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极端紫外波段碱卤化物光阴极材料量子效率计算 被引量:7
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作者 李敏 尼启良 陈波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期6894-6901,共8页
为了满足极端紫外波段微通道位敏阳极光子计数探测器研究的需要,研究了碱卤化物光阴极材料的量子效率.由于光阴极材料的光电发射电流主要是由次级电子形成的,给出碱卤化物光阴极材料次级电子发射的理论模型,推导出次级电子产出的计算公... 为了满足极端紫外波段微通道位敏阳极光子计数探测器研究的需要,研究了碱卤化物光阴极材料的量子效率.由于光阴极材料的光电发射电流主要是由次级电子形成的,给出碱卤化物光阴极材料次级电子发射的理论模型,推导出次级电子产出的计算公式,针对光子能量30—250eV范围内,计算并分析了光阴极材料厚度和光入射角对次级电子产出的影响.分析结果显示,光阴极材料厚度大于100nm并且掠入射角大于临界角,是获得高次级电子产出的最佳条件.最后,应用推导的公式分析20种碱卤化物在能量30—250eV范围内次级电子产出的光谱响应特性,特性分析显示,次级电子产出的光谱响应峰值位置在材料的共振吸收波长位置. 展开更多
关键词 极端紫外 碱卤化物 光阴极 次级电子
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电子工艺
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《电子科技文摘》 2003年第10期25-26,共2页
SPIE-Vol.4343 0322409SPIE:会议录,卷4343:新兴光刻技术=Proceedings ofSPIE,Vol.4343:Emerging lithographic technologies[会,英]/SPIE-The International Society for Optical En-gineering.—818P.(E)本会议录收集了在美国 Santa C... SPIE-Vol.4343 0322409SPIE:会议录,卷4343:新兴光刻技术=Proceedings ofSPIE,Vol.4343:Emerging lithographic technologies[会,英]/SPIE-The International Society for Optical En-gineering.—818P.(E)本会议录收集了在美国 Santa Clara 召开的新兴光刻技术会议上发表的88篇论文,内容涉及 Internet 时代的技术,下一代光刻与制造,极端紫外光刻,紫外扫描仪,投影式电子光刻,X 射线光刻,光刻胶,光刻中分子玷污,掩膜纳米级制造,离子光刻。 展开更多
关键词 电子工艺 光刻技术 掩膜 极端紫外 会议录 电子束光刻 紫外扫描仪 光致抗蚀剂 SPIE 投影式
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通用工艺与设备
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《电子科技文摘》 2005年第12期41-53,共13页
05192542002年电解工业报告=Report on the Electrolytic In-dustries for the Year 2002[刊,英]/V.Srinivasan,L.Lipp//Journal d The Electrochemical Society.—2003,150(12).—K15(E)0519255垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究[刊,... 05192542002年电解工业报告=Report on the Electrolytic In-dustries for the Year 2002[刊,英]/V.Srinivasan,L.Lipp//Journal d The Electrochemical Society.—2003,150(12).—K15(E)0519255垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究[刊,中]/谢浩锐//半导体光电.—2005,26(2).—124-127(D)0519256真空吸滤过程影响纸浆模塑制品质量问题的分析[刊,中)/杨广衍//真空.—2005,42(3).—49-50(D) 展开更多
关键词 通用工艺 电子束光刻 掩模 等离子体蚀刻 等离子体刻蚀 LITHOGRAPHY 极端紫外 压铸机 注射成型 溶胶一凝胶
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50nm分辨力极端紫外光刻物镜光学性能研究 被引量:15
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作者 李艳秋 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期865-868,共4页
极端紫外光刻 (EUVL)作为实现 10 0~ 32nm特征尺寸微细加工的优选技术 ,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键。利用光学设计软件CODEV对 6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析 ,其分辨力可以实现 5 0nm ,曝光... 极端紫外光刻 (EUVL)作为实现 10 0~ 32nm特征尺寸微细加工的优选技术 ,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键。利用光学设计软件CODEV对 6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析 ,其分辨力可以实现 5 0nm ,曝光面积为 2 6mm× 1mm。结果表明 ,光学性能对曝光场点的依赖关系。在全曝光场中进行了光学性能分析 ,其最大畸变为 3.77nm ,最大波面差为 0 .0 31λ(均方根值 ) 。 展开更多
