拓扑半金属及磁性拓扑材料的单晶生长

1

作者 王欢 何春娟 +9 位作者 徐升 王义炎 曾祥雨 林浚发 王小艳 巩静 马小平 韩坤 王乙婷 夏天龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期307-337,共31页

拓扑材料因具有新奇物理特性受到广泛关注,这些材料一方面为基础物理研究提供了新的平台,另一方面在以拓扑物理为基础发展的器件研究方向上展现出潜在应用价值.凝聚态领域对于拓扑材料相关物理问题的研究主要通过两种方式开展:一是在已... 拓扑材料因具有新奇物理特性受到广泛关注,这些材料一方面为基础物理研究提供了新的平台,另一方面在以拓扑物理为基础发展的器件研究方向上展现出潜在应用价值.凝聚态领域对于拓扑材料相关物理问题的研究主要通过两种方式开展:一是在已知的拓扑材料中不断挖掘新的实验现象和物理问题;二是不断预言和探索发现新型拓扑材料体系并开展合成.无论哪种方式,高质量单晶的获得都至关重要,它为角分辨光电子能谱、扫描隧道显微谱和磁场下的量子振荡等实验研究提供了前提保障.本文总结了拓扑材料的分类和发展,基于本研究组近些年开展的工作介绍了助溶剂法、气相输运法这两种拓扑材料单晶生长中常用的方法,并详细介绍了拓扑物性研究领域几类典型的拓扑材料及其生长方法,如拓扑绝缘体/拓扑半金属、高陈数手性拓扑半金属和磁性拓扑材料等. 展开更多

关键词 拓扑材料 晶体生长 助溶剂法 气相输运法

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磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究 被引量：4

2

作者 曹新玲 朱世富 +5 位作者 赵北君 陈宝军 何知宇 王志超 张建强 杨登辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期558-562,共5页

两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的合成产物,进行X射线衍射(XRD)和能谱色散分析(EDS),结果表明:ZnGeP2多晶合成过程的中间生成物主要为Zn... 两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的合成产物,进行X射线衍射(XRD)和能谱色散分析(EDS),结果表明:ZnGeP2多晶合成过程的中间生成物主要为Zn3P2、ZnP2和GeP等。根据分析结果,对合成工艺进行了改进,合成出外观完整、内部致密的ZnGeP2多晶锭。用XRD进行分析,结果表明:改进工艺后合成的是高纯单相ZnGeP2多晶材料,为高质量单晶体生长奠定了可靠基础。 展开更多

关键词 磷锗锌 气相输运法 中间生成物

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垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体 被引量：2

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作者 赵欣 金应荣 朱兴华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期428-431,共4页

碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种... 碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体. 展开更多

关键词 碘化铅 气相输运法 垂直布里奇曼法 多晶体 单晶体生长

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铌硒化合物单晶的制备及其I-V曲线的测试 被引量：1

4

作者 王洪涛 《物理测试》 CAS 2004年第6期26-27,共2页

用气相输运法成功制备出了铌硒化合物 (NbSe3 )单晶 ,用电子扫描电镜 (SEM )观测发现 :制备出的单晶结晶性很好。另外 ,还对制备出的单晶进行了不同温度下的I V曲线测试。

关键词 铌硒化合物单晶 单晶制备 I-V曲线 电子扫描电镜 气相输运法

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MoS_xSe_(2-x)混合成分二维半导体块材的生长制备与表征

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作者 邱俊 祝祖送 +1 位作者 张宇导 葛韶峰 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期369-372,共4页

针对混合成分二维半导体的研究需求,利用高温箱式炉进行各组分多晶的合成,并在高温三温区管式炉中,利用四氯化碲(TeCl_4)作为输运剂,采用气相输运法(chemical vapor transport,CVT)生长出MoS_xSe_(2-x)混合成分二维半导体块材.将所生长... 针对混合成分二维半导体的研究需求,利用高温箱式炉进行各组分多晶的合成,并在高温三温区管式炉中,利用四氯化碲(TeCl_4)作为输运剂,采用气相输运法(chemical vapor transport,CVT)生长出MoS_xSe_(2-x)混合成分二维半导体块材.将所生长出的块材利用机械剥离法进行剥离,并对剥离出的单层二维材料进行了光致发光(photoluminescence,PL)谱线检测,测得其混合成分对材料特征谱线的影响.结果表明:混合成分材料的光致发光谱线由其组成各组分的谱线叠加而成,并且叠加时近似按混合成分比例代数叠加. 展开更多

