原位生长高度定向ZnO晶须 被引量：7

1

作者 袁洪涛 张跃 谷景华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期646-650,共5页

采用大气压金属有机化合物化学气相沉积 (AP MOCVD)方法 ,以Zn(C5H7O2 ) 2 为原料 ,在玻璃基片上制备出高度定向的ZnO晶须 .扫描电子显微镜观察发现晶须垂直基片取向生长 ,规则排列 ,长度、形状几乎一致 .晶须直径为10 0nm— 80 0nm ,... 采用大气压金属有机化合物化学气相沉积 (AP MOCVD)方法 ,以Zn(C5H7O2 ) 2 为原料 ,在玻璃基片上制备出高度定向的ZnO晶须 .扫描电子显微镜观察发现晶须垂直基片取向生长 ,规则排列 ,长度、形状几乎一致 .晶须直径为10 0nm— 80 0nm ,长径比为 8— 15 ,尖端曲率半径仅为 5 0nm ,甚至更小 .x射线衍射 (XRD)分析结果表明ZnO晶须为六方晶系纤锌矿结构 ,并沿c轴高度取向 .采用热分析对反应前驱物进行了研究 ,同时也讨论了ZnO生成的化学反应过程 。 展开更多

关键词 氧化锌 晶须 原位生长 取向生长 有机化合物化学气相沉积法 扫描电子显微镜 X射线衍射分析 半导体材料

原文传递

Micro-LED显示器量化生产关键技术 被引量：1

2

作者 蔡克新 《电子工业专用设备》 2021年第3期29-34,共6页

为快速推动Micro-LED显示器产业化发展,结合Micro-LED微显示器的性能特点、制造工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅/蓝宝石衬底的GaN外延生长技术、芯片侧壁原子层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。通过显示产业材料、工艺... 为快速推动Micro-LED显示器产业化发展,结合Micro-LED微显示器的性能特点、制造工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅/蓝宝石衬底的GaN外延生长技术、芯片侧壁原子层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。通过显示产业材料、工艺设备、芯片制造、终端应用全产业链的上下游协同创新,快速突破Micro-LED量化生产关键技术,必将提升Micro-LED的产业化技术能力,带来新一轮显示技术升级换代。 展开更多

关键词 新型平板显示 微缩化发光二极管 有机化合物化学气相沉积 原子层淀积 晶圆键合

下载PDF 职称材料

基于有限体积法的MOCVD系统反应室的设计 被引量：6

3

作者 秦琦 周凯 +2 位作者 莫晓亮 田振夫 陈国荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期457-462,共6页

金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料和激光器、LED等光电子器件的主要手段,制备出的材料和器件的品质直接依赖于MOCVD系统。本文基于有限体积法,利用商业软件Fluent对自行设计的一种MOCVD反应室内的温度... 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料和激光器、LED等光电子器件的主要手段,制备出的材料和器件的品质直接依赖于MOCVD系统。本文基于有限体积法,利用商业软件Fluent对自行设计的一种MOCVD反应室内的温度分布和流场进行数值模拟。希望通过对模拟流场品质的细致分析,对MOCVD反应室的设计和优化起到指导与参考作用。 展开更多

关键词 GAN 金属有机化合物化学气相沉积系统 数值模拟 有限体积法

下载PDF 职称材料

Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展

4

作者 杨学林 沈波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期723-731,共9页

Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制... Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。 展开更多

关键词 Si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积 应力 位错 射频损耗

下载PDF 职称材料

AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响

5

作者 单恒升 李明慧 +4 位作者 李诚科 刘胜威 梅云俭 宋一凡 李小亚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期83-88,124,共7页

本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(... 本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)谱分析表明,与含有AlGaN电子阻挡层的低In组分的量子阱结构太阳能电池外延材料相比,该结构材料具有较小的半峰全宽(FWHM),计算表明:此结构材料的位错密度降低了一个数量级,达到10^(7)cm^(-2);同时,有源区中的应变弛豫降低了51%;此外,此结构材料的发光强度增强了35%。研究结果表明含有AlGaN双势垒结构的外延材料可以减小有源区的位错密度,降低非辐射复合中心的数目,增大有源区有效光生载流子的数目,为制备高质量太阳能电池提供实验依据。 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相沉积 太阳能电池外延材料 AlGaN双势垒结构 InGaN/GaN MQWs 位错密度 光生载流子

下载PDF 职称材料

高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究 被引量：4

6

作者 冯雷 韩军 +4 位作者 邢艳辉 邓旭光 汪加兴 范亚明 张宝顺 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1754-1759,共6页