关键词 应用光学 光学设计 极端紫外光刻 下一代光刻
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CO_2激光锡等离子体极端紫外及可见光光谱 被引量:2
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作者 吴涛 王新兵 +4 位作者 唐建 王少义 饶志明 杨晨光 卢宏 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期292-297,共6页
利用CO2激光烧蚀锡靶产生等离子体,当入射到靶面的单个脉冲能量为400mJ,半峰全宽(FWHM)为75ns时,使用光谱仪和增强型电荷耦合器件(ICCD)采集了等离子体的时间分辨光谱。在局域热平衡假设下,利用谱线的斯塔克展宽和五条Sn II谱线的相对... 利用CO2激光烧蚀锡靶产生等离子体,当入射到靶面的单个脉冲能量为400mJ,半峰全宽(FWHM)为75ns时,使用光谱仪和增强型电荷耦合器件(ICCD)采集了等离子体的时间分辨光谱。在局域热平衡假设下,利用谱线的斯塔克展宽和五条Sn II谱线的相对强度计算并得到了等离子体电子密度、电子温度和辐射谱线强度随时间的变化规律;利用掠入射极端紫外平场光栅光谱仪,结合X射线CCD同时探测了光源在6.5~16.8nm波段的时间积分极端紫外辐射光谱。实验结果表明:激光点燃等离子体早期的100ns内有很强的连续谱,此后才能分辨出明显的原子和离子线状谱。在延时0.1~2.0μs的时间区间内,等离子体中的电子温度和密度分别在2.3~0.5eV和7.6×1017~1.2×1016 cm-3范围内,均随时间经历了快速下降,然后再较缓慢下降的过程。激光锡等离子体极端紫外不可分辨辐射跃迁光谱峰值中心位于13.5nm,FWHM为1.1nm。 展开更多
关键词 光谱学 激光等离子体 电子密度 电子温度 极端紫外辐射
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最新CPU制造技术
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作者 邱晓光 《科学中国人》 2001年第6期22-23,共2页
在计算机领域,经常会听到制造工艺或制程这个字眼,比如什么0.25、0.18微米工艺,威盛推出的C3(Samuel 2)处理器甚至使用0.13微米工艺呢(中国目前在实验室可做到0.25微米,实际生产可到0.35微米——编者).你有没有想过.如果半导体的制造工... 在计算机领域,经常会听到制造工艺或制程这个字眼,比如什么0.25、0.18微米工艺,威盛推出的C3(Samuel 2)处理器甚至使用0.13微米工艺呢(中国目前在实验室可做到0.25微米,实际生产可到0.35微米——编者).你有没有想过.如果半导体的制造工艺达到物理极限时会怎样?CPU、显卡、声卡芯片都不再提高工作频率,哇,实在是太恐怖了,想想也觉得可怕!幸运的是,这样的事情暂时还不会发生,起码现在的半导体技术的发展还按照摩尔定律在走,根本用不着杞人忧天. 展开更多
关键词 计算机 CPU 制造技术 EUV 极端紫外 光刻 半导体
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等离子体极端紫外线光刻光源技术
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期70-71,共2页
关键词 等离子体光源 极端紫外线 光刻技术 激发能 锡微粒子簇
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双色激光场中极端远紫外超连续谱相干辐射产生 被引量:24
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作者 程亚 徐至展 《物理》 CAS 北大核心 2007年第10期754-757,共4页
通过脉宽为周期量级的超快强场激光脉冲与惰性气体原子的极端非线性相互作用,能够产生单个的阿秒量级的极端远紫外光脉冲。然而,现有的周期量级的激光脉冲的最短脉宽仍在两个光周期左右,尚不足以支持产生脉宽短于100as的单个极端远紫外... 通过脉宽为周期量级的超快强场激光脉冲与惰性气体原子的极端非线性相互作用,能够产生单个的阿秒量级的极端远紫外光脉冲。然而,现有的周期量级的激光脉冲的最短脉宽仍在两个光周期左右,尚不足以支持产生脉宽短于100as的单个极端远紫外脉冲。文章作者首次提出通过在一个周期量级(如6fs)激光脉冲上再叠加一个强度较弱但相对位相精确控制的二倍频激光,能够直接实现单个的65as光脉冲。如进一步经过位相补偿,将有望产生一个脉宽仅为23as的单脉冲,从而将阿秒光脉冲的时间宽度推进到短于一个原子时间单位。 展开更多
关键词 周期量级的超快强场激光脉冲 高次谐波产生 极端紫外超连续谱 阿秒光脉冲
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极端远紫外光刻技术 被引量:4
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作者 谢常青 叶甜春 《半导体情报》 2001年第5期28-32,共5页
半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机... 半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述 。 展开更多
关键词 极端紫外线光刻 半导体工艺 集成电路
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下一代光刻技术 被引量:4
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作者 佟军民 胡松 余国彬 《电子工业专用设备》 2005年第11期27-33,共7页
