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一种使用Capless LDO结构的片上电容的预估方法 被引量：1
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作者 何洋 马永旺 +4 位作者 侯佳力 王小曼 胡毅 冯曦 唐晓柯 《电子技术应用》 2019年第2期23-26,共4页
针对集成电路SOC芯片对PIN脚资源的限制以及用于敏感信息防护的安全芯片的应用领域,需要使用片上LDO和片上滤波电容的方案来为内核供电。由于LDO的低带宽导致带来相应速度问题,需要用片上滤波电容来提供数字电路瞬态翻转的能量,要使用... 针对集成电路SOC芯片对PIN脚资源的限制以及用于敏感信息防护的安全芯片的应用领域,需要使用片上LDO和片上滤波电容的方案来为内核供电。由于LDO的低带宽导致带来相应速度问题,需要用片上滤波电容来提供数字电路瞬态翻转的能量,要使用纳法级的滤波电容占用极大的芯片面积,使得布局和LDO都在项目后期完成设计,导致芯片布局的迭代次数增加。深刻理解数字电路的工作原理和设计流程,提出了一种全新的设计流程和电容估算方法,在项目前期就完成片上电容的精确预估,从而可以早期进行LDO和芯片布局设计,减少了迭代周期,节省了芯片研发时间,并且通过仿真和测试,验证了提出了估算方法具有较好的预估精度。 展开更多
关键词 片上滤波电容 无片外电容LDO 布局
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