研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入... 研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入效率饱和。采用AlN过渡层技术,外延生长了表面无裂纹的45%Al组分较厚(100～200nm)AlGaN薄膜材料。所得材料的Al组分与气相Al组分相同,(0002)面X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半高宽(FWHM)为376arcsec,并发现AlN过渡层的质量影响着其上AlGaN材料的Al组分与晶体质量。实验观察到AlGaN材料的表面形貌随着样品中Al组分的增加从微坑主导模式逐步转变为微裂主导模式,采用AlN过渡层可延缓这一转变。 展开更多

关键词 ALGAN 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 相分离 表面形貌 AL组分

原文传递

基于天河二号超算的网格无关性及并行研究 被引量：2

7

作者 徐艺峰 李健 +2 位作者 王杰 范冰丰 王钢 《计算机工程与设计》 北大核心 2018年第7期2036-2041,共6页

以CFD商用软件Fluent 15.0为基础,天河二号超级计算机为平台,ZnO-MOCVD腔体为数值模型,对网格无关性及超算中心的并行计算能力进行研究。通过计算7种不同网格数量的ZnO-MOCVD模型的沉积率,确定网格数量为408万时沉积率结果达到网格无关... 以CFD商用软件Fluent 15.0为基础,天河二号超级计算机为平台,ZnO-MOCVD腔体为数值模型,对网格无关性及超算中心的并行计算能力进行研究。通过计算7种不同网格数量的ZnO-MOCVD模型的沉积率,确定网格数量为408万时沉积率结果达到网格无关性。根据工程需要选取其中两种模型,设置并分析多种并行组合,得出网格数量为17万和408万的MOCVD腔体模型的最佳处理器核数分别为16和128,最大加速比分别可以达到9和45,验证了该软件在天河二号上并行处理的实用性,结果可为后续大规模计算提供参考。 展开更多

关键词 计算流体力学软件(Fluent) 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 天河二号 并行计算 数值模拟

下载PDF 职称材料

PZT薄膜的MOCVD制备技术 被引量：2

8

作者 阮勇 谢丹 +2 位作者 任天令 林惠旺 刘理天 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第1期64-67,共4页

采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术（DLI-MOCVD）制备Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜（PZT薄膜），并进行了相关研究，通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数（温度、压力、系统的气体（Ar，O2）流量、衬底转速、蠕动泵速）... 采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术（DLI-MOCVD）制备Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜（PZT薄膜），并进行了相关研究，通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数（温度、压力、系统的气体（Ar，O2）流量、衬底转速、蠕动泵速），制备不同组分PZT薄膜（均匀性≥±95％，尺寸为2．54—20．32cm（1—8in），厚度为50—500nm）．经XRD测试可见，PZT薄膜已形成钙钛矿结构．用SEM对其表面进行分析，结果表明，PZT薄膜表面致密均匀． 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 锆钛酸铅(PZT) 压电 铁电

下载PDF 职称材料

类金字塔状GaN微米锥的形貌及发光性能 被引量：1

9

作者 仝广运 贾伟 +4 位作者 樊腾 董海亮 李天保 贾志刚 许并社 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期23-29,共7页

三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究。通过金属有机化合物化学气相沉积原位沉积SiN_x掩模层后,首... 三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究。通过金属有机化合物化学气相沉积原位沉积SiN_x掩模层后,首先制备了底面尺寸为8μm、高度7.5μm的类金字塔状GaN微米锥,之后在其半极性面外延生长了3个周期的InGaN/GaN多量子阱。通过阴极荧光测试发现,类金字塔状GaN微米锥的半极性面上不同位置发光波长不同;变功率微区光致发光测试表明,类金字塔状GaN微米锥的半极性面在InGaN/GaN多量子阱沉积之后极化场较弱;对InGaN/GaN多量子阱进行了透射电镜表征,结合阴极荧光光谱的结果最终解释了In原子在类金字塔状GaN微米锥上的迁移机理。利用其半极性面不同位置发光波长不同的结构特点及光学特性,可以制备多波长发射LED。 展开更多

关键词 类金字塔状GaN 微米锥 金属有机化合物化学气相沉积 发光材料 量子点

下载PDF 职称材料

非极性(11-20)a面GaN薄膜MOCVD生长及性质研究 被引量：1

10

作者 杨洪权 史红卫 +1 位作者 胡平 范艾杰 《信息记录材料》 2020年第4期17-19,共3页

本论文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了非极性(11-20)a面GaN薄膜,并利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射系统(HR-XRD)分别深入分析了生长薄膜的表面形貌、晶体质量和结构特性。研究结果表明,... 本论文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了非极性(11-20)a面GaN薄膜,并利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射系统(HR-XRD)分别深入分析了生长薄膜的表面形貌、晶体质量和结构特性。研究结果表明,非极性(11-20)a面GaN薄膜在V/III为600时表面完全合并但存在大量的表面坑,而其在V/III为1200时出现大量的三角形表面坑。而且,V/III比为850~1000时有助于减少该薄膜的表面坑。由于非极性(11-20)a面GaN薄膜的Ga吸附原子扩散长度的各向异性,使其结构在a面内存在各向异性,因此这些薄膜在c和a方向上的XRD摇摆曲线的半高宽值也存在各向异性。另外,Ga原子沿c方向的迁移在相对较高的反应室压力(100 Torr)时被抑制,从而降低了非极性(11-20)a面GaN薄膜的结构各向异性。 展开更多

