膜结构和性能的影响。利用冷场发射扫描电镜和X射线衍射仪对薄膜的表面形貌和微观结构进行分析,利用球坑仪、显微硬度计以及多功能材料表面性能试验仪等,对薄膜的厚度、硬度以及结合力进行研究。结果表明,在不同直流偏压下,薄膜均由CrN相组成。当直流偏压从-60 V增加到-80 V时,薄膜表面大颗粒数数量和尺寸明显减少,沉积速率、硬度和结合力增加;但当直流偏压幅值继续增加时,薄膜表面大颗粒的数量和尺寸随之增加,沉积速率、硬度和结合力随之降低。当直流偏压为-80 V时,薄膜的表面形貌、沉积速率、硬度和结合力最佳。 展开更多

关键词 直流偏压 CRN薄膜 表面形貌 微观结构 沉积速率 力学性能

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直流偏压对铝合金表面高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜耐蚀性的影响 被引量：4

6

作者 李春伟 田修波 +3 位作者 刘天伟 秦建伟 巩春志 杨士勤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期109-113,共5页

采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)法,在工业纯铝基体上生长得到V薄膜,研究不同直流偏压对薄膜相结构、形貌及不同温度处理对耐蚀性的影响。结果表明,薄膜相结构为单一的V(111)相。薄膜表面光滑、平整,且随偏压的增大,薄膜表面粗糙度先减... 采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)法,在工业纯铝基体上生长得到V薄膜,研究不同直流偏压对薄膜相结构、形貌及不同温度处理对耐蚀性的影响。结果表明,薄膜相结构为单一的V(111)相。薄膜表面光滑、平整,且随偏压的增大,薄膜表面粗糙度先减小后增大,最小仅为0.488nm。薄膜沉积过程中离子吸引效应和溅射效应的竞争导致薄膜沉积速率随着偏压的增大先减小后增大。20℃时镀V薄膜样品在偏压为-100V时耐蚀性最佳,其腐蚀电位比基体提高了0.425V,腐蚀电流下降了2个数量级以上。镀V薄膜样品经过200和300℃加热处理后,其耐蚀性提高,但是与基体相比,经200℃处理后的镀V薄膜样品腐蚀电流最大降低了1个数量级,而经300℃处理后的镀V薄膜样品耐蚀性与基体相比提高并不明显。 展开更多

关键词 高功率脉冲磁控溅射 V薄膜 直流偏压 铝合金 耐蚀性

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电容式微加工超声传感器(cMUT)的结构设计及仿真 被引量：4

7

作者 宋光德 刘娟 栗大超 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2005年第2期156-159,共4页

与传统的压电传感器相比,电容式微加工超声传感器(cMUT)性能优良,有着广泛的应用前景.为此,介绍了cMUT的基本结构和工作原理,并提出了一种新型结构.利用有限元分析软件ANSYS对这种结构进行模态分析,得到其共振频率和一阶振动图;利用ANSY... 与传统的压电传感器相比,电容式微加工超声传感器(cMUT)性能优良,有着广泛的应用前景.为此,介绍了cMUT的基本结构和工作原理,并提出了一种新型结构.利用有限元分析软件ANSYS对这种结构进行模态分析,得到其共振频率和一阶振动图;利用ANSYS的耦合场分析模块和参数化设计语言(APDL),对结构进行力电耦合仿真,获得其直流偏压和作为发射器时所需的交流电压值.分析结果表明,所设计的结构符合设计要求. 展开更多

关键词 超声传感器 微加工 电容式 结构设计 仿真 有限元分析软件 ANSYS 压电传感器 工作原理 共振频率 模态分析 新型结构 设计语言 分析模块 力电耦合 分析结果 直流偏压 设计要求 本结构 参数化 耦合场 电压值 发射器

