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题名砷化镓液相外延片均匀性的研究
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作者
王林海
袁炳辉
付浚
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出处
《河北工学院学报》
1994年第1期65-69,共5页
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文摘
介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外延片，并确定了比较好的生长工艺条件．这对生长高质量的ＧａＡｓ外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义．
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关键词
液相外廷
均匀性
生长温度
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Keywords
Liquid phase epitaxy (LPE), Velocty of temperature decreasing, Graphite boat, Homogeneity of doping density, Growing temperature, Ratios of source solution.
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名Si基复合衬底碲镉汞液相外延技术的研究
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作者
周立庆
刘兴新
巩锋
史文均
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1054-1056,共3页
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文摘
文章报道了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱仪等手段对碲镉汞薄膜进行了表征。Si基复合衬底碲镉汞外延膜晶体结构为单晶,并且它的双晶衍射半峰值接近国外同类产品的先进水平。
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关键词
碲镉汞
液相外廷
Si基复合村底
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Keywords
HgCdTe
LPE
silicon composite substrates
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
TN304.054
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