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混沌腔体中电场边缘概率分布模型 被引量:1
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作者 庄信武 余志勇 +1 位作者 刘光斌 谭武端 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2791-2796,共6页
为研究有限容量样本下电场分布情况,基于边缘分布理论方法,得到混沌腔体内电场边缘分布模型。该模型在混沌条件下一致性收敛速度快,当样本容量N>10时,最大相对误差收敛于0.004 5。与此同时,利用混响室实测数据及理想波混沌场,对边缘... 为研究有限容量样本下电场分布情况,基于边缘分布理论方法,得到混沌腔体内电场边缘分布模型。该模型在混沌条件下一致性收敛速度快,当样本容量N>10时,最大相对误差收敛于0.004 5。与此同时,利用混响室实测数据及理想波混沌场,对边缘分布模型的有效性进行试验验证,结果表明:该边缘分布模型与样本分布基本重合;无论对单自由度还是3自由度的波混沌场都可以很好地拟合场的分布,优于传统的Weilbull、Rayleigh分布。该模型对有限样本下混沌电场的统计分布规律的描述,具有重要的理论价值和指导意义。 展开更多
关键词 混沌腔体 电场 概率分布 边缘分布 有限容量样本 分布模型
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