关键词 混合成分二维半导体 气相输运法 混合成分比例 特征谱线

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SiC单晶生长的热场模拟及其在籽晶固定方面的应用 被引量：9

6

作者 杨立文 李翠 +1 位作者 蒋秉轩 杨志民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期76-81,共6页

热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用。实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长的晶体质量下降。经分析可知,籽晶固定过程中籽晶背面形成的气孔是造成晶体生长表面起伏不平的主要因素。... 热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用。实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长的晶体质量下降。经分析可知,籽晶固定过程中籽晶背面形成的气孔是造成晶体生长表面起伏不平的主要因素。热场模拟发现,在籽晶背面有气孔处,籽晶生长面温度较高。气孔宽度、籽晶厚度及粘结剂厚度影响籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差。减小气孔、增厚籽晶可有效减小籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差,是改善晶体生长面质量的两个有效途径。 展开更多

关键词 物理气相输运法 SIC单晶 热场模拟 籽晶固定

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ZnSe单晶生长及性能研究 被引量：5

7

作者 卢利平 刘景和 +3 位作者 李建立 万玉春 张亮 曾繁明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期215-218,共4页

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测... 采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。 展开更多

关键词 ZnSe单晶 物理气相输运法 高压坩埚下降法 透过率 吸收系数 发光效率

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二维层状In_(2)Se_(3)材料的快速制备及结构特性研究

8

作者 俞书昕 金泽辛 +3 位作者 陈容 李韬 祖翔宇 吴海飞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第10期1787-1792,共6页

In_(2)Se_(3)二维层状材料具有优异的光电、热电和铁电特性。目前In_(2)Se_(3)二维层状材料大部分通过对化学气相输运(CVT)法制备的块体In_(2)Se_(3)进行机械剥离获得,CVT法制备工艺复杂、制备时间长、成本高,与之相比,布里奇曼(B-S)法... In_(2)Se_(3)二维层状材料具有优异的光电、热电和铁电特性。目前In_(2)Se_(3)二维层状材料大部分通过对化学气相输运(CVT)法制备的块体In_(2)Se_(3)进行机械剥离获得,CVT法制备工艺复杂、制备时间长、成本高,与之相比,布里奇曼(B-S)法具有制备工艺简单、制备效率高、成本低的优势。为此,本文对CVT法和B-S法制备的块体In_(2)Se_(3)分别进行了机械剥离,并转移到SiO_(2)/Si(111)基底,获得了相应的二维层状In_(2)Se_(3)样品。同时利用原子力显微镜(AFM)、激光拉曼和X射线衍射(XRD)对两样品进行表面形貌、晶格振动谱和结晶质量的测量,发现用B-S法制备、剥离的样品具有与CVT法制备、剥离样品几乎相同的表面原子级平整度和单晶结晶质量。本文为高质量二维层状In_(2)Se_(3)材料的获得提供了更为经济实用的途径。 展开更多

关键词 In_(2)Se_(3) 二维层状材料 机械剥离 化学气相输运法 布里奇曼法

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碘输运剂对CVT法制备ZnSe单晶的性能影响研究 被引量：3

9

作者 刘翠霞 坚增运 +1 位作者 罗贤 王宇鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期866-869,共4页

采用I2作为输运剂，以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能，借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分。结果表明：I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响，... 采用I2作为输运剂，以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能，借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分。结果表明：I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响，通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体，确定出当I2含量为4mg／cm3时，所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量，其晶格常数为5．668nm。测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1：0．99，且只有1个衍射峰（2θ=-27．2°），其晶面指数为（111）。SEM图像表面比较平滑，没有明显气孔。在此条件下，ZnSe晶体的红外透过性能最好，红外透过率为53．07％-62．61％。其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差，XRD图谱显示有多个衍射峰，SEM图像表面凹凸不平，有明显气泡和孔洞，并且其红外透过率较低。 展开更多

关键词 ZnSe晶体 化学气相输运法 碘输运剂

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Cr2＋：ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能 被引量：3

10

作者 刘长友 介万奇 +3 位作者 张滨滨 査钢强 王涛 谷智 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1382-1386,共5页

采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019... 采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。 展开更多

