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基于Halcon的晶圆芯片的缺陷检测技术研究
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作者 李霂 任齐 《机电工程技术》 2024年第11期224-227,共4页
随着人工智能产业的爆发,Ai芯片的需求未来五年有较大的增长率,在生产晶圆芯片的过程中,为了实现提升晶圆芯片的产能和良品率控制,引入机器视觉技术对晶圆芯片的缺陷检测进行了研究,提出了一种基于Halcon的晶圆芯片缺陷检测方法。包括... 随着人工智能产业的爆发,Ai芯片的需求未来五年有较大的增长率,在生产晶圆芯片的过程中,为了实现提升晶圆芯片的产能和良品率控制,引入机器视觉技术对晶圆芯片的缺陷检测进行了研究,提出了一种基于Halcon的晶圆芯片缺陷检测方法。包括硬件和软件两大部分,硬件部分包括工业相机和光源,软件部分包括Halcon相机标定,傅里叶变换从空域到频域的变换、缺陷提取、阈值分割、连通域分析、噪声过滤、计算结果。通过此方法对芯片表面可能存在的2种缺陷类型(裂纹、脏污)样品芯片进行测试,实验结果表明:针对裂纹的缺陷检测准确率高达98%,针对脏污的缺陷检测准确率高达97%,同时此方法的检测响应速度快,稳定性高,对于芯片表面的微小变化和光线干扰的抗干扰能力强,是一种可行的晶圆芯片缺陷检测方法。 展开更多
关键词 机器视觉 HALCON 缺陷检测 芯片
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基于多目标模板匹配的晶圆芯片检测方法 被引量:1
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作者 高德傲 陈晓荣 +4 位作者 张驰艺 祖赫阳 顾徐镕 董宏杰 王元吉 《软件导刊》 2024年第2期146-152,共7页
晶圆芯片检测在晶圆加工生产过程中起着至关重要的作用。针对工业生产过程中晶圆芯片检测耗时长、精度低的局限性,提出一种基于机器视觉的结合非极大值抑制算法的改进多目标模板匹配算法。该算法利用近邻外接矩形算法得到最贴合芯片的... 晶圆芯片检测在晶圆加工生产过程中起着至关重要的作用。针对工业生产过程中晶圆芯片检测耗时长、精度低的局限性,提出一种基于机器视觉的结合非极大值抑制算法的改进多目标模板匹配算法。该算法利用近邻外接矩形算法得到最贴合芯片的矩形轮廓,精准获取矩形芯片的模板;对于影响模板匹配的芯片表面污染,则采用结合形态学改进的灰度补偿方法,以降低污染区域灰度值对匹配结果的影响。实验结果表明,所提多目标模板匹配算法的识别率在95%以上,耗时不超过0.5 s;近邻外接矩形算法比传统的最小外接矩形算法更精准,为工业晶圆芯片检测提供可行方案。 展开更多
关键词 芯片检测 机器视觉 非极大值抑制 多目标模板匹配 近邻外接矩形 灰度补偿
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基于遗传算法的晶圆级芯片映射算法研究
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作者 李成冉 方佳豪 +2 位作者 尹首一 魏少军 胡杨 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2024年第6期993-1000,共8页
近年来,随着人工智能领域的发展,深度学习已经成为如今最重要的计算负载之一,下一代人工智能以及高性能计算应用对计算平台的算力与通信能力提出了前所未有的需求,晶圆级芯片通过在整片晶圆上集成超高密度的晶体管数量以及互连通信能力... 近年来,随着人工智能领域的发展,深度学习已经成为如今最重要的计算负载之一,下一代人工智能以及高性能计算应用对计算平台的算力与通信能力提出了前所未有的需求,晶圆级芯片通过在整片晶圆上集成超高密度的晶体管数量以及互连通信能力,有望为未来的人工智能与超算平台提供革命性的算力解决方案。而其中,晶圆级芯片具有的超大计算资源和独特的新架构使得任务映射算法面临前所未有的新问题,相关研究成为近年来学术界的研究重点。专注于研究人工智能任务在晶圆级硬件资源的映射算法,即通过将人工智能算法表达为多个卷积核,再考虑卷积核的算力特性来基于遗传算法设计晶圆级芯片的映射算法。一系列映射任务下的仿真结果验证了映射算法的有效性,并揭示了执行时间、适配器成本等参数对代价函数的影响。 展开更多
关键词 芯片 遗传算法 卷积网络映射 人工智能 通信开销
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基于Actor模型的众核数据流硬件架构探索
4
作者 张家豪 邓金易 +2 位作者 尹首一 魏少军 胡杨 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2024年第6期959-967,共9页
超大规模AI模型的分布式训练对芯片架构的通信能力和可扩展性提出了挑战。晶圆级芯片通过在同一片晶圆上集成大量的计算核心和互联网络,实现了超高的计算密度和通信性能,成为了训练超大规模AI模型的理想选择。AMCoDA是一种基于Actor模... 超大规模AI模型的分布式训练对芯片架构的通信能力和可扩展性提出了挑战。晶圆级芯片通过在同一片晶圆上集成大量的计算核心和互联网络,实现了超高的计算密度和通信性能,成为了训练超大规模AI模型的理想选择。AMCoDA是一种基于Actor模型的众核数据流硬件架构,旨在利用Actor并行编程模型的高度并行性、异步消息传递和高扩展性等特点,在晶圆级芯片上实现AI模型的分布式训练。AMCoDA的设计包括计算模型、执行模型和硬件架构3个层面。实验表明,AMCoDA能广泛支持分布式训练中的各种并行模式和集合通信模式,灵活高效地完成复杂分布式训练策略的部署和执行。 展开更多