关键词 非极性 (11-20)a面GaN薄膜 金属有机化合物化学气相沉积 结构各向异性

下载PDF 职称材料

碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器

11

作者 王向武 张岚 +3 位作者 黄子乾 潘彬 李肖 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期219-222,共4页

用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W... 用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器

下载PDF 职称材料

MOCVD原位监测系统的设计与实现

12

作者 徐龙权 许冬 +1 位作者 刘新卫 方颂 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2018年第2期210-213,共4页

设计以TSMF32028335和AD7656为核心的数据采集与处理系统,采用以太网芯片W5300实现开发板与上位机的TCP/IP通信.作为监控端的上位机,采用通过Delphi开发的集数据处理、存储、显示与监控于一体的平台,且具有良好的人机交互界面.应用于自... 设计以TSMF32028335和AD7656为核心的数据采集与处理系统,采用以太网芯片W5300实现开发板与上位机的TCP/IP通信.作为监控端的上位机,采用通过Delphi开发的集数据处理、存储、显示与监控于一体的平台,且具有良好的人机交互界面.应用于自主研发的金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备,测试结果表明:该设计具有采集数据准确、通信快速稳定、人机界面友好、程序运行流畅的特点,完全符合工程控制要求. 展开更多

关键词 原位监测 TSM320F28335 金属有机化合物化学气相沉积 数据采集 数据处理 人机界面

下载PDF 职称材料

选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性

13

作者 杨杭 邢洁莹 +8 位作者 陈伟杰 陈杰 韩小标 钟昌明 梁捷智 黄德佳 侯雅倩 吴志盛 张佰君 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第5期659-664,共6页

选择区域外延生长(SAG)技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中,Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统研究了选择区域外... 选择区域外延生长(SAG)技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中,Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统研究了选择区域外延生长中Ga原子在掩模介质表面上的迁移特性,得到了不同反应腔压力和生长温度下Ga原子在掩模介质表面的迁移长度,且在保持其他生长条件不变的情况下,适当降低反应腔压力或提高生长温度可提高Ga原子的迁移长度。 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相沉积 选择区域外延生长 迁移长度

下载PDF 职称材料

AlGaN缓冲层结构对Si基GaN材料性能的影响

14

作者 邹学锋 王波 +4 位作者 房玉龙 尹甲运 郭艳敏 张志荣 冯志红 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期631-635,共5页

Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)衬底上制备了... Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)衬底上制备了GaN外延材料并研究了不同AlGaN缓冲层结构对Si基GaN外延材料性能的影响,并采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、喇曼光谱以及光学显微镜对制备的GaN材料的性能进行了表征。采用3层AlGaN缓冲层结构制备了表面光亮、无裂纹的GaN外延材料,其(002)晶面半高宽为428 arcsec,表面粗糙度为0.194 nm。结果表明,采用3层AlGaN缓冲层结构可以有效地降低GaN材料的张应力和位错密度,进而遏制表面裂纹的出现,提高晶体质量。 展开更多

关键词 氮化镓 外延 铝镓氮 金属有机化合物化学气相沉积技术(MOCVD) SI衬底

下载PDF 职称材料

国产MOCVD研制成功推动LED灯价格降低

15

《世界电子元器件》 2012年第5期10-10,共1页

中科院LED照明研究所研制成功LED灯芯片制造的关键设备MOCVD，使我国LED设备制造进入一个新的历史阶段。MOCVD即金属有机化合物化学气相沉积，是生产LED灯芯片的关键设备，技术难度极大，目前世界上主要由两家公司垄断，包括德国Aixtro... 中科院LED照明研究所研制成功LED灯芯片制造的关键设备MOCVD，使我国LED设备制造进入一个新的历史阶段。MOCVD即金属有机化合物化学气相沉积，是生产LED灯芯片的关键设备，技术难度极大，目前世界上主要由两家公司垄断，包括德国Aixtron公司与美国的Veeco（Veeco兼并Emcore公司MOCVD业务）两家。 展开更多

关键词 MOCVD LED灯 金属有机化合物化学气相沉积 价格 国产 设备制造 芯片制造 LED照明

下载PDF 职称材料