光纤传输时延温度特性的测量 被引量：7

1

作者 邵钟浩 毛锁方 《南京邮电学院学报》 北大核心 1996年第3期82-85,共4页

在讨论了光纤传输时延温度特性及其测量方法的基础上，介绍了利用光端机房设备和仪表进行脉冲时延法测试的系统、测试结果、数据处理和误差分析。实测结果表明。

关键词 光纤传输 温度特性 测量 温漂系数

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大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制

2

作者 孙春明 朱振 +4 位作者 任夫洋 陈康 苏建 夏伟 徐现刚 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期72-76,共5页

为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相... 为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相沉积、全息光刻、干法刻蚀以及湿法腐蚀等工艺,完成了器件的制备,并且在准连续条件(200 A、200μs、20 Hz)下,对所制备的激光器阵列进行了不同温度下的性能测试。测试结果表明:器件峰值输出功率可达到190 W,光电转换效率超过55%,光谱半高宽为0.6 nm,温漂系数为0.06 nm/K,波长锁定范围达到125℃(-35~90℃)。另外,对其进行了老化考评,结果显示,老化2 000 h后峰值功率衰减小于4%。 展开更多

关键词 温漂系数 二次外延 全息光刻 二阶光栅 激光器阵列

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一种精确分段补偿的带隙基准电压源设计

3

作者 何浩 冯全源 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第3期328-334,共7页

针对传统的带隙基准电压的温漂系数较高的问题,设计了一种低温漂系数的带隙基准电压源。分别引入正负温度系数电流在高温和低温阶段对带隙基准电压进行线性补偿。NPN管作为开关管,通过工作在线性区的NMOS管作为等效电阻将正负温度系数... 针对传统的带隙基准电压的温漂系数较高的问题,设计了一种低温漂系数的带隙基准电压源。分别引入正负温度系数电流在高温和低温阶段对带隙基准电压进行线性补偿。NPN管作为开关管,通过工作在线性区的NMOS管作为等效电阻将正负温度系数电流转换成基极电压,控制NPN管导通和截止,进而控制开始和结束补偿的温度,实现精确补偿。基于SMIC 0.18μm工艺通过Cadence进行仿真。仿真结果为:在输入电压5 V时,温度在-40~125℃内,输出电压经过精确补偿后,温漂系数从16.48×10^(-6)/℃下降到0.829×10^(-6)/℃。输出基准电压最大仅变化152μV。在室温下,低频时电源抑制比为73.7 dB,电压源可以在2.8~7.5 V稳定工作。 展开更多

关键词 带隙基准 精确补偿 温漂系数 分段补偿

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一种高电源抑制比快速启动的带隙基准的设计

4

作者 吴宏元 张章 +1 位作者 程威 马永波 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第6期762-766,共5页

文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的... 文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的两级放大器结构。针对某些系统快速启动的需求,设计快速启动电路,当电源上电时启动电路直接作用于基准电压,加速带隙基准电路的启动,在电路正常启动后通过开关管使启动电路停止工作。仿真结果表明,温度在-40~125℃范围内,带隙基准的温漂系数为13.05×10^(-6)℃^(-1);低频时PSRR为100.6 dB;线性调整率(line regulation,LNR)为0.024 mV/V;启动时间为4μs。 展开更多

关键词 电源抑制比(PSRR) 快速启动 带隙基准 负反馈回路 温漂系数 线性调整率(LNR)

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一种采用分段温度补偿的低温漂带隙基准源

5

作者 席银征 李楠 刁节涛 《微电子学与计算机》 2024年第1期118-125,共8页

提出了一款宽温度范围、低温漂系数的带隙基准源。以Banba结构的带隙基准源作为核心电路,产生开口向下的抛物线状输出基准电压,将抛物线顶点向高温段移动,使输出基准电压的高温段趋于平缓,利用分段温度补偿技术对低温段进行曲率补偿,补... 提出了一款宽温度范围、低温漂系数的带隙基准源。以Banba结构的带隙基准源作为核心电路,产生开口向下的抛物线状输出基准电压,将抛物线顶点向高温段移动,使输出基准电压的高温段趋于平缓,利用分段温度补偿技术对低温段进行曲率补偿,补偿电流由不同温度系数的电流相减产生,有效降低了温漂系数,并拓宽了带隙基准源工作的温度范围。在0.18μm的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺下进行电路性能验证,仿真结果表明,在-50~150℃的温度范围内,提出的带隙基准源的温漂系数为0.65 ppm/℃,在1.8 V的电源电压下输出电压为760 mV,版图面积仅为0.01 mm^(2)。 展开更多