关键词 芯片 分布式训练 Actor模型 众核数据流架构
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晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术 被引量:4
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作者 成立 李加元 +2 位作者 李岚 李华乐 王振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期721-725,共5页
在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可... 在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染。 展开更多
关键词 集成电路 芯片 清洗洁净 环境保护 技术优势 应用前景
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晶圆微芯片检查提取设备的设计与实现 被引量:2
6
作者 郭俭 林海涛 毕秋吉 《机械制造》 2012年第9期5-8,共4页
介绍了晶圆微芯片检查提取设备的工艺流程和技术要求,设计了各部分结构,特别对芯片提取翻转放置机构进行了详细说明。介绍了富士PLC、触摸屏、伺服电机和E-SX总线在该设备中的应用,该系统通过E-SX总线将人机界面、控制器和执行器件连接... 介绍了晶圆微芯片检查提取设备的工艺流程和技术要求,设计了各部分结构,特别对芯片提取翻转放置机构进行了详细说明。介绍了富士PLC、触摸屏、伺服电机和E-SX总线在该设备中的应用,该系统通过E-SX总线将人机界面、控制器和执行器件连接,配线简单、维护方便、高速可靠。 展开更多
关键词 芯片 检查提取 E-SX总线 PLC
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Drop failure modes of Sn-3.0Ag-0.5Cu solder joints in wafer level chip scale package 被引量:5
7
作者 黄明亮 赵宁 +1 位作者 刘爽 何宜谦 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期1663-1669,共7页
To reveal the drop failure modes of the wafer level chip scale packages (WLCSPs) with Sn-3.0Ag-0.5Cu solder joints, board level drop tests were performed according to the JEDEC standard. Six failure modes were iden... To reveal the drop failure modes of the wafer level chip scale packages (WLCSPs) with Sn-3.0Ag-0.5Cu solder joints, board level drop tests were performed according to the JEDEC standard. Six failure modes were identified, i.e., short FR-4 cracks and complete FR-4 cracks at the printing circuit board (PCB) side, split between redistribution layer (RDL) and Cu under bump metallization (UBM), RDL fracture, bulk cracks and partial bulk and intermetallic compound (IMC) cracks at the chip side. For the outmost solder joints, complete FR-4 cracks tended to occur, due to large deformation of PCB and low strength of FR-4 dielectric layer. The formation of complete FR-4 cracks largely absorbed the impact energy, resulting in the absence of other failure modes. For the inner solder joints, the absorption of impact energy by the short FR-4 cracks was limited, resulting in other failure modes at the chip side. 展开更多