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
关键词 下一代光刻技术 浸没式光刻技术 极端紫外光刻技术 纳米压印光刻技术 无掩模光刻技术
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Xe^(10+)离子EUV发射谱的理论研究 被引量:2
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作者 沈云峰 高城 曾交龙 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B08期36-38,共3页
利用组态相互作用方法和扭曲波近似方法系统地计算了Xe10+离子的能级、振子强度、辐射跃迁速率以及电子碰撞强度.用得到的原子参数模拟了冕平衡条件下Xe10+离子EUV(Extreme Ultra-violet)波段(5~20nm)的发射谱,发射谱的波长位置和相对... 利用组态相互作用方法和扭曲波近似方法系统地计算了Xe10+离子的能级、振子强度、辐射跃迁速率以及电子碰撞强度.用得到的原子参数模拟了冕平衡条件下Xe10+离子EUV(Extreme Ultra-violet)波段(5~20nm)的发射谱,发射谱的波长位置和相对强度与实验结果符合得较好.研究表明:在较宽的等离子体条件范围内,发射谱的相对强度对温度和密度不敏感. 展开更多
关键词 极端紫外 冕平衡 发射谱
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极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究进展 被引量:1
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作者 曾交龙 高城 袁建民 《物理》 CAS 北大核心 2007年第7期537-542,共6页
现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化,因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外(EUV)光源,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸,氙和... 现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化,因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外(EUV)光源,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸,氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子体EUV光源,对EUV光源的初步应用进行了简单介绍,并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的实验与理论研究进展进行了详细介绍与讨论。目前的理论研究进展表明,统计物理模型还不能很好地预测氙和锑等离子体的发射与吸收光谱,因此迫切需要发展细致能级物理模型,以得到更为精确的等离子体光学性质参数,并用于指导实验设计,提高EUV转换效率。 展开更多
关键词 极端紫外光刻(EUVL) EUV光源 激光、气体放电产生的等离子体EUV光源 EUV光源的发射与吸收性质
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锡和氙离子在13.5nm波长附近的光谱特性
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作者 敬秋民 曾思良 +1 位作者 刘晓菊 王建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1551-1555,共5页
应用多组态Dirac—Foek方法,系统计算了锡(Sn)和氙(Xe)离子在13.5nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率。深入分析了Sn^(7-13)+和Xe^(7-13)+离子跃迁的原子光谱特性,研究了相对论效应和电子关联效应对能级位置和跃迁几率的... 应用多组态Dirac—Foek方法,系统计算了锡(Sn)和氙(Xe)离子在13.5nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率。深入分析了Sn^(7-13)+和Xe^(7-13)+离子跃迁的原子光谱特性,研究了相对论效应和电子关联效应对能级位置和跃迁几率的影响发现,相对论效应和电子关联效应对光谱能量的影响分别为2%和5%。并从光谱特性的角度对比讨论了Sn和Xe作为极端远紫外光源的优劣,发现Sn更有优势。 展开更多
关键词 极端紫外光源 多组态Dirac—Fock方法 辐射跃迁波长 辐射跃迁几率
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拯救芯片工艺的核心
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《中国科技信息》 2003年第7期30-31,共2页
关键词 EUVL 极端紫外光刻工艺 芯片 生产工艺
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日本试制成功耐极端紫外线的掩模与掩模坯料
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期66-66,共1页
关键词 日本保谷公司 试制 半导体 极端紫外线 掩模 掩模坯料
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极端测量
16
作者 刘道军 《世界科学》 2002年第4期36-36,共1页
平版印刷术使用了极端紫外线 。
关键词 芯片制造 物理极限 极端测量技术 极端紫外平版印刷技术
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