关键词 带隙基准源 分段温度补偿 温漂系数 宽温度范围 互补金属氧化物半导体(CMOS)

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基于亚阈值区的CMOS带隙基准电压源设计

6

作者 郭俊 郭小平 +1 位作者 詹国斌 叶晨宇 《电子产品世界》 2024年第2期19-23,共5页

基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金... 基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)带隙基准电压源结构,从而消除了传统经典电源中对双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)工艺的依赖。此外,在低温段和高温段分别增加二阶补偿电路。仿真结果表明,在Cadence软件的台积电65 nm工艺下,提出的基准源成功实现了温度补偿,并在较宽的温度范围内具有较低的温漂系数。 展开更多

关键词 带隙基准 CMOS 二阶补偿 温漂系数

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基于0.18μm的无电阻无运放低功耗带隙基准源设计 被引量：6

7

作者 李燕霞 龚敏 高博 《电子与封装》 2015年第1期24-27,共4页

设计了一种无电阻和运算放大器的带隙基准源来降低带隙基准源电路设计的复杂度。采用自偏置结构来避免设计启动电路和偏置电路,所有的MOS管都工作在亚阈值区域以实现低功耗设计,使得整个电路结构能在1.2 V的低电压下工作,此外采用了由BJ... 设计了一种无电阻和运算放大器的带隙基准源来降低带隙基准源电路设计的复杂度。采用自偏置结构来避免设计启动电路和偏置电路,所有的MOS管都工作在亚阈值区域以实现低功耗设计,使得整个电路结构能在1.2 V的低电压下工作,此外采用了由BJT构成的高阶温度补偿电路改善电路的温漂系数。本电路采用SMIC 0.18μm CMOS混合工艺,仿真结果表明,在1.2 V的电源电压下,在-10-110℃之间,基准电压为579 mV,温漂系数仅为8.4×10^-6℃^-1,功耗仅为742 nW,版图面积仅为5.35×10^-9 m^2。 展开更多

关键词 带隙基准源 CMOS 温漂系数 低功耗

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一种面向生物医疗传感的电压型CMOS带隙基准源电 被引量：1

8

作者 刘凌雁 高同强 +4 位作者 蔡刚 黄志洪 宋柄含 杨伟华 徐天睿 《微电子学与计算机》 2023年第9期83-89,共7页

基于生物医疗芯片中植入式神经刺激器的应用需求,提出了一种基于BCD工艺的电压型CMOS带隙基准源电路.针对植入式芯片供电电压变化大的特点,在传统widlar电流源结构基础上,引入了二级运放输出反馈,为运放本身、带隙核心电路以及测温前端... 基于生物医疗芯片中植入式神经刺激器的应用需求,提出了一种基于BCD工艺的电压型CMOS带隙基准源电路.针对植入式芯片供电电压变化大的特点,在传统widlar电流源结构基础上,引入了二级运放输出反馈,为运放本身、带隙核心电路以及测温前端提供了稳定的偏置电流,以提高基准电路的电源抑制比以及线性调整率.同时为了消除运放失调电压Vos对输出电压稳定性的影响,根据电阻阻值变化范围设计了电阻修调矩阵,降低了基准电压的温度系数.选用TSMC 0.18 um BCD工艺进行设计仿真,仿真、测试结果表明,该基准源可以在1.8 V-6 V电压下正常工作,电压线性调整率为0.023%;电源抑制比在10 Hz时为−78 dB,100 Hz时为−55 dB.在−40-125℃范围内,温漂系数为16.68 ppm.电路总功耗在5 V电压下为90uW,芯片核心电路面积为0.15×0.38 mm^(2). 展开更多

关键词 温漂系数 电源抑制比 线性调整率

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一种高精度二阶曲率补偿带隙基准源设计 被引量：4

9

作者 罗治民 刘伯权 郭佳佳 《中国集成电路》 2019年第4期26-31,共6页

针对双极型晶体管基极-发射极电压VBE含有二阶温度非线性项导致带隙基准源温漂系数较高的问题,提出了一种新颖的二阶曲率补偿电路,根据基尔霍夫电压定律以及MOS管饱和区漏电流与栅源电压成平方关系,产生一个与热力学温度平方成正比的补... 针对双极型晶体管基极-发射极电压VBE含有二阶温度非线性项导致带隙基准源温漂系数较高的问题,提出了一种新颖的二阶曲率补偿电路,根据基尔霍夫电压定律以及MOS管饱和区漏电流与栅源电压成平方关系,产生一个与热力学温度平方成正比的补偿电流,对基极-发射极电压VBE的二阶温度项进行补偿,从而有效地降低基准输出电压的温漂系数。基于0.5μm CMOS工艺库,使用Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压5V,温度范围为-35～+130℃时,温漂系数为2.213ppm/℃,低频时电源抑制比可达到-116d B,在10k Hz时抑制比为-74d B。电源电压在1.6V～5V范围内变化时基准输出电压线性调整率为0.094%。 展开更多

