表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 被引量：7

1

作者 郜锦侠 张义门 +1 位作者 张玉明 汤晓燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期408-413,共6页

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效... 建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 。 展开更多

关键词 表面态密度分布 源漏电阻 6H-SiCPMOS 器件特性

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型 被引量：3

2

作者 杨燕 王平 +2 位作者 郝跃 张进城 李培咸 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页

基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的... 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 . 展开更多

关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻

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部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻实验设计

3

作者 吴建伟 徐静 《电子与封装》 2012年第4期27-30,共4页

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验... 文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。 展开更多

关键词 部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺 顶层硅膜厚度 能量 剂量 P+源漏电阻

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亚100纳米MOS半导体器件技术探讨 被引量：1

4

作者 刘文安 黄如 张兴 《世界产品与技术》 2003年第9期30-36,34-36,共7页

尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CMOS仍然是工业界的主流。在可以预见的很长的一段时间内,没有任何新器件能够对MOS管的地位形成真正的挑战。

关键词 MOS半导体器件 多晶硅耗尽效应 栅介质 载流子迁移率 源漏串联电阻 亚100纳米

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易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备 被引量：2

5

作者 王伟 石家纬 +7 位作者 郭树旭 全宝富 刘明大 张宏梅 梁昌 张素梅 游汉 马东阁 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1262-1265,共4页

用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))... 用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。 展开更多

关键词 光电子学 并五苯 有机薄膜场效应晶体管 源漏接触电阻 全蒸镀制备

原文传递

考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型 被引量：1

6

作者 郜锦侠 张义门 张玉明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1296-1300,共5页

在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .

关键词 6H—SiC PMOSFET 源漏串联电阻 解析模型

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纳米MOSFET寄生电阻模型分析

7

作者 储明 孙家讹 陈军宁 《电脑知识与技术》 2009年第3期1762-1764,共3页

随着器件尺寸的缩小，寄生电阻对器件性能的影响不可忽视，为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响，需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型．研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在... 随着器件尺寸的缩小，寄生电阻对器件性能的影响不可忽视，为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响，需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型．研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因，并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响，提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。 展开更多

关键词 纳米 MOSFET 短沟道 源漏寄生电阻 电阻模型

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14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模

8

作者 陈寿面 石艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触... 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻（R_（con））、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻（R_（sp））以及源漏与沟道之间的寄生电阻（R_（ext））。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_（con）,R_（sp）和R_（ext）进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。 展开更多

关键词 鳍型场效应晶体管(FinFET) 非本征寄生 源漏寄生电阻 建模 TCAD仿真

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短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型

9

作者 常红 王亚洲 柯导明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期251-256,共6页

根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与... 根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 源/漏寄生电阻 半解析模型 电势

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一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法

10

作者 鲁明亮 陶永春 《南京师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期50-54,60,共6页

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提... 源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析. 展开更多

关键词 纳米CMOS器件 源/漏寄生电阻 提取方法

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纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究

11

作者 马丽娟 李茹 《电子测试》 2020年第8期30-33,共4页

本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间... 本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间。直接Id-Vgs和Y函数方法都得到了与L相关的Rsd值,误差分析发现从直接Id-Vgs和Y函数两种方法中提取的Rsd对L依赖性与提取过程中的栅极电压导致有效沟道迁移率(μeff)降低有关,推导过程中忽略了这种影响,Rsd值叠加了一个与栅长相关的量。本文计算了这个叠加的误差值,并得到消除此误差值之后各个栅长器件的Rsd值。 展开更多

关键词 CMOS器件 源/漏串联电阻 栅长 相关性

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GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型

12

作者 姚若河 姚永康 耿魁伟 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-8,共8页

GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究... GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究给出考虑自热和准饱和效应的R_(D,S)模型。首先由源漏通道区温度T_(CH)与耗散功率P_(diss)的关系,推导出非线性自热效应模型。进一步基于准饱和效应和Trofimenkoff模型,给出源漏通道区电子漂移速度与电场强度的关系表达式,构建非线性R_(D,S)模型。在环境温度Tamb=300~500 K时,源漏通道区二维电子气2DEG面密度n_(S,acc)(T_(CH))和迁移率μ_(acc)(T_(CH))随T_(CH)的升高而下降,这导致低偏置条件下的源漏通道区电阻R_(D0,S0)随T_(CH)呈非线性增长。将本研究和文献报道的R_(D,S)模型与TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真数据进行对比,结果显示:本研究与文献报道的漏通道区电阻RD模型的平均相对误差分别为0.32%和1.78%,均方根误差(RMSE)分别为0.039和0.20Ω;RS模型的平均相对误差分别为0.76%和1.73%,RMSE分别为0.023和0.047Ω。与文献报道的实验数据进行对比,结果显示:本研究与文献RD模型的平均相对误差分别为0.91%和1.59%,RMSE分别为0.012和0.015Ω;RS平均相对误差分别为1.22%和2.77%,RMSE分别为0.0015和0.0034Ω。本研究提出的R_(D,S)模型具有更低的平均相对误差和均方根误差,能够更加准确地表征GaN HEMT线性工作区R_(D,S)随漏源电流I_(DS)的变化。可将本模型用于器件的设计优化,也可作为Spice模型用于电路仿真。 展开更多

关键词 源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应 准饱和效应

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毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 被引量：1

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作者 张效玮 贾科进 +3 位作者 房玉龙 敦少博 冯志红 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期634-637,641,共5页

由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分... 由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。 展开更多

关键词 镓氮高电子迁移率晶体管 器件材料结构 短沟道效应 源漏导通电阻 毫米波

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