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算力技术发展研究——“智能摩尔”技术路线综述
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作者 周学武 张韵东 +1 位作者 郭昭宇 李家强 《中国安防》 2024年第5期40-45,共6页
一、“智能摩尔”技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半... 一、“智能摩尔”技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半导体工艺制程,以减小器件沟道宽度的方法来提高单片晶体管集成密度,正逐渐接近1nm的量子极限。拓展摩尔(More Than Moore)技术通过在单芯片中堆叠多个DIE来提升单个元器件的性能,但也受到功耗和散热的限制。 展开更多
关键词 半导体工艺 沟道宽度 集成密度 摩尔定律 后摩尔时代 物理极限 单芯片 半导体产业
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Subthermionic field-effect transistors with sub-5 nm gate lengths based on van der Waals ferroelectric heterostructures 被引量:5
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作者 Feng Wang Jia Liu +9 位作者 Wenhao Huang Ruiqing Cheng Lei Yin Junjun Wang Marshet Getaye Sendeku Yu Zhang Xueying Zhan Chongxin Shan Zhenxing Wang Jun He 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第17期1444-1450,M0003,共8页
Overcoming the sub-5 nm gate length limit and decreasing the power dissipation are two main objects in the electronics research field. Besides advanced engineering techniques, considering new material systems may be h... Overcoming the sub-5 nm gate length limit and decreasing the power dissipation are two main objects in the electronics research field. Besides advanced engineering techniques, considering new material systems may be helpful. Here, we demonstrate two-dimensional(2D) subthermionic field-effect transistors(FETs) with sub-5 nm gate lengths based on ferroelectric(FE) van der Waals heterostructures(vdWHs).The FE vd WHs are composed of graphene, MoS2, and CuInP2S6 acting as 2D contacts, channels, and ferroelectric dielectric layers, respectively. We first show that the as-fabricated long-channel device exhibits nearly hysteresis-free subthermionic switching over three orders of magnitude of drain current at room temperature. Further, we fabricate short-channel subthermionic FETs using metallic carbon nanotubes as effective gate terminals. A typical device shows subthermionic switching over five-to-six orders of magnitude of drain current with a minimum subthreshold swing of 6.1 mV/dec at room temperature. Our results indicate that 2D materials system is promising for advanced highly-integrated energy-efficient electronic devices. 展开更多
关键词 van der Waals heterostructure Ferroelectric two-dimensional materials Subthermionic field-effect transistor Short-channel field-effect transistor
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沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响
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作者 荆卫松 王超 +2 位作者 邓洋 杨帆 贾明瑞 《日用电器》 2023年第9期98-101,共4页
本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Trans... 本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。并采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、半导体参数仪和紫外-可见分光光度计,分别对薄膜表面粗糙度、薄膜的体相结构、器件电学性能以及光透过率进行表征。结果表明:上述条件制备的AZTO薄膜成膜质量较好,随着沟道宽度的变窄,开态电流逐步增大,阈值电压逐渐负向偏移,电流开关比逐渐变大,器件的整体性能依然是逐渐提高的,在沟道宽度为10 um时,开态电流为,阈值电压为-7.843 2 V,电流开关比达到。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 AZTO 沟道宽度
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沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响 被引量:2
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作者 吴晓鹏 杨银堂 +1 位作者 刘海霞 董刚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期113-117,共5页
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条... 基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条件下保护器件的I-V特性.基于失效电流水平变化趋势以及器件仿真结果,分析了相关物理机制.研究结果表明,沟道宽度的选取必须结合器件的导通均匀性情况,同时沟道长度值则通过改变器件沟道下方的热分布影响保护器件的鲁棒性.利用实验方法分析了沟道尺寸对单叉指栅接地N型金属氧化物半导体保护器件性能影响的物理机制,对深亚微米保护器件的版图设计提供了优化指导. 展开更多
关键词 沟道宽度 沟道长度 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体
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静电感应晶体管(SIT)电性能的控制 被引量:1
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作者 李思渊 刘瑞喜 李海蓉 《甘肃教育学院学报(自然科学版)》 1998年第1期32-39,共8页
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性)与器件的结构密切相关.沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数.如何控制这些参数并达到最佳匹... 静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性)与器件的结构密切相关.沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数.如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I-V特性,是个关键而且困难的问题.本文给出了上述参数控制的一般原则、方法,还给出了控制的判据,引人了一个控制因子β,特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论.由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率,它更为适于低阻负载直接驱动电路. 展开更多
关键词 静电感应晶体管 电性能 SIT 沟道长度 沟道宽度
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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 被引量:2
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作者 崔江维 郑齐文 +6 位作者 余德昭 周航 苏丹丹 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1128-1132,共5页
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应... 随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考. 展开更多
关键词 65nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度