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MRF154在短波固态线性功放中的应用 被引量：3

8

作者 饶中初 《国外电子元器件》 2002年第5期15-17,共3页

介绍了一种新型的大功率场效应管MRF154的技术参数和特点 ,给出了由MRF154组成的一款推挽式高频功率放大器的具体电路 ,并对该电路进行了详细分析 。

关键词 功率放大器 射频通路 直流偏压 散热 MRF154 短波固态线性功放

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NbN薄膜的制备与性能研究 被引量：3

9

作者 彭松 肖斌平 +1 位作者 郝建奎 谢大弢 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期487-490,共4页

采用磁控溅射和直流偏压二极溅射两种方法制备了NbN薄膜。用XRD和TEM测量比较了两种不同溅射方法获得的NbN薄膜的特点,并测量了NbN薄膜的超导转变温度Tc。采用两种溅射方法都得到了致密、均匀、单一δ相的多晶NbN薄膜,薄膜生长的择优取... 采用磁控溅射和直流偏压二极溅射两种方法制备了NbN薄膜。用XRD和TEM测量比较了两种不同溅射方法获得的NbN薄膜的特点,并测量了NbN薄膜的超导转变温度Tc。采用两种溅射方法都得到了致密、均匀、单一δ相的多晶NbN薄膜,薄膜生长的择优取向受温度和氮气流量的影响很大,薄膜的超导转变温度受溅射室本底真空影响较大。 展开更多

关键词 NbN薄膜 性能研究 制备 超导转变温度 直流偏压 磁控溅射 择优取向 薄膜生长 TEM XRD TCO 气流量

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浓差极化介电模型对有机-无机杂化阴离子交换膜/电解质溶液体系的适用 被引量：3

10

作者 倪贵智 赵孔双 +2 位作者 李玉红 吴永会 徐铜文 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期8-14,22,共8页

在40Hz^10MHz频率范围测量了5种阴离子交换膜/0.000 1mmol/L KCl溶液体系有无直流偏压下的介电谱,发现只有当给这些体系施加直流偏压时才有介电现象,而且弛豫强度和直流偏压大小有关.利用浓度极化层介电模型解析介电谱获得了各体系组成... 在40Hz^10MHz频率范围测量了5种阴离子交换膜/0.000 1mmol/L KCl溶液体系有无直流偏压下的介电谱,发现只有当给这些体系施加直流偏压时才有介电现象,而且弛豫强度和直流偏压大小有关.利用浓度极化层介电模型解析介电谱获得了各体系组成相特别是和浓差极化层相关的参数.也考察了无机组分、离子基团和膜材料对膜的电性能和浓差极化层的影响. 展开更多

关键词 杂化离子交换膜 介电测量 直流偏压 浓差极化层

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Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响 被引量：2

11

作者 李媛 付志粉 +2 位作者 曹蕾 王亚娟 刘鹏 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期39-42,46,共5页

采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,... 采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz^1 kHz频率范围内,tanδ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al3+取代Ti4+可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱. 展开更多

关键词 巨介电常数 介电弛豫 直流偏压

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ICP腔体压力对直流偏压的影响 被引量：2

12

作者 张力江 幺锦强 +1 位作者 周俊 王敬松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期794-796,共3页

基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况。发现在各种不同的功率下都存在一个特定的腔体压力,当低于该腔体压力时... 基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况。发现在各种不同的功率下都存在一个特定的腔体压力,当低于该腔体压力时直流偏压会随腔体压力的增大而增加,当高于该腔体压力后直流偏压会随着腔体压力的增加而缓慢减小。讨论了产生这种现象的原因,揭示了其中的物理机理,以该方法作为参考,通过一组对比实验在工艺中得到验证,给出了GaAs刻蚀的工艺条件,为刻蚀工艺条件的优化提供了一个参考。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 直流偏压 腔体压力 干法刻蚀 砷化镓刻蚀