关键词 硒化锌 Cr2+掺杂 物理气相输运法

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ZnSe晶体的气相法制备和性能研究 被引量：3

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作者 刘翠霞 坚增运 朱满 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期20-22,共3页

采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,... 采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体。 展开更多

关键词 ZnSe晶体 化学气相输运法 晶体结构 形貌

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大尺寸碳化硅单晶生长环境研究 被引量：2

12

作者 李鹏程 冯显英 +2 位作者 李沛刚 李慧 宗艳民 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第5期672-677,共6页

针对基于物理气相输运法的碳化硅(SiC)单晶生长系统,考虑对流换热的影响建立了传热与传质数学模型,并采用数值模拟的方法研究了其生长系统内的温度场与气相流场。研究表明:坩埚内温度、温度梯度以及加热效率随线圈匝间距与线圈直径的增... 针对基于物理气相输运法的碳化硅(SiC)单晶生长系统,考虑对流换热的影响建立了传热与传质数学模型,并采用数值模拟的方法研究了其生长系统内的温度场与气相流场。研究表明:坩埚内温度、温度梯度以及加热效率随线圈匝间距与线圈直径的增加而逐渐降低。旋转坩埚可有效解决因线圈螺旋形状而导致的温度场不均匀性。通过不断调整线圈与坩埚之间的相对高度,可保证高品质晶体生长所需的最优温度场环境。此外,坩埚内径尺寸的增加,会加剧其内部自然对流效应。 展开更多

关键词 物理气相输运法 碳化硅 数值模拟 温度场 气相流场

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体块氧化锌单晶生长的研究进展 被引量：1

13

作者 张素芳 姚淑华 +1 位作者 王继扬 宋伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期325-330,共6页

氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助... 氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZnO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理。介绍了体块ZnO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响。 展开更多

关键词 氧化锌单晶 化学气相输运法 水热法 助熔剂法 缺陷

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CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究 被引量：2

14

作者 李寒松 李焕勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期290-293,297,共5页

本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40%～42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好... 本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40%～42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3×109Ω.cm。 展开更多

关键词 化学气相输运法 ZnSe单晶 光电特性 透过率 电阻率

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CVT法生长GaP多晶 被引量：1

15

作者 王向阳 何莉 +2 位作者 田鸿昌 东艳萍 蔡以超 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期860-862,共3页

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶。设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了CaP在管壁的生长。生长出的GaP多晶相对密度为98％,红外透过率达到30％,努普硬度为611kg／mm2... 阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶。设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了CaP在管壁的生长。生长出的GaP多晶相对密度为98％,红外透过率达到30％,努普硬度为611kg／mm2。散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙。 展开更多

关键词 化学气相输运法 磷化镓多晶 晶体生长 红外窗口材料 半导体材料

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三元钯基碲化物的单晶生长和电输运性质

16

作者 邱航强 谢晓萌 +3 位作者 刘艺 李玉科 许晓峰 焦文鹤 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第22期290-298,共9页

三元过渡金属硫属化物是一类兼具低维结构和强关联电子的系列化合物,依其不同构成呈现出丰富多彩的电子基态.在硫属元素(S,Se,Te)中,Te具有比S和Se更小的电负性和更大的原子质量,因而过渡金属碲化物呈现出与硫化物和硒化物不同的晶体结... 三元过渡金属硫属化物是一类兼具低维结构和强关联电子的系列化合物,依其不同构成呈现出丰富多彩的电子基态.在硫属元素(S,Se,Te)中,Te具有比S和Se更小的电负性和更大的原子质量,因而过渡金属碲化物呈现出与硫化物和硒化物不同的晶体结构、电子结构和物理性质.三元过渡金属碲化物中陆续被发现新超导体Ta_(4)Pd_(3)Te_(16)和Ta_(3)Pd_(3)Te_(14),拓扑狄拉克半金属TaTMTe_(5)(TM=Pd,Pt,Ni)等,进一步拓展了碲化物家族的物性研究,为该材料体系的潜在应用探究奠定了基础.本文首先介绍了利用自助熔剂法和化学气相输运法生长4种三元钯基碲化物(Ta_(4)Pd_(3)Te_(16),Ta_(3)Pd_(3)Te_(14),TaPdTe_(5)和Ta_(2)Pd_(3)Te_(5))单晶的详细方案,并给出了化学气相输运法生长Ta_(2)Pd_(3)Te_(5)的化学反应方程式.生长出的Ta_(4)Pd_(3)Te_(16)和Ta_(3)Pd_(3)Te_(14)晶体的超导转变宽度仅分别为0.57 K和0.13 K,通过电阻数据拟合,得到了拓扑绝缘体Ta_(2)Pd_(3)Te_(5)晶体的能隙值为23.37 meV.最后,本文对利用自助熔剂法生长上述4种三元钯基碲化物晶体的生长条件和规律进行了对比分析和讨论,可以为采用类似方法生长其他过渡金属碲化物晶体提供启发和借鉴. 展开更多

