文摘采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cl∶Cu_2O薄膜,通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响。结果表明当p H值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜。随着CuCl_2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降。莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当Cu Cl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 m A/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6%),载流子浓度为3.58×10^(19)cm^(-3)(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457%)。将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L Cu Cl_2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92 s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了。