关键词 带隙基准源 温漂系数 二阶曲率补偿 电源抑制比

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用于温度补偿型声表面波滤波器温补层的化学机械抛光工艺

10

作者 冯志博 李湃 +3 位作者 袁燕 史向龙 于海洋 孟腾飞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第2期320-326,共7页

在制备温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器温补层工艺过程中,温补层薄膜的厚度控制、膜层质量控制和膜厚不均匀性(NU)控制十分重要。对TC-SAW滤波器晶圆的温补层的化学机械抛光(CMP)工艺进行了研究,探讨了不同晶圆背压和保持环压力的比... 在制备温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器温补层工艺过程中,温补层薄膜的厚度控制、膜层质量控制和膜厚不均匀性(NU)控制十分重要。对TC-SAW滤波器晶圆的温补层的化学机械抛光(CMP)工艺进行了研究,探讨了不同晶圆背压和保持环压力的比值、抛光头转速和抛光盘转速的比值等对温补层的影响,进一步优化工艺参数,并研究了CMP对温补层表面粗糙度的影响。结果表明:采用优化后的工艺参数,即晶圆背压与保持环压力比值约为1.46(晶圆背压为350 g/cm^(3),保持环压力为240 g/cm^(3))、抛光头转速为93 r/min、抛光盘转速为87 r/min时,可以获得厚度稳定、表面均匀性良好、粗糙度为0.4 nm的膜层。最后将TC-SAW滤波器晶圆温补层进行化学机械抛光,得到膜厚为605.4 nm,总厚度偏差(TTV)为62.06 nm,NU为2.54%的温补层表面,最终得到滤波器的温漂系数为-1.478×10^(-5)/℃,可以满足设计要求,提高了滤波器的合格率。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 声表面波滤波器 温补层 膜厚不均匀性 温漂系数

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一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源 被引量：4

11

作者 郑朝霞 邹雪城 邵超 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第8期33-36,共4页

提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法。不同分段子区间复用一个PTAT电路架构，通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流，采用该复用方法，增加一次分段区间，仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻。与一般的分段... 提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法。不同分段子区间复用一个PTAT电路架构，通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流，采用该复用方法，增加一次分段区间，仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻。与一般的分段线性补偿电路相比，所需的MOS器件和BJT器件大大减少了，易于扩展。将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中，在一40～120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿，采用JAZZ BCD05 2P3M BiCMOS工艺实现，仿真结果表明，在整个温度范围，温漂可达到5.85×10^-7/℃，实现了很高的精度。 展开更多

关键词 带隙基准 分段线性补偿 温漂系数

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0.18um工艺的低功耗带隙基准源设计 被引量：3

12

作者 王健 石运栋 《电子世界》 CAS 2021年第18期194-195,共2页

目前,随着便携式产品对低压低功耗要求的不断苛刻,如何研究集成电备,如笔记本电脑、手机、PDA、移动电源等等,也对带隙基准电路提出了相应新的需求。本文带隙基准电路包括带隙核心电路,电流偏置电路以及运算放大器,其电流偏置电路所有的... 目前,随着便携式产品对低压低功耗要求的不断苛刻,如何研究集成电备,如笔记本电脑、手机、PDA、移动电源等等,也对带隙基准电路提出了相应新的需求。本文带隙基准电路包括带隙核心电路,电流偏置电路以及运算放大器,其电流偏置电路所有的MOS管工作状态都处在亚阈值区域。通过设计纳安级偏置电流电路,使其降低所产生的功耗,而且使得整体电路能在1.2V的低电压下正常工作。此外,采用了米勒补偿电路有效改善了电路的温漂系数。本文电路采用SMIC 0.18μm工艺模型,通过仿真结果显示,在1.2V的工作电源电压、环境温度-20~100℃下,实现了带隙基准电压为600mV,温漂系数仅为1.237ppm/℃,在低频100Hz时电源抑制比达到-88.5dB,其产生的功耗仅为67.72uW。 展开更多