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直流偏压对脉冲激光烧蚀沉积非晶碳膜的影响 被引量：2

13

作者 郭建 杨益民 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1044-1047,共4页

在不同的负直流衬底偏压下 ,用脉冲激光沉积法在单晶 Si和 K9玻璃衬底上沉积水晶碳膜。用扫描电镜观察膜的表面形貌 ;用椭偏法测量沉积在 K9玻璃上的膜的厚度和折射率 ;显微硬度相对于硅衬底测量 ;对沉积在硅衬底上的膜进行了 Raman光... 在不同的负直流衬底偏压下 ,用脉冲激光沉积法在单晶 Si和 K9玻璃衬底上沉积水晶碳膜。用扫描电镜观察膜的表面形貌 ;用椭偏法测量沉积在 K9玻璃上的膜的厚度和折射率 ;显微硬度相对于硅衬底测量 ;对沉积在硅衬底上的膜进行了 Raman光谱分析 ,光谱表现为 3个峰。在激光能量相同时 ,线宽随偏压不同而不同 ,膜的硬度随偏压不同而不同。 展开更多

关键词 直流偏压 脉冲激光 烧蚀沉积 非晶碳膜 激光烧蚀

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外调制器直流偏压与输出光功率特性分析 被引量：1

14

作者 陈亦男 张晓青 李东 《北京信息科技大学学报（自然科学版）》 2009年第2期82-86,共5页

根据铌酸锂晶体的电光调制特性,采用折射率椭球方法分析了x切y传马赫-曾德强度调制器的调制原理。讨论了直流偏置电压对调制器输出相位的影响,给出直流偏压与调制器输出光功率之间的非线性特性关系式。当调制器工作在最佳的直流偏置点V_... 根据铌酸锂晶体的电光调制特性,采用折射率椭球方法分析了x切y传马赫-曾德强度调制器的调制原理。讨论了直流偏置电压对调制器输出相位的影响,给出直流偏压与调制器输出光功率之间的非线性特性关系式。当调制器工作在最佳的直流偏置点V_π/2附近时为近线性工作区;当直流偏压偏离V_π/2过多,则造成较大幅度的输出光功率变化,并导致微波光纤链路中所传输的电信号失真。实验表明,测试结果与理论分析相符。 展开更多

关键词 光纤通信 外调制 强度调制 直流偏压 光功率

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直流偏压对PMZNT弛豫铁电陶瓷介电性能的影响 被引量：2

15

作者 张勇 桂红 +1 位作者 桂治轮 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期234-238,共5页

对PMN－PZN－PT系弛豫铁电陶瓷的直流偏压特性进行了研究，直流偏压使介电常数的最大值εmax下降，介电常数最大值对应的温度Tmax升高，频率色散受到压抑．同时使介温曲线变得平坦．应用冻结偶极子、慢偶极子的概念，对实验结果进行了... 对PMN－PZN－PT系弛豫铁电陶瓷的直流偏压特性进行了研究，直流偏压使介电常数的最大值εmax下降，介电常数最大值对应的温度Tmax升高，频率色散受到压抑．同时使介温曲线变得平坦．应用冻结偶极子、慢偶极子的概念，对实验结果进行了分析． 展开更多

关键词 直流偏压 PMZNT 介电性 铁电陶瓷 弛豫铁电陶瓷

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电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究 被引量：2

16

作者 任远 刘晓燕 +2 位作者 刘久澄 刘宁炀 陈志涛 《材料研究与应用》 CAS 2016年第3期214-218,232,共6页

为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的... 为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的变化做了系统地研究,得到了台面刻蚀的最优参数.使用光刻胶作为掩模刻蚀了1.837μm深度的GaN材料样品,表面的光刻胶平整光滑;刻蚀台阶整齐连续,刻蚀倾角控制在75°以内. 展开更多

关键词 电感耦合等离子体刻蚀 GAN 刻蚀速率 选择比 直流偏压

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第二十讲真空离子镀膜

17

作者 张以忱 《真空》 CAS 2020年第5期85-88,共4页

(接2020年第4期第96页)13.6负偏压对膜沉积过程的影响13.6.1直流偏压真空阴极电弧离子镀一般配置直流负偏压电源。它的正极接镀膜室壳(阳极接地),其阴极连接在基片(工件)上。其负电压从0^-1000V可调,构成对阴极电弧源(靶)和电弧放电等... (接2020年第4期第96页)13.6负偏压对膜沉积过程的影响13.6.1直流偏压真空阴极电弧离子镀一般配置直流负偏压电源。它的正极接镀膜室壳(阳极接地),其阴极连接在基片(工件)上。其负电压从0^-1000V可调,构成对阴极电弧源(靶)和电弧放电等离子体负电位。正是带负偏压基片在等离子体中,基片表面附近的等离子鞘层对镀料离子实施加速,补给和调节离子能量,提高了离子对基片和膜层的轰击效应,增强了膜层的附着力和致密性,改善膜层结构和性能。 展开更多

