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硅表面上构筑具有化学特性的图形的新方法 被引量:5
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作者 吴瑞阁 欧阳贱华 +3 位作者 赵新生 黄小华 黄惠忠 吴念祖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第10期931-935,共5页
为了在硅基底上得到不同化学基团修饰的图形,在氢终止硅(lll)表面运用光刻技术和光化学反应结合来控制表面成膜反应的位置,并用AFM、XPS、接触角测定等验证了这种方法的可行性.
关键词 单层膜 分子构筑 光刻 图形 硅表面 表面成膜反应 终止 化学修饰
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氢终止金刚石表面的形成机理 被引量:1
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作者 刘金龙 刘盛 +8 位作者 郭建超 化称意 陈良贤 魏俊俊 黑立富 王晶晶 冯志红 刘青 李成明 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1741-1746,共6页
为考察金刚石形成氢终止表面的反应机制,采用微波氢等离子体处理以及电阻丝氢气气氛加热处理进行对比研究.利用光发射谱(OES)和漫反射傅里叶变换红外光谱(DRIFTS)分别表征了微波氢等离子体中的活性基团和金刚石表面氢终止浓度.结果表明... 为考察金刚石形成氢终止表面的反应机制,采用微波氢等离子体处理以及电阻丝氢气气氛加热处理进行对比研究.利用光发射谱(OES)和漫反射傅里叶变换红外光谱(DRIFTS)分别表征了微波氢等离子体中的活性基团和金刚石表面氢终止浓度.结果表明,微波氢等离子体环境下,随着衬底温度、等离子体密度和能量的增加,温度至700°C(800 W/3 k Pa)时,等离子体中出现了明显的CH基团;相应地,金刚石表面氢终止浓度随温度、等离子体密度和能量的增加而增加.采用氢气气氛下电阻丝加热的方法同样形成了氢终止金刚石表面,表明微波等离子体处理金刚石表面形成氢终止主要源于由温度控制的表面化学反应,而非等离子体的物理刻蚀作用.氧终止金刚石表面形成氢终止的机制是表面C=O键在高于500°C时分解为CO,相应的悬挂键由氢原子或氢分子占据. 展开更多
关键词 微波等离子体 金刚石 终止 终止
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烯烃分子在氢终止Si(100)-2×1表面的自由基链反应
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作者 延辉 苑世领 刘成卜 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第1期8-12,共5页
应用密度泛函理论(DFT)和从头计算分子动力学方法(abinitioMD)研究了不饱和烯烃在氢终止的Si(100)-2×1表面的自由基链反应.计算表明,自由基链反应中重要的一步是烷烃链自由基的氢抽提过程,硅表面上邻近位置(the nearest neighbor,... 应用密度泛函理论(DFT)和从头计算分子动力学方法(abinitioMD)研究了不饱和烯烃在氢终止的Si(100)-2×1表面的自由基链反应.计算表明,自由基链反应中重要的一步是烷烃链自由基的氢抽提过程,硅表面上邻近位置(the nearest neighbor,NN)的氢抽提比次邻近位置(thenext-nearest neighbor,NNN)的氢抽提有一稍低的能垒.从头算分子动力学显示,过渡态的烷烃自由基与氢终止Si(100)-2×1表面上的氢原子能够很容易形成C—H键,完成一个氢抽提过程,同时在硅表面产生下一个孤电子,继续引发链反应. 展开更多
关键词 从头算分子动力学 终止 自由基链反应 抽提
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用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面
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作者 李晴 胡晓晖 林彰达 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第1期11-15,共5页
本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si(111)表面的化学处理方法,用这种方法得到的表面,可以用低能电子衍射谱仪(LEED)进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器,作品可加热到800℃以上,亦可冷却到液... 本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si(111)表面的化学处理方法,用这种方法得到的表面,可以用低能电子衍射谱仪(LEED)进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器,作品可加热到800℃以上,亦可冷却到液氮温度。文中对氢终止Si(111)表面的研究的初步结果作一概述,给出了表面覆盖氢化物的LEED研究证据。 展开更多
关键词 衍射 终止 LEED 表面
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十八烯反应膜的制备及其微观摩擦学性能研究 被引量:1
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作者 周金芳 任忠海 杨生荣 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期399-401,共3页
通过紫外激发在氢终止的单晶硅表面制得了十八烯的反应膜 ,并采用接触角测定仪、红外光谱仪、椭圆偏光仪及原子力显微镜等表征了薄膜的结构和摩擦学特性 .结果表明 ,在紫外光照射下 ,十八烯在硅表面通过键合生成有序反应膜 。
关键词 微观摩擦学性能 十八烯 反应膜 终止硅表面 AFM 微型机械
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