关键词 Sn-3.0Ag-0.5Cu wafer level chip scale package solder joint drop failure mode
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LED白光芯片的光色一致性及光谱优化设计方法研究 被引量:4
8
作者 罗亮亮 樊嘉杰 +3 位作者 经周 钱诚 樊学军 张国旗 《照明工程学报》 2018年第1期1-6,33,共7页
基于晶圆级芯片尺寸封装工艺的LED白光芯片具有高效节能、低热阻、小尺寸特点,被认为是未来制备高品质全光谱LED光源和模组的主要发展方向之一。针对自主研发的具有五面出光角度特点的LED白光芯片,采用光谱功率分布分析方法研究封装材... 基于晶圆级芯片尺寸封装工艺的LED白光芯片具有高效节能、低热阻、小尺寸特点,被认为是未来制备高品质全光谱LED光源和模组的主要发展方向之一。针对自主研发的具有五面出光角度特点的LED白光芯片,采用光谱功率分布分析方法研究封装材料和尺寸对白光芯片光色一致性的影响。研究结果表明:(1)荧光层厚度和蓝光芯片输出功率对于白光芯片的颜色一致性影响显著,因此在LED白光芯片的量产过程中需要严格控制压膜工艺的精度和芯片来料的输出功率;(2)LED白光芯片的光效与理论光效和蓝光芯片转化效率的乘积呈线性关系,且相对色温越低,线性相关系数越小。最后,建立了一套高效实用的配粉设计流程,针对配粉实验提出了一种快速优化光谱设计方法来制定最佳荧光粉配比,为LED白光芯片工艺设计提供指导。 展开更多
关键词 LED 白光芯片 芯片尺寸封装 光谱功率分布 光色一致性
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基于正交设计的WLCSP柔性无铅焊点随机激励应力应变分析 被引量:4
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作者 梁颖 黄春跃 +2 位作者 黄伟 邵良兵 李天明 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期13-16,129,共4页
对晶圆级芯片尺寸封装(wafer level chip scale package,WLCSP)柔性无铅焊点进行了随机振动应力应变有限元分析.以1号柔性层厚度、2号柔性层厚度、上焊盘直径和下焊盘直径4个结构参数作为关键因素,采用正交表设计了16种不同结构参数组... 对晶圆级芯片尺寸封装(wafer level chip scale package,WLCSP)柔性无铅焊点进行了随机振动应力应变有限元分析.以1号柔性层厚度、2号柔性层厚度、上焊盘直径和下焊盘直径4个结构参数作为关键因素,采用正交表设计了16种不同结构参数组合的柔性焊点,获取了16组应力数据并进行了方差分析.结果表明,焊点内最大应力应变随1号柔性层厚度和2号柔性层厚度的增加而减小;在置信度99%时,下焊盘直径和上焊盘直径对应力具有高度显著影响,在置信度95%时,1号柔性层厚度和2号柔性层厚度对应力具有显著影响;各因素对应力影响排序为:下焊盘直径影响最大,其次是上焊盘直径,再次是1号柔性层厚度,最后是2号柔性层厚度. 展开更多
关键词 芯片尺寸封装 柔性无铅焊点 随机振动 有限元分析 方差分析
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探索晶圆级芯片贴装薄膜和芯片制备集成工艺的新挑战(英文) 被引量:1
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作者 黄楚舒 《电子工业专用设备》 2006年第5期56-59,共4页
分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装薄膜贴覆工艺,芯片制备以及后序工艺中所遇到的巨大挑战。
关键词 芯片制备 芯片贴装薄膜贴覆 划片胶带 紫外光照射 减薄 电路保护胶带 划片 芯片贴装
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用于车载激光雷达的高速窄脉冲栅极驱动器 被引量:2
11
作者 贾东东 赵永瑞 +3 位作者 师翔 李军建 贾凯烨 史亚盼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期699-705,共7页
针对车载激光雷达高频率、高精度的探测需求,提出了一种高速窄脉冲栅极驱动器,用于驱动激光雷达发射系统中的GaN HEMT开关管。基于0.18μm CMOS工艺进行驱动器的电路与版图设计,采用新型施密特触发器结构,并集成欠压锁存和过温保护功能... 针对车载激光雷达高频率、高精度的探测需求,提出了一种高速窄脉冲栅极驱动器,用于驱动激光雷达发射系统中的GaN HEMT开关管。基于0.18μm CMOS工艺进行驱动器的电路与版图设计,采用新型施密特触发器结构,并集成欠压锁存和过温保护功能。该驱动器选用晶圆级芯片封装(WLCSP)技术,最大程度上降低栅极路径上的寄生电感。对芯片进行测试,结果表明:驱动器最小输出脉冲宽度为1.06 ns,其上升时间为480 ps,下降时间为380 ps,输入信号到输出信号的延迟时间为3 ns,脉冲频率最高可达60 MHz。该驱动器具有脉宽窄、延时短、频率高、体积小等特点,可应用于车载激光雷达系统。 展开更多