关键词 偏置电路 带隙基准源 运算放大器 电源抑制比 便携式产品 温漂系数 偏置电流 电源电压

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一种低功耗高PSRR CMOS基准电压源 被引量：3

13

作者 符征裕 段吉海 +2 位作者 韦胶二 孔令宝 崔鹏 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期477-481,共5页

提出了一种采用新颖负温漂系数电流源补偿结构的高性能基准电压源。利用工作在亚阈值区的两个MOS管的栅源电压差与工作在线性区的MOS管的漏电流关系,产生补偿电流,使输出电压对温度不敏感。提出的负温漂电流源结构没有使用传统大电阻,... 提出了一种采用新颖负温漂系数电流源补偿结构的高性能基准电压源。利用工作在亚阈值区的两个MOS管的栅源电压差与工作在线性区的MOS管的漏电流关系,产生补偿电流,使输出电压对温度不敏感。提出的负温漂电流源结构没有使用传统大电阻,不仅保证了低功耗,还有效减小了芯片面积。采用共源共栅的电流源结构,提高了电源抑制比。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计仿真。仿真结果表明,在-35℃~150℃范围内,温漂系数为8.3×10^-6/℃。电源电压为1.3~3.3 V时,电压调整率为0.21%,电源抑制比为-81.2 dB@100 Hz,功耗仅为184.7 nW。芯片面积为0.006 mm2。 展开更多

关键词 低功耗 温漂系数 电流模式 电源抑制比

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一种低温漂低功耗的简易带隙基准电压设计 被引量：2

14

作者 祁琳娜 唐宁 +1 位作者 翟江辉 陈炜 《电子设计工程》 2010年第4期147-148,151,共3页

电压基准在模拟电路中提供一个受电源或温度等影响较小的参考电压,以保证整个电路正常工作。设计了一种低温漂低功耗带隙基准电压源,采用不受电源影响的串联电流镜做偏置,利用PTAT电压的正向温度系数和基极发射极电压的负向温度系数特性... 电压基准在模拟电路中提供一个受电源或温度等影响较小的参考电压,以保证整个电路正常工作。设计了一种低温漂低功耗带隙基准电压源,采用不受电源影响的串联电流镜做偏置,利用PTAT电压的正向温度系数和基极发射极电压的负向温度系数特性,以适当的系数加权构造零温度系数的电压量。该设计避开了运放的应用,结构简易,原理清晰,便于入门级的同学在短时间内学习掌握。0～70℃范围内,温漂系数为16.4 ppm/℃。供电电压在5～6 V范围内变化时,电源抑制比达57.7 dB。总输出噪声为140.3μV,功耗为300.6μW。 展开更多

关键词 带隙基准 温漂系数 电源抑制比 输出噪声 功耗

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基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路 被引量：1

15

作者 吴大军 张科峰 +2 位作者 邹志革 余凯 鲁力 《计算机与数字工程》 2007年第10期172-174,共3页

设计一种基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路。将整个温度范围,分成四段,在不同的温度范围下,改变带隙的正温度系数,从而完成对带隙电压的分段补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准源,用此带隙基准源作为LDO的参考电压,来实现低... 设计一种基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路。将整个温度范围,分成四段,在不同的温度范围下,改变带隙的正温度系数,从而完成对带隙电压的分段补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准源,用此带隙基准源作为LDO的参考电压,来实现低温漂的LDO。电路使用0.8um的BCD工艺库模型进行仿真,仿真结果表明,使用分段补偿带隙使LDO的温度系数得到了极大的降低,温度系数从原先未补偿的43.6ppm/℃变为2.4ppm/℃。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(LDO) 温漂系数 带隙参考电路

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一种新型开关电源管理集成电路振荡器电路 被引量：2

16

作者 马向平 《自动化与仪器仪表》 2017年第1期126-129,共4页

在CSMC 0.5μm混合工艺下,采用开关控制法设计了一种三角波振荡器。输出的三角波周期为1.25μs,并且生成大小10.5μA,在-50~150℃温漂系数为-161.2ppm/℃和大小21.5μA,温漂为145ppm/℃的恒流源。该振荡器具有可重用性高的优点。实验结... 在CSMC 0.5μm混合工艺下,采用开关控制法设计了一种三角波振荡器。输出的三角波周期为1.25μs,并且生成大小10.5μA,在-50~150℃温漂系数为-161.2ppm/℃和大小21.5μA,温漂为145ppm/℃的恒流源。该振荡器具有可重用性高的优点。实验结果表明该振荡器能输出845k Hz的三角波振荡波形,在700KHz-1000KHz之间都可正常工作。电路性能满足使用要求。 展开更多

