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一种在空气中运行稳定的界面保护型光学神经突触器件
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作者 李欣蔚 杨成东 +1 位作者 苏琳琳 刘逸龙 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期250-257,共8页
提出了利用在二氧化硅表面覆盖一层超薄(7 nm)致密的氮化硅来隔离空气中氧气的方法,氮化硅低的隧穿势垒能够保证电子通过并到达二氧化硅界面,形成电子捕获态。这样的器件设计极大地提高了器件在空气中的运行稳定性。此外,还模拟了突触... 提出了利用在二氧化硅表面覆盖一层超薄(7 nm)致密的氮化硅来隔离空气中氧气的方法,氮化硅低的隧穿势垒能够保证电子通过并到达二氧化硅界面,形成电子捕获态。这样的器件设计极大地提高了器件在空气中的运行稳定性。此外,还模拟了突触可塑性行为。该设计不仅能够确保基于二氧化硅界面捕获的突触器件在空气中稳定地运行,而且能够为解决器件运行稳定性问题提供一种可行思路。 展开更多
关键词 神经形态器件 肖特基二极管 界面捕获 界面保护
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相场方法模拟铝合金三维枝晶生长 被引量：33
2
作者 赵代平 荆涛 柳百成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1737-1742,共6页
以相场模型为基础 ,采用宏微观耦合方法和界面捕获液态方法对铝合金枝晶生长进行模拟计算 .为解决试样全场微观计算的困难 ,采取宏微观耦合的计算方法 ,试样整体计算温度场 ,而微观组织计算只在一个确定的宏观单元内进行 ,宏观微观计算... 以相场模型为基础 ,采用宏微观耦合方法和界面捕获液态方法对铝合金枝晶生长进行模拟计算 .为解决试样全场微观计算的困难 ,采取宏微观耦合的计算方法 ,试样整体计算温度场 ,而微观组织计算只在一个确定的宏观单元内进行 ,宏观微观计算交替耦合进行 .在不改变相场模型的条件下 ,提出界面捕获液态计算方法 .赋值计算单元界面标志 ,只对界面处的单元求解相场变量 ,当枝晶生长时 ,捕获液态单元为界面从而推进界面 ,并对捕获到的单元校正相场变量 .通过界面捕获液态方法加速相场模型的计算 ,实现了铝合金试件局部三维单晶粒和多晶粒的模拟 .对模拟结果与实际试样的金相结果进行分析和比较 . 展开更多
关键词 相场方法 铝合金 三维枝晶生长 宏微观耦合方法 界面捕获液态方法 模拟计算 金相分析
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考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能
3
作者 孙静 李立 施晓蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期366-370,共5页
结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导... 结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导体表面势-电压(φSi-V)特性和MIFIS结构低频电容-电压(C-V)特性及记忆窗口的影响。结果显示,随着界面捕获态密度的增加,φSi-V和C-V特性曲线沿电压正方向移动并发生变形,记忆窗口逐渐减小,即界面捕获态密度越大,MIFIS结构的电学性能越差。该研究在MIFIS结构器件的设计和制作方面具有指导意义。 展开更多
关键词 金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构 界面捕获态 φSi-V特性 C-V特性 记忆窗口
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