为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对In Ga As P/Ga As无铝和Al Ga In As/Al Ga As/Ga As有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-...为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对In Ga As P/Ga As无铝和Al Ga In As/Al Ga As/Ga As有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。展开更多
文摘为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对In Ga As P/Ga As无铝和Al Ga In As/Al Ga As/Ga As有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。