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Traffic-Aware Channelization Medium Access Control for Wireless Ad Hoc Networks 被引量:2
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作者 史春光 赵海涛 +2 位作者 张少杰 马东堂 魏急波 《China Communications》 SCIE CSCD 2013年第4期88-100,共13页
Existing multi-channel Medium Access Control (MAC) protocols have been demonstrated to significantly increase wireless network performance compared to single channel MAC protocols. Traditionally, the channelization st... Existing multi-channel Medium Access Control (MAC) protocols have been demonstrated to significantly increase wireless network performance compared to single channel MAC protocols. Traditionally, the channelization structure in IEEE 802.11 based wireless networks is pre-configured, and the entire available spectrum is divided into subchannels and equal channel widths. In contrast, this paper presents a Traffic-Aware Channelization MAC (TAC-MAC) protocol for wireless ad hoc networks, where each node is equipped with a single half duplex transceiver. TAC-MAC works in a distributed, fine-grai-ned manner, which dynamically divides variable-width subchannels and allocates subchannel width based on the Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) technique according to the traffic demands of nodes. Simulations show that the TAC-MAC can significantly improve network throughput and reduce packet delay compared with both fixed-width multi-channel MAC and single channel 802.11 protocols, which illustrates a new paradigm for high-efficient multi-channel MAC design in wireless ad hoc networks. 展开更多
关键词 wireless ad hoc networks multi-channel MAC TAC IEEE 802.11
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基于四象限探测器的光纤焦比退化的测量方法 被引量:2
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作者 张美玲 邹华 +1 位作者 刘金升 王淋正 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期78-83,共6页
为开展提高光纤焦比退化测量精度方法的研究,提出了一种基于四象限探测器的光纤焦比退化的测量方法。该方法是光纤的出射光斑打到四象限探测器上,通过偏转镜扫描四象限探测器靶面,获得探测器上的光斑位置灵敏度,间接获得出射光斑实际尺... 为开展提高光纤焦比退化测量精度方法的研究,提出了一种基于四象限探测器的光纤焦比退化的测量方法。该方法是光纤的出射光斑打到四象限探测器上,通过偏转镜扫描四象限探测器靶面,获得探测器上的光斑位置灵敏度,间接获得出射光斑实际尺寸,进而得出光纤的焦比退化。并对光斑位置灵敏度与光斑半径的关系进行了分析,同时探究了四象限探测器的沟道宽度对光纤焦比退化的影响。 展开更多
关键词 焦比退化 光纤 四象限探测器 沟道宽度
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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学性能研究 被引量:1
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作者 郭晓晴 《中国新技术新产品》 2016年第19期13-14,共2页
非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速,而非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)更是凭借其电学特性的优良以及高可见光透过率而成为研究的热点。本文综述了a-IGZO TFT与非晶硅TFT(a-Si∶H)在载流子迁移率、亚阈值摆幅等... 非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速,而非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)更是凭借其电学特性的优良以及高可见光透过率而成为研究的热点。本文综述了a-IGZO TFT与非晶硅TFT(a-Si∶H)在载流子迁移率、亚阈值摆幅等电学特性方面产生较大差异的原因,并且探究了a-IGZO TFT的沟道宽度对其电学性能的影响。 展开更多
关键词 a-IGZO TFT 电学特性 沟道宽度
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Impact of Channel Length and Width for Charge Transportation of Graphene Field Effect Transistor
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作者 Kamal Hosen Md.Rasidul Islam Kong Liu 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第6期757-763,I0003,共8页
The effect of channel length and width on the large and small-signal parameters of the graphene field effect transistor have been explored using an analytical approach.In the case of faster saturation as well as extre... The effect of channel length and width on the large and small-signal parameters of the graphene field effect transistor have been explored using an analytical approach.In the case of faster saturation as well as extremely high transit frequency,the graphene field effect transistor shows outstanding performance.From the transfer curve,it is observed that there is a positive shift of Dirac point from the voltage of 0.15 V to 0.35 V because of reducing channel length from 440 nm to 20 nm and this curve depicts that graphene shows ambipolar behavior.Besides,it is found that because of widening channel the drain current increases and the maximum current is found approximately 2.4 mA and 6 mA for channel width 2μm and 5μm respectively.Furthermore,an approximate symmetrical capacitance-voltage(C-V)characteristic of the graphene field effect transistor is obtained and the capacitance reduces when the channel length decreases but the capacitance can be increased by raising the channel width.In addition,a high transconductance,that demands high-speed radio frequency(RF)applications,of 6.4 mS at channel length 20 nm and 4.45 mS at channel width 5μm along with a high transit frequency of 3.95 THz have been found that demands high-speed radio frequency applications. 展开更多
关键词 GRAPHENE Graphene field effect transistor Large signal Small-signal Channel length Channel width
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宽温超高频双极静电感应晶体管研制
