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基于Q^N旋转布局的10位500MS/s分段电流舵DAC 被引量：2
1
作者 佟星元 王超峰 +1 位作者 贺璐璐 董嗣万 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期2304-2310,共7页
针对分段电流舵数/模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC),通过理论分析和推导,研究电流源阵列系统失配误差和寄生效应对非线性的影响,采用电流源阵列Q^N旋转游走版图布局方案,能够减小电流源系统失配的一次误差,而且版图布线简单... 针对分段电流舵数/模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC),通过理论分析和推导,研究电流源阵列系统失配误差和寄生效应对非线性的影响,采用电流源阵列Q^N旋转游走版图布局方案,能够减小电流源系统失配的一次误差,而且版图布线简单,由寄生效应引起的电流源失配较小,利于DAC非线性的优化.基于0.18μm CMOS,采用"6+4"的分段结构,设计了一种10位500MS/s分段电流舵DAC,流片测试结果表明,在输入频率为1.465MHz,采样速率为500MS/s的条件下,无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)为64.9dB,有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)为8.8 bit,微分非线性误差(Differential Non-linearity,DNL)和积分非线性误差(Integral Non-linearity,INL)分别为0.77LSB和1.12LSB. 展开更多
关键词 数/模转换器 分段电流舵 版图布局 系统误差 非线性
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Bi-mode逆导门极换流晶闸管结构与特性研究 被引量：2
2
作者 谭巍 李建清 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第2期236-239,共4页
Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构。通过分析BGCT器件的版图布局结构,采用Sentaurus TCAD软件模拟并分析了BGCT、传统结构RC-GCT和IGCT... Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构。通过分析BGCT器件的版图布局结构,采用Sentaurus TCAD软件模拟并分析了BGCT、传统结构RC-GCT和IGCT传统功率器件的通态特性、正向阻断特性和关断特性,着重比较了RC-GCT与BGCT在400K温度下不同工作模式下特性差异。分析研究结果表明,BGCT器件能够改善RC-GCT器件的通态特性,提高硅片面积的利用率。 展开更多
关键词 门极换流晶闸管 逆导 Bi-mode BGCT 版图布局
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一种10 bit电流舵型DAC的设计与仿真 被引量：1
3
作者 王冠 张静 《电子设计工程》 2022年第2期170-173,179,共5页
设计了一款分辨率为10 bit、采样频率为160 MSps的数模转换器,该设计基于SMIC 55 nm1P6M标准CMOS工艺,结构为分段式电流舵型,采用模拟电源2.5 V和数字电源1.2 V双电源形式供电,具有I/Q双通道。与传统DAC结构不同的是,内部采用了一个高... 设计了一款分辨率为10 bit、采样频率为160 MSps的数模转换器,该设计基于SMIC 55 nm1P6M标准CMOS工艺,结构为分段式电流舵型,采用模拟电源2.5 V和数字电源1.2 V双电源形式供电,具有I/Q双通道。与传统DAC结构不同的是,内部采用了一个高精度、低温漂的基准电流源代替了带隙基准电压源以及电压-电流转换电路,其温漂系数为3.1 ppm/℃。基于Q2 Random Walk电流源版图布局方法,提出了一种更为简单的中高位电流源版图交叉布局方法,有效地消除了由于梯度误差和随机误差带来的匹配性问题。DAC的版图总面积为1 050μm×800μm,总功耗为30.67 mW,SFDR=78 dB@fin=40 MHz。 展开更多
关键词 电流舵 基准电流源 版图布局 低功耗
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DAC(Digital to Analog Converter)版图布局的理论与实现
4
作者 金善子 《中国集成电路》 2003年第51期64-68,共5页
本文详细介绍了模拟前端芯片发送通道DAC的布局原理和设计方案,由于DAC的实际性能很大程度上由版图的布局质量决定,所以本文也着重讲述了根据DAC工作原理来确定的合理的布图理论以及如何保证关键指标的实现。
关键词 DAC 版图布局 芯片 布局质量 工作原理 集成电路设计 数模转换器 开关阵列
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SRAM版图布局方向对产品失效率的影响
5
作者 梁家鹏 唐晓柯 +3 位作者 关媛 李大猛 李秀全 王小曼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期236-240,共5页
静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失... 静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失效位点,通过离子聚焦束(FIB)切片及扫描电子显微镜(SEM)分析造成失效的异常物理结构,结合平台同类产品的设计布局对比及生产过程中光刻工艺制程的特点,确认失效的具体原因。对可能造成失效的工艺步骤或参数设计实验验证方案,根据验证结果制定相应的改善措施,通过良率测试及SEM照片确认改善结果,优化工艺窗口。当SRAM中多晶硅线布局方向与测试单元中一致时,工艺窗口最大,良率稳定;因此在芯片设计规则中明确SRAM结构布局方向,对于保证产品的良率具有重要意义。 展开更多
关键词 静态随机存储器(SRAM) 版图布局 光刻 关键尺寸 工艺窗口
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Bi-Mode逆导门极换流晶闸管工艺方案与版图设计
6
作者 谭巍 李建清 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第2期264-269,共6页
Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构,其主要特点是在版图布局中将二极管阳极与GCT阴极指条穿插一起。通过对BGCT器件结构的分析,给出了一... Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构,其主要特点是在版图布局中将二极管阳极与GCT阴极指条穿插一起。通过对BGCT器件结构的分析,给出了一种工艺制作方案,并利用Sentaurus TCAD软件验证了工艺方案的可行性,分析研究结果表明,工艺设计方案可行,器件结构参数符合目标要求;最后在确定的工艺流程方案基础上,通过对门阴极指条的设计给出了其版图布局方案,且用L-edit软件绘制出了其光刻流程。 展开更多
关键词 电力电子器件 门极换流晶闸管 工艺方案 版图布局 TCAD
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基于粒子群优化算法的集成电路无网格布线 被引量：6
7
作者 黄训诚 庄奕琪 耿阿囡 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期34-37,86,共5页
提出了一种改进的粒子群优化算法,并将其应用于集成电路布线,建立了相应的优化模型。对于给定的版图布线平面,该算法结合无网格算法的思路,首先由障碍图形和各个线网的端点生成一个包含最短路径的无网格访问点阵,然后根据粒子群算法的... 提出了一种改进的粒子群优化算法,并将其应用于集成电路布线,建立了相应的优化模型。对于给定的版图布线平面,该算法结合无网格算法的思路,首先由障碍图形和各个线网的端点生成一个包含最短路径的无网格访问点阵,然后根据粒子群算法的思路建立初始粒子位置矩阵,并利用其全局寻优功能找到当前布线路径上的最短路径. 展开更多
关键词 粒子群优化算法 无网格布线 版图布局优化 Prufer数
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