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LDO稳压器调整管模块的分析与设计 被引量：1
1
作者 屈志毅 陈刚 朱章华 《西安文理学院学报（自然科学版）》 2008年第1期26-29,共4页
调整管作为LDO线性稳压器的输出功率管是非常关键的模块.本文从LPNP和VPNP的版图和等效电路模型出发分析这两者的电流放大倍数β、集电极最大允许工作电流ICM和饱和压降VCE(SAT),并给出HSPICE的仿真结果,以此来把握LDO调整管模块的设计.
关键词 调整管 横向pnp管 自由集电极纵向pnp管
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一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源 被引量：1
2
作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第7期156-159,共4页
基于横向寄生PNP管，提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响．提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明，基准电压为1．2280V，在—40℃～125℃．典型偏差小于2．7mV，温度... 基于横向寄生PNP管，提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响．提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明，基准电压为1．2280V，在—40℃～125℃．典型偏差小于2．7mV，温度系数为13．9ppm／℃。该带腺具有较好的工艺稳定性，在各工艺角情况下，失调电压小于±25．3mV．比传统带腺相对精度提高了3．3倍。最后，基于0．35μm CMOS工艺实现了该电压基准源。 展开更多
关键词 带隙基准 横向pnp管 失调电压 电流失配
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次表面横向PNP管制作及辐射效应研究
3
作者 赵杰 王清波 +1 位作者 孙有民 温富刚 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期593-596,共4页
依据总剂量辐射对横向PNP(LPNP)管的损伤机理,设计了一种辐射加固的次表面LPNP管。开发了通过高能离子注入工艺实现LPNP管的工艺方法,该工艺与常规双极工艺兼容。总剂量辐射试验结果表明,采用次表面LPNP管制作的LW5101线性稳压器的抗辐... 依据总剂量辐射对横向PNP(LPNP)管的损伤机理,设计了一种辐射加固的次表面LPNP管。开发了通过高能离子注入工艺实现LPNP管的工艺方法,该工艺与常规双极工艺兼容。总剂量辐射试验结果表明,采用次表面LPNP管制作的LW5101线性稳压器的抗辐射能力显著提高。 展开更多
关键词 横向pnp管 抗辐射 高能离子注入
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一种双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：2
4
作者 白欢利 令文生 +1 位作者 姜洪雨 于洪波 《科学技术与工程》 2010年第8期1985-1988,共4页
介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。... 介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真，仿真结果表明，在（-55～125）℃的范围内，基准温漂可达到20×10^-6（ppm）／℃；在（5～26）V的电源电压中，电压线性调整率可达到±1％。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 双极型 超β横向pnp管 线性调整率 负载调整率
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