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40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
被引量：
1
1
作者
郑凯磊
贺光辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第4期100-102,107,共4页
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSM...
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.
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关键词
反向窄沟道效应
器件物理特性
标准单元
库
设计
版图
设计
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职称材料
题名
40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
被引量：
1
1
作者
郑凯磊
贺光辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第4期100-102,107,共4页
文摘
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.
关键词
反向窄沟道效应
器件物理特性
标准单元
库
设计
版图
设计
Keywords
inverse narrow width effect
physical characteristic of device
design of standard cell
layout design
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
郑凯磊
贺光辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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