期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
金刚石基底上制备(002)AlN薄膜的研究 被引量：2
1
作者 古少杰 杨保和 +2 位作者 张明伟 崔健 李翠平 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1114-1119,共6页
首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具... 首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具有很高的金刚石相纯度,且晶粒排列紧密;继而采用射频磁控反应溅射法,在抛光的金刚石基底上成功制备了高C轴择优取向的氮化铝(AlN)薄膜,研究了不同的溅射气压、靶基距对AlN薄膜制备的影响,XRD检测结果表明,溅射气压低,靶基距短,有利于AlN(002)面择优取向,相反则更有利于AlN薄膜的(103)面和(102)面择优取向;研究了AlN薄膜在以N终止的金刚石基底和纯净金刚石基底两种表面状态上的生长机制,结果发现,以N终止的金刚石基底非常有利于AlN(002)面择优取向生长;从Al-N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度,探讨了其对AlN薄膜择优取向的影响。 展开更多
关键词 氮化铝(aln)薄膜 择优取向 金刚石 化学键 平均自由程
原文传递
靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响 被引量：2
2
作者 王进 李翠平 +3 位作者 杨保和 张庚宇 尹涛涛 苏林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1519-1524,共6页
采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,... 采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。 展开更多
关键词 氮化铝(aln)薄膜 靶基距 射频(RF)磁控 择优取向
原文传递
大面积均匀平坦纳米AlN薄膜的研制
3
作者 朱宇清 陈希明 +2 位作者 李福龙 李晓伟 杨保和 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1739-1744,共6页
采用射频磁控溅射法,通过优化沉积工艺,在n型(100)Si片上制备出(100)择优取向表面粗糙度均匀的氮化铝(AlN)薄膜。当溅射功率为120 W和N2∶Ar=12∶8时,制备的AlN薄膜的结晶性最好,101.6mm AlN薄膜样品的表面粗糙度为3.31-3.03nm,平均值为... 采用射频磁控溅射法,通过优化沉积工艺,在n型(100)Si片上制备出(100)择优取向表面粗糙度均匀的氮化铝(AlN)薄膜。当溅射功率为120 W和N2∶Ar=12∶8时,制备的AlN薄膜的结晶性最好,101.6mm AlN薄膜样品的表面粗糙度为3.31-3.03nm,平均值为3.17nm。研究结果表明:射频磁控溅射能量和N2浓度是实现大面积、均匀平坦、纳米级AlN薄膜的重要制备工艺参数。 展开更多
关键词 氮化铝（aln）薄膜 声表面波（SAW） 表面粗糙度 均匀性
原文传递
恒定气压下流量对溅射AlN薄膜结构性能的影响
4
作者 杨杰 马晋毅 +2 位作者 杜波 徐阳 石玉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期217-220,共4页
研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入... 研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入气体流量对薄膜应力、结晶质量、表面形貌及粗糙度和薄膜沉积速率均有影响。当通入气体流量为10cm3/min时,AlN薄膜呈明显的压应力,结晶质量较差。增加通入气体流量降低了薄膜沉积速率和增加了表面粗糙度,但有利于减小薄膜的压应力和提高薄膜的结晶质量。本实验条件下得出的溅射AlN薄膜的最佳流量条件为50cm3/min。 展开更多
关键词 溅射 氮化铝(aln)薄膜 通人气体流量 结构特性
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部