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第三代碲镉汞器件的研发进展 被引量:8
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作者 王忆锋 唐利斌 《光电技术应用》 2009年第5期17-22,66,共7页
通过对近年来部分英语文献的归纳分析,介绍了国外第三代碲镉汞(MCT)器件的研发现状,包括具有新颖器件结构的双色或三色探测器、雪崩光电二极管和多光谱阵列等.分析了三代MCT器件在阵列规模、光伏技术的甚长波应用、多色、读出电路等方... 通过对近年来部分英语文献的归纳分析,介绍了国外第三代碲镉汞(MCT)器件的研发现状,包括具有新颖器件结构的双色或三色探测器、雪崩光电二极管和多光谱阵列等.分析了三代MCT器件在阵列规模、光伏技术的甚长波应用、多色、读出电路等方面的研究进展.指出利用复杂可控的气相外延生长方法,例如分子束外延(MBE)和金属有机气相化学沉积(MOCVD)等,已可制备近乎理想设计的异质结光电二极管.随着基于MBE生长的MCT技术发展,法国和美国已分别可以制备4英寸以上的大尺寸锗基和硅基晶片,并在晶片上以可控厚度沉积光敏薄膜.依据目前的发展,三代MCT技术有望3、5年内达到量产的水平. 展开更多
关键词 碲镉汞 PN结 光电二极管 平面阵器件 红外探测器
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碲镉汞pn结制备技术的研究进展 被引量:4
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作者 王忆锋 唐利斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第9期497-503,共7页
作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1~25μm)范围内工作的红外探测器。由于材料性质敏感,MCT器件的制备一直是一项具有挑战性的工作。有若干种pn结制备方法可用于制备MCT光伏器件。离子注入... 作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1~25μm)范围内工作的红外探测器。由于材料性质敏感,MCT器件的制备一直是一项具有挑战性的工作。有若干种pn结制备方法可用于制备MCT光伏器件。离子注入是最常用的一种,但该方法需要额外的退火处理。一些替代技术,例如离子束研磨或反应离子刻蚀等,近来年引起较多关注。MCT体晶和外延层的导电类型转换是材料生产和器件制备中最重要的工艺之一。通过对近年来部分英语期刊文献的归纳分析,介绍了MCT pn结制备技术的研究进展。 展开更多
关键词 碲镉汞 PN结 光电二极管 平面阵器件 红外探测器
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红外焦平面器件读出电路技术 被引量:8
3
作者 甘文祥 《红外》 CAS 2003年第9期1-8,共8页
本文是一篇关于红外焦平面阵列器件的综述性文章。主要介绍了红外焦平面阵列器件的分类、定义、应用、组成部分、发展趋势,其中重点对红外焦平面器件读出电路技术作了详尽的论述。
关键词 红外平面阵器件 读出电路技术 红外探测器 电路设计 红外平面成像
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长波红外碲镉汞探测器 被引量:2
4
作者 梁晋穗 《红外》 CAS 2003年第6期1-8,共8页
1 引言 红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的.
关键词 长波红外碲镉汞探测器 红外辐射 红外平面阵器件 红外探测器 光电探测器
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用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究(英文)
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作者 何苗 易新建 +2 位作者 程祖海 刘鲁勤 王英瑞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期321-324,共4页
提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦... 提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过 2 0 0μm的相同尺寸的微透镜阵列。微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合 。 展开更多
关键词 GAAS 离子束刻蚀 组合器件 红外平面阵器件 响应特性 砷化镓 微透镜器件 曲率补偿
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红外技术与器件
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《中国光学》 EI CAS 2002年第3期79-83,共5页
TN213 2002032171碲镉汞材料制备及其评价=Preparation of mercurycadmium telluride and its evolution[刊,中]/吴俊,何力(中科院上海技物所.上海(200083))//红外.-2001,(7).-1-8叙述了碲镉汞材料的发展,材料的制备。对碲镉汞材料进行... TN213 2002032171碲镉汞材料制备及其评价=Preparation of mercurycadmium telluride and its evolution[刊,中]/吴俊,何力(中科院上海技物所.上海(200083))//红外.-2001,(7).-1-8叙述了碲镉汞材料的发展,材料的制备。对碲镉汞材料进行了评价。认为在材料科技体系中,材料的制备很重要。但其评价体系、包括仪器和方法的作用是不容忽视的,它不仅直接决定材料的发展水平,而且其自身已构成研究领域,成为材料科技的主要组成部分。 展开更多
关键词 红外图像 红外平面阵器件 热释电红外传感器 微透镜 激光辐照 红外热像仪 毫米波 红外平面探测器 红外隐身材料 发展水平
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