关键词 三元钯基碲化物 单晶生长 助熔剂法 化学气相输运法

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FeSi_2单晶化学气相生长 被引量：1

17

作者 李延春 孙力玲 +7 位作者 曹立民 赵建华 王文魁 李延春 王海燕 南云 高振山 王文魁 《中国科学（A辑）》 CSCD 北大核心 2002年第10期907-911,共5页

利用化学气相输运方法,以碘作为传输剂,在封闭的石英安瓿中制备出了优质新型的光电及热电半导体材料β-FeST2单晶。在大量实验基础上深入研究了生长工艺对单晶质量、形态的影响,除了得到大尺寸针状β-FeSi2单晶外,还获得了大尺寸颗粒状... 利用化学气相输运方法,以碘作为传输剂,在封闭的石英安瓿中制备出了优质新型的光电及热电半导体材料β-FeST2单晶。在大量实验基础上深入研究了生长工艺对单晶质量、形态的影响,除了得到大尺寸针状β-FeSi2单晶外,还获得了大尺寸颗粒状单晶.通过改变衬底温度,得到了四面体柱状优质的α-FeSi2单晶. 展开更多

关键词 β-FeSi2单晶 α-FeSi2单晶 化学气相输运法 传输剂 相结构 半导体材料

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常压化学气相输运法合成Zn_(1-x)Co_xO晶体 被引量：1

18

作者 蔡淑珍 李志强 +2 位作者 徐丽云 郑一博 韦志仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期565-568,共4页

本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{... 本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑。在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构。X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构。X光能谱(EDS)测量表明ZnO晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加。 展开更多

关键词 化学气相输运法 蓝宝石 石英 Zn1-xCoxO晶体

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Co掺杂对化学气相输运法合成ZnO形貌影响

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作者 李志强 徐丽云 +3 位作者 赵起 郑一博 韦志仁 侯志青 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1211-1214,共4页

采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{... 采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{0001}和正极面c{0001},随着Co掺入量的增加得到的Zn1-xCoxO晶体表面趋于光滑,晶体六棱结构趋于不对称,锥面面积减小,极性生长特性减弱。Zn1-xCoxO晶体的X射线能谱图显示Co的掺入量与原料配比中Co的量几乎成正比,Co可以大比例掺入ZnO晶体中。 展开更多

关键词 化学气相输运法 蓝宝石 Zn1-xCoxO晶体

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制备CdSiP_2单晶体的研究进展

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作者 杨辉 王茂州 曾体贤 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期202-206,共5页

磷硅镉(CdSiP_2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学晶体材料。自上世纪60年代末期,人们尝试采用卤素辅助气相输运和锡熔液生长法生长CdSiP_2晶体,但得到的晶体尺寸小、质量差,不能满足器件制备的要求。水平梯度冷凝法虽然可以生... 磷硅镉(CdSiP_2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学晶体材料。自上世纪60年代末期,人们尝试采用卤素辅助气相输运和锡熔液生长法生长CdSiP_2晶体,但得到的晶体尺寸小、质量差,不能满足器件制备的要求。水平梯度冷凝法虽然可以生长较大尺寸晶体,对生长技术和设备条件的要求较高,生长环境不稳定,无法解决化学计量偏离和孪晶缺陷等的问题。近年来,采用布里奇曼法获得了尺寸较大、质量较好的CdSiP_2单晶体,为激光频率转换器件的制备奠定了基础,但晶体性质参数的缺乏、生长工艺的不成熟与难以避免的宏观缺陷严重制约了器件的应用,也是亟待解决的问题。 展开更多

关键词 CdSiP2晶体 卤素辅助气相输运法 锡熔液生长法 水平梯度冷凝法

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