关键词 窄脉冲 高速栅极驱动器 GaN HEMT 芯片封装(WLCSP) 车载激光雷达
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具有周边硅通孔的晶圆级芯片封装有限元分析 被引量:2
12
作者 罗宁 陈精一 许庭生 《电子与封装》 2020年第4期13-18,共6页
针对外围分布着硅通孔的晶圆级芯片封装结构,利用有限元分析软件ANSYS建立全局模型与次模型,在温度循环试验规范条件下将封装体与硅通孔结构分开进行仿真与探讨。了解模型受到温度载荷所产生的热力学行为。研究发现封装体在经历温度循... 针对外围分布着硅通孔的晶圆级芯片封装结构,利用有限元分析软件ANSYS建立全局模型与次模型,在温度循环试验规范条件下将封装体与硅通孔结构分开进行仿真与探讨。了解模型受到温度载荷所产生的热力学行为。研究发现封装体在经历温度循环试验后所产生的位移呈现圆形对称分布,结构在高温时向外翘曲,在低温时向内弯曲;重布线层在与锡球交界处会产生明显的应力集中。硅通孔结构中铜垫片越接近开孔所受应力越大;硅通孔结构的重布线层部分,应力集中在转角处以及靠近钝化保护层交界处。 展开更多
关键词 有限元分析 硅通孔 芯片封装 温度循环试验
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电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究 被引量:1
13
作者 容志滔 黄雁 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第2期21-27,共7页
受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用... 受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。 展开更多
关键词 电池保护电路 金属氧化物半导体场效应体管 芯片规模封装 失效分析 失效定位
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基于FPGA的晶圆级芯片封装图像序列配准方法的设计与实现
14
作者 方俊杰 吴泽一 +2 位作者 黄煜萧 任青松 王赓 《电子技术应用》 2023年第12期90-97,共8页
针对未切割晶圆进行封装后的晶圆级芯片封装(WLCSP),12英寸晶圆以1μm物理分辨率进行自动光学检测(AOI)面临大幅面、高质量成像和成像速度的技术挑战。晶圆全局图像需由多幅扫描生成的局部图像序列拼接而成,为实现图像序列的高质量、高... 针对未切割晶圆进行封装后的晶圆级芯片封装(WLCSP),12英寸晶圆以1μm物理分辨率进行自动光学检测(AOI)面临大幅面、高质量成像和成像速度的技术挑战。晶圆全局图像需由多幅扫描生成的局部图像序列拼接而成,为实现图像序列的高质量、高速配准,在FPGA中采用OpenCL实现相位相关法进行四邻域棋盘配准。首先在构建二维FFT和互功率谱函数内核的基础上,采用双端口缓存和行缓存的设备全局内存对计算过程的频谱数据进行复用并应用内核通道级联提高配准速度,基于最小生成树优化配准结果降低全局图像坐标计算的累积误差,并经实际扫描图像验证配准算法及加速性能。 展开更多
关键词 芯片封装 图像配准 FPGA OPENCL
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晶圆级芯片尺寸封装技术 被引量:1
15
作者 杨建生 《电子工业专用设备》 2007年第6期26-30,共5页
尺寸缩减几乎是电子封装技术应用的主要驱动力之一。高功能性和高可靠性与尺寸缩减的相互作用,也是所有微电子系统的决定因素。因此,最佳产品设计、最小单芯片封装和板技术的最佳结合,将提供最佳解决方案。晶圆级CSP将是匹配所有电子系... 尺寸缩减几乎是电子封装技术应用的主要驱动力之一。高功能性和高可靠性与尺寸缩减的相互作用,也是所有微电子系统的决定因素。因此,最佳产品设计、最小单芯片封装和板技术的最佳结合,将提供最佳解决方案。晶圆级CSP将是匹配所有电子系统要求、降低总成本的单芯片封装技术的最佳方案。 展开更多
关键词 芯片尺寸封装 再分布技术 芯片尺寸封装(WL-CSP)
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WLCSP中微焊球结构尺寸对其热应力的影响 被引量:1
16
作者 洪荣华 王珺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期720-725,733,共7页
晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)微焊球结构尺寸对其热机械可靠性有重要的影响。通过二维有限元模拟筛选出对WLCSP微焊球及其凸点下金属层(UBM)中热应力影响显著的参数,采用完全因子实验和多因子方差统计分析定量评估各种因子影响的显著性,... 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)微焊球结构尺寸对其热机械可靠性有重要的影响。通过二维有限元模拟筛选出对WLCSP微焊球及其凸点下金属层(UBM)中热应力影响显著的参数,采用完全因子实验和多因子方差统计分析定量评估各种因子影响的显著性,最后建立三维模型,用子模型技术研究关键尺寸因子对热应力变化的影响。研究发现,焊球半径是影响焊球热应力的最关键尺寸因子,电镀铜开口和铜焊盘厚度对焊球热应力的影响也较显著;钝化层开口和焊球半径是影响UBM热应力的最关键尺寸因子。随着焊球半径增大,焊球热应力减小。 展开更多
