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MEMS芯片正面结构释放时的保护
被引量：
1
1
作者
张筱朵
秦明
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2007年第4期335-338,共4页
提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复...
提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合,可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下,同时完成正面MEMS结构释放.具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点.
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关键词
MEMS后处理
正面
腐蚀
正面
保护
正面
结构释放
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职称材料
〈100〉正面开口快速湿法腐蚀释放悬浮结构的研究
2
作者
马铁英
李劲松
梁培
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期58-63,共6页
设计了三种正向开口方式为〈100〉向折线型、长条型、长短条复合型的悬浮膜系。在水浴温度80°C条件下,120min后,〈100〉开口膜系由50%KOH溶液各向异性腐蚀快速释放成形,获得完整无粘连的悬浮结构。在〈100〉快速腐蚀释放原理基础上...
设计了三种正向开口方式为〈100〉向折线型、长条型、长短条复合型的悬浮膜系。在水浴温度80°C条件下,120min后,〈100〉开口膜系由50%KOH溶液各向异性腐蚀快速释放成形,获得完整无粘连的悬浮结构。在〈100〉快速腐蚀释放原理基础上,制备了基于〈100〉开口的测辐射热计与红外热电堆悬浮单元结构。
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关键词
正面
腐蚀
悬浮结构
各向异性
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职称材料
正面腐蚀方法制作新型微机械红外热堆探测器
被引量：
2
3
作者
徐峥谊
熊斌
+1 位作者
王跃林
戈肖鸿
《微细加工技术》
2001年第4期61-64,共4页
阐述了微机械制造工艺制作红外热堆探测器的方法 ,其采用新的正面湿法腐蚀的方法释放体硅 ,获得悬梁结构的红外热堆探测器。该探测器用LPCVD(低压化学气相沉积 )氮化硅膜 ,与热氧化得到的氧化硅膜形成三明治结构作为热偶对的支撑结构 ;...
阐述了微机械制造工艺制作红外热堆探测器的方法 ,其采用新的正面湿法腐蚀的方法释放体硅 ,获得悬梁结构的红外热堆探测器。该探测器用LPCVD(低压化学气相沉积 )氮化硅膜 ,与热氧化得到的氧化硅膜形成三明治结构作为热偶对的支撑结构 ;热偶材料采用多晶硅与金属。
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关键词
微机电系统
红外热堆
正面
腐蚀
法
红外探测器
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职称材料
题名
MEMS芯片正面结构释放时的保护
被引量：
1
1
作者
张筱朵
秦明
机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
出处
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2007年第4期335-338,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476019)
文摘
提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合,可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下,同时完成正面MEMS结构释放.具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点.
关键词
MEMS后处理
正面
腐蚀
正面
保护
正面
结构释放
Keywords
MEMS post-processing
front-side etching
front-side protection
protection of pad on chip
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
〈100〉正面开口快速湿法腐蚀释放悬浮结构的研究
2
作者
马铁英
李劲松
梁培
机构
中国计量学院光学与电子科技分院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期58-63,共6页
基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61006051)
国家自然科学基金资助项目(60878024)
文摘
设计了三种正向开口方式为〈100〉向折线型、长条型、长短条复合型的悬浮膜系。在水浴温度80°C条件下,120min后,〈100〉开口膜系由50%KOH溶液各向异性腐蚀快速释放成形,获得完整无粘连的悬浮结构。在〈100〉快速腐蚀释放原理基础上,制备了基于〈100〉开口的测辐射热计与红外热电堆悬浮单元结构。
关键词
正面
腐蚀
悬浮结构
各向异性
Keywords
front-etched
suspending structure
anisotropic
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
正面腐蚀方法制作新型微机械红外热堆探测器
被引量：
2
3
作者
徐峥谊
熊斌
王跃林
戈肖鸿
机构
中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点联合实验室
出处
《微细加工技术》
2001年第4期61-64,共4页
基金
国家重点基础研究发展规划项目 (GI9990 3310 1)
文摘
阐述了微机械制造工艺制作红外热堆探测器的方法 ,其采用新的正面湿法腐蚀的方法释放体硅 ,获得悬梁结构的红外热堆探测器。该探测器用LPCVD(低压化学气相沉积 )氮化硅膜 ,与热氧化得到的氧化硅膜形成三明治结构作为热偶对的支撑结构 ;热偶材料采用多晶硅与金属。
关键词
微机电系统
红外热堆
正面
腐蚀
法
红外探测器
Keywords
MEMS
infrared thermopile
front etch
anisotropic etching
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MEMS芯片正面结构释放时的保护
张筱朵
秦明
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2007
1
下载PDF
职称材料
2
〈100〉正面开口快速湿法腐蚀释放悬浮结构的研究
马铁英
李劲松
梁培
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
3
正面腐蚀方法制作新型微机械红外热堆探测器
徐峥谊
熊斌
王跃林
戈肖鸿
《微细加工技术》
2001
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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