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作者 丛众 王荣 +2 位作者 吴春瑜 闫东梅 王大奇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期24-27,共4页
描述了宽温超高频pnp双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明,环境温度从23℃升到180℃时,器件的hFE随温度平均变化率小于40%,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善30%。
关键词 双极静电感应 本征栅势垒 沟道宽度 BSIT 晶体管
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Long-Term Impact of Extra Sediment on Notches and Incised Meanders in the Hoshe River, Taiwan
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作者 Su-Chin CHEN Chun-Hung WU +1 位作者 Yi-Chiung CHAO Pei-Yu SHIH 《Journal of Mountain Science》 SCIE CSCD 2013年第5期716-723,共8页
The extra sediment load induced by typhoons and rainstorms in the Heshe River, Taiwan, are the principal reason for severe sediment-related disasters. The total sediment load during Typhoon Morakot in 9009 was 31 x lo... The extra sediment load induced by typhoons and rainstorms in the Heshe River, Taiwan, are the principal reason for severe sediment-related disasters. The total sediment load during Typhoon Morakot in 9009 was 31 x lo6 m3, accounting for 95% of the annual sediment discharge. Large amounts of sediment load entered the Hoshe River, causing the braiding index (BI) to increase. Subsequently, the BI became positively correlated with the channel width in the Hoshe River. The specific typhoon and rainstorm events decreased after Typhoon Morakot, the sediment input decreased, inducing the fluvial morphology of the braided river to develop into a meandering river. The extra sediment load induced the deposition depth to increase and produce a headward deposition in the main channel and its tributaries. In addition, the river bend and the topographical notch restrained the sediment from moving downstream and being stored locally, indirectly increasing the erosion density of the river banks from 2.5 to lo.5 times. 展开更多
关键词 Extra sediment load River morphology Braiding index
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CMOS 6管静态存储单元晶体管尺寸的估算
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作者 苏进 王标 +1 位作者 张瑾 刘声雷 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1215-1218,共4页
文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵列的数据输出延迟最小的估算方法;利用Matlab求解得到一个非线性方程;该方法适用于不同的存储阵列和特征尺... 文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵列的数据输出延迟最小的估算方法;利用Matlab求解得到一个非线性方程;该方法适用于不同的存储阵列和特征尺寸,可以快速地估算出晶体管沟道宽度,为设计存储器单元版图时提供了方便。 展开更多
关键词 静态存储器 特征尺寸 沟道宽度 存储阵列 延迟 萨方程
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沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响
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作者 苏晶 莫昌文 刘玉荣 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1046-1050,共5页
用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的... 用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。 展开更多
关键词 沟道宽度 氧化锌 薄膜晶体管
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沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响
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作者 邵立汉 夏同生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期420-425,共6页
关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下... 关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下对于器件电击穿和热积累的影响。研究结果表明,随着器件宽度的增加,标志着二次击穿开始发生的"快回"电压Vt1会明显降低,因此在HPM注入下,较大宽度的器件将有更多的时间处于击穿区域;同时,高功率微波引起热集聚效应在大沟道宽度器件中将更加显著,其内部的峰值温度大于沟道宽度较小的器件。提出了一种新型的轻掺杂漏极结构,能够改善器件内部沿宽度方向上的热扩散条件,减小器件内部的峰值温度,并可提高器件的Vt1,进而提高器件在HPM下的稳定性。 展开更多
关键词 高功率微波 沟道宽度 快回电压 热积累 轻掺杂漏极
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沟道宽度对有机静电感应三极管工作特性的影响
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作者 袁巍 王东兴 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2007年第6期55-57,共3页
对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工... 对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响.在恒定栅压和漏压下,宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱,沟道内势垒降低,从而导致工作电流的增大.该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据. 展开更多
关键词 有机静电感应晶体管 有限元法 电势分布 沟道宽度 MARC
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窄陡型泥石流沟特征研究 被引量:4
17
作者 赵宾杰 余斌 +1 位作者 常鸣 杨凌崴 《泥沙研究》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期61-67,40,共8页
汶川震区分布着大量的窄陡型泥石流沟,在强降雨作用下易形成突发性泥石流灾害。在实地调查的基础上,通过对169条泥石流沟地形参数统计分析,从窄陡型泥石流沟的“窄”、“陡”基本特征出发,重点研究流通区沟道宽度、流通区及形成区沟床... 汶川震区分布着大量的窄陡型泥石流沟,在强降雨作用下易形成突发性泥石流灾害。在实地调查的基础上,通过对169条泥石流沟地形参数统计分析,从窄陡型泥石流沟的“窄”、“陡”基本特征出发,重点研究流通区沟道宽度、流通区及形成区沟床平均纵比降,获得窄陡泥石流沟具体参数为:形成区和流通区平均纵比降大于250‰;流通区最大宽度不超过40 m且流通区最小宽度不超过10 m,当不满足这两个宽度条件时,若其流通区平均宽度小于20 m,也确定为窄陡型沟道;在此基础上总结窄陡型泥石流沟降雨特征及物源特征,可为泥石流类型认识及窄陡型泥石流灾害研究提供参考。 展开更多
关键词 沟床平均纵比降 流通区沟道宽度 窄陡型泥石流沟
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电学法测量晶体管有效沟长沟宽初探
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作者 文俊 唐云 《微电子技术》 1997年第1期36-38,共3页
本文分析了用直流测量法提取MOS晶体管的有效沟长、有效沟宽的基本原理与方法,制作一组W相同,L不同;L相同,W不同的MOS晶体管,进行△L、△W的提取,误差控制在0.05μm。
关键词 有效沟道长度 有效沟道宽度 MOS 集成电路
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