关键词 直流负偏压 电弧放电 膜层结构 离子能量 直流偏压 负电压 负电位 真空离子镀膜

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电光调制器驱动源电路研究 被引量：1

18

作者 谭丰菊 张志伟 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2011年第7期60-62,共3页

高速光纤通信系统中通常采用外调制驱动电路,外调制驱动电路必须能够提供足够的输出驱动电压和直流偏压以满足调制器的需要。基于上述目的,研究了电光调制器的驱动源电路设计。

关键词 电光调制 光纤通信 驱动源 直流偏压

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直流偏压对于在玻碳电极上双层类脂膜成膜过程的影响 被引量：1

19

作者 李裕辉 张洪伟 +2 位作者 宋桂兰 张占军 蔡生民 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期6-11,共6页

应用循环伏安法和电化学阻抗谱研究了直流偏压对卵磷脂在玻碳电极表面自组装成膜过程及其结构的影响.实验发现:无论在正偏压还是负偏压条件下,卵磷脂在玻碳电极上均可组装成膜.施加正偏压时,由于玻碳电极表面所带的正电荷与卵磷脂端基... 应用循环伏安法和电化学阻抗谱研究了直流偏压对卵磷脂在玻碳电极表面自组装成膜过程及其结构的影响.实验发现:无论在正偏压还是负偏压条件下,卵磷脂在玻碳电极上均可组装成膜.施加正偏压时,由于玻碳电极表面所带的正电荷与卵磷脂端基之间的静电作用,使得卵磷脂在电极表面倾向于形成双层的类脂膜,并在0.4V偏压下电极阻抗达到最大值.继续增大电极正向偏压,s-BLM缺陷增加,以至趋于被击穿.提出了适宜的等效电路,并据此非线性拟合电极过程,求得部分阻抗的模型参数.研究发现:膜电容和电荷传递电阻呈现良好的互补效应. 展开更多

关键词 双层类脂膜 循环伏安 电化学阻抗谱 直流偏压

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真空镀膜领域射频叠加直流偏压技术研究 被引量：1

20

作者 陈树君 王海亮 +3 位作者 刘松 李振东 王建新 徐晶晶 《机电工程》 CAS 2013年第8期919-923,955,共6页

针对射频辉光放电过程中射频电源与直流偏压电源的叠加问题,通过分析阻抗匹配网络和高频屏蔽网络的工作原理,利用阻抗匹配网络将射频电源的高频能量最大效率的输出到真空室,利用高频屏蔽网络将射频电源的高频能量进行屏蔽的同时将直流... 针对射频辉光放电过程中射频电源与直流偏压电源的叠加问题,通过分析阻抗匹配网络和高频屏蔽网络的工作原理,利用阻抗匹配网络将射频电源的高频能量最大效率的输出到真空室,利用高频屏蔽网络将射频电源的高频能量进行屏蔽的同时将直流偏压电源的低频能量最大效率的输出到真空室。对射频辉光放电过程中射频电源、直流偏压电源以及真空室模型进行了系统的电路仿真,实现了射频电源与直流偏压电源的叠加,利用自制的射频电源与直流偏压电源系统进行了真空镀膜实验,证实了双电源系统的可行性。研究结果表明,利用阻抗匹配网络和高频屏蔽网络能够很好地将射频电源与直流偏压电源进行叠加,由双电源系统产生的带有负偏压的高频能量能够对真空镀膜工艺产生影响,有助于探索新的镀膜工艺。 展开更多

关键词 射频电源 直流偏压 阻抗匹配 真空镀膜

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