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发光二极管中负电容现象的实验研究 被引量：7
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作者 王军 冯列峰 +3 位作者 朱传云 丛红侠 陈永 王存达 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-4,共4页
对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的... 对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。 展开更多
关键词 发光二极管(LEDs) 正向交流(a.c.)特性 负电容(Nc) 电压调制发光(VMEL)
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