关键词 振荡器 恒流源 电源抑制比 波形 温漂系数

原文传递

高性能带隙基准电压源的设计 被引量：1

17

作者 姜生瑞 郭利芳 张颖斐 《电子测试》 2012年第9期62-67,共6页

本文基于带隙基准电压源的工作原理,实现了一种利用PATA电流产生基准电压的高性能带隙基准源。该带隙基准源温度特性良好,具有较高精度的输出电压,所以使电源管理芯片的工作电压具有更小的温度系数,使芯片工作更稳定。利用Candance仿真... 本文基于带隙基准电压源的工作原理,实现了一种利用PATA电流产生基准电压的高性能带隙基准源。该带隙基准源温度特性良好,具有较高精度的输出电压,所以使电源管理芯片的工作电压具有更小的温度系数,使芯片工作更稳定。利用Candance仿真器,基于CSMC0.5umCMOS工艺对电路进行仿真,对基准源进行仿真与分析。仿真结果表明,当R2=316时,基准电压有最好的温度特性;并运用Cadence软件中的"Calculator"工具计算出在该温度时,带隙基准电压源有最小的温漂系数。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 PATA 温漂系数 电源抑制比

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一种应用于13.56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源 被引量：1

18

作者 王金川 张平 +1 位作者 张为 张建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期227-231,共5页

在传统带隙结构基础上，实现了一种适用于13．56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源。电路设计采用SMIC 0．18／μm混合信号CMOS工艺实现，测试结果显示，电源电压输入范围在4．0～11．0V时，基准源输出电压为1．165±0．004V，7... 在传统带隙结构基础上，实现了一种适用于13．56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源。电路设计采用SMIC 0．18／μm混合信号CMOS工艺实现，测试结果显示，电源电压输入范围在4．0～11．0V时，基准源输出电压为1．165±0．004V，7V电源电压、-40～100℃温度范围内，温漂系数为18．3×10-6℃，启动时间为6．8μs。 展开更多

关键词 带隙基准 启动时间 温漂系数 电源电压

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基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计 被引量：1

19

作者 孙楷添 丁星火 张甘英 《电子与封装》 2017年第6期23-26,共4页

射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高,引进的噪声不容忽视,带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声。设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路,电源电压3.3 V,基准电压V_(REF)为3.14 V,采用PNP双极管和电阻,利... 射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高,引进的噪声不容忽视,带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声。设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路,电源电压3.3 V,基准电压V_(REF)为3.14 V,采用PNP双极管和电阻,利用缓冲器负载实现输出DC点和输出摆幅不变,改善了温度系数并且降低了噪声。基于0.18μm SiGeBiCMOS工艺的仿真结果表明,在-55~125℃温度范围内,温漂系数为9.613×10^(-6)/℃;7.5 GHz频率下,100 kHz处噪声为6.164 nV/sqrt(Hz),总输出噪声低至2.08×10^(-6) V。 展开更多

关键词 锗硅工艺 射频 带隙基准 温漂系数 噪声

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基于Pt100铂电阻远距离传输的传感系统实现 被引量：1

20

作者 胡军锋 姜人好 尤泽萌 《山西电子技术》 2014年第4期62-62,90,共2页

当测量的主机与传感器通过远距离导线传输信号,导线本身就是电阻,会随着传输距离及温度的变化而呈现不同的阻值。做为桥电路采集部分,传统的精度为万分之一精度精密电阻都是采用绕线直插的形式,温漂系数最少要几十个ppm/℃,这样在传统... 当测量的主机与传感器通过远距离导线传输信号,导线本身就是电阻,会随着传输距离及温度的变化而呈现不同的阻值。做为桥电路采集部分,传统的精度为万分之一精度精密电阻都是采用绕线直插的形式,温漂系数最少要几十个ppm/℃,这样在传统的温湿度桥电路采集中差分信号与实际有很大偏差,对采集端的桥电路将产生影响,这需要控制端具备修正算法来解决这一突出问题。本系统通过在传感器端实现控制电路部分,采用贴片式Pt100精密电阻替代传统线绕式精密电阻实现了对温、湿度准确测量。 展开更多

关键词 远距离 温漂系数 桥电路 精密电阻

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