关键词 芯片尺寸封装 有限元分析 尺寸参数 统计分析 子模型
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基于CMOS图像传感器的CSP封装优化研究
17
作者 石文杰 《电子技术(上海)》 2019年第1期37-39,共3页
晶圆级芯片封装在CMOS图像传感器芯片中有重要意义,可以降低成本,减小尺寸。但晶圆级封装玻璃与衬底之间的键合过程存在困难与挑战。为了达到更好的封装效果,我们针对封装玻璃与晶圆衬底间的支撑柱结构进行优化,设计了多种不同的支撑柱... 晶圆级芯片封装在CMOS图像传感器芯片中有重要意义,可以降低成本,减小尺寸。但晶圆级封装玻璃与衬底之间的键合过程存在困难与挑战。为了达到更好的封装效果,我们针对封装玻璃与晶圆衬底间的支撑柱结构进行优化,设计了多种不同的支撑柱结构,并在晶圆上进行封装实验。实验结果表明,在芯片上使用与不使用抗反射氧化层的条件下,当支撑柱结构分别具有较小的独立结构面积,和较大的接触面积时,能够达到较高的封装良率。此外,内圈多圈支撑柱结构在两种条件下均能有较好的封装良率。 展开更多
关键词 集成电路制造 芯片封装 封装玻璃支撑柱 抗反射氧化层
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满足各种挑战的WCSP封装持续增长(英文)
18
作者 David Stepniak Craig Beddingfield +1 位作者 Chris Manack Rajiv Dunne 《电子工业专用设备》 2009年第11期19-22,50,共5页
晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序。这种办法可以为半导体产品用户实现更快的上市时间。WCSP封装应用空间正在扩大到新的领域,并根据管脚数量和器件类型进行细分。WCSP封装正... 晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序。这种办法可以为半导体产品用户实现更快的上市时间。WCSP封装应用空间正在扩大到新的领域,并根据管脚数量和器件类型进行细分。WCSP封装正在集成无源、分立元件、射频和存储器器件方面得到应用,并扩展到逻辑集成电路和MEMS器件。但伴随着这种应用的增长出现了很多问题,其中包括随着芯片尺寸和管脚数量的増长对电路板可靠性的影响。概述当今的挑战,以及这些集成和硅通孔技术的未来趋势。 展开更多
关键词 芯片尺寸封装 技术挑战 电路板可靠性 未来趋势 硅通孔技术
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焊球植球凸块工艺的可靠性研究
19
作者 肖启明 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1190-1193,1212,共5页
焊球植球是一种最具潜力的低成本倒装芯片凸块制作工艺。采用焊球植球工艺制作的晶圆级芯片尺寸封装芯片的凸块与芯片表面连接的可靠性问题是此类封装技术研究的重点。为此,参考JEDEC关于电子封装相关标准,建立了检验由焊球植球工艺生... 焊球植球是一种最具潜力的低成本倒装芯片凸块制作工艺。采用焊球植球工艺制作的晶圆级芯片尺寸封装芯片的凸块与芯片表面连接的可靠性问题是此类封装技术研究的重点。为此,参考JEDEC关于电子封装相关标准,建立了检验由焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片凸块与芯片连接及凸块本身是否可靠的可靠性测试方法与判断标准。由焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片,分别采用高温存储、热循环和多次回流进行试验,然后利用扫描电子显微镜检查芯片上凸块剖面的凸块下金属层分布和测试凸块推力大小来验证凸块的可靠性。试验数据表明焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片具有高的封装连接可靠性。 展开更多
关键词 芯片尺寸封装 焊球植球 高温存储 热循环 多次回流
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一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装
20
作者 刘秀博 王绍东 +1 位作者 王志强 付兴昌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期779-783,共5页
采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、... 采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。 展开更多
关键词 芯片尺寸封装(WLCSP) 重分配布线层 金属凸点 CMOS驱动器 剪切力
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