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非晶态半导体的进展 被引量：8
1
作者 林鸿溢 《材料导报》 EI CAS CSCD 1993年第2期30-35,共6页
从无序概念入手,简要介绍了非晶态半导体的结构及其分析途径,并给出其特殊的能带结构与特有的光电性质,以及非晶态半导体优秀的应用实例与开发前景。
关键词 进展 半导体 无定形半导体
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硫系玻璃半导体存储材料 被引量：1
2
《无机材料学报》 SCIE EI CAS 1973年第3期1-13,共13页
一、引言无定形半导体中开关和存储现象的发现,促进了无定形半导体材料和半导体基础理论研究的蓬勃发展,目前已成为一个活跃的研究领域。从无定形半导体材料来看,大致可分成三个大类:（一）元素无定形半导体,如锗、硅、碲、硫和硼。（... 一、引言无定形半导体中开关和存储现象的发现,促进了无定形半导体材料和半导体基础理论研究的蓬勃发展,目前已成为一个活跃的研究领域。从无定形半导体材料来看,大致可分成三个大类:（一）元素无定形半导体,如锗、硅、碲、硫和硼。（二）共价键无定形半导体,其中包括硫系玻璃和硼化物无定形半导体。（三）离子键无定形半导体,如SiO、Al2O3。 展开更多
关键词 硫系玻璃 As Te 曝光时间 衍射效率 红外玻璃 析晶温度 存储材料 转化温度 热力学性质 差热分析方法 无定形半导体 玻璃形成区 半导体薄膜 半导体膜
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四面体键无定形半导体国际会议简讯
3
作者 陈坤基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1981年第3期247-248,共2页
今年3月 12-14日在美国Arizona州召开了关于四面体键无定形半导体国际讨论会.来自美、日、德、法、加等各国的160余名代表参加了会议,共有报告70余篇.会议集中研讨了无定形硅薄膜材料的制备和结构特点,以及无定形硅中载流子的特性.此外。
关键词 薄膜生长 会议 晶体生长 四面体 多面体 无定形硅 无定形半导体 载流子 电子态
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非晶硅半导体及其在传感技术中的应用
4
作者 魏光普 《物理》 CAS 北大核心 1993年第9期545-550,共6页
叙述了非晶硅半导体的结构、制备方法及特性，介绍了非晶硅在制作光电传感器、色敏传咸器、放射线（Ｘ射线等）传感器及应变传感器等方面的应用。并介绍了这些传感器的大致结构、输出特性及有关的应用．
关键词 非晶硅半导体 传感器 无定形半导体
全文增补中
射频功率对反应溅射淀积的a－Ge：H薄膜特性的影响
5
作者 王辉耀 王印月 张仿清 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期139-143,共5页
本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ）、电子自族共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响．发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢... 本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ）、电子自族共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响．发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化．对实验结果作了初步讨论． 展开更多
关键词 锗 射频功率 薄膜 无定形半导体
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氢化非晶锗碳薄膜中的自旋缺陷态
6
作者 陈光华 于工 +1 位作者 张仿清 吴天喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第10期1700-1705,共6页
本文应用原位电子自旋共振(ESR)技术研究了射频反应溅射法制备的氢化非晶锗碳(a-Ge_(1-x)C_x:H)薄膜中自旋缺陷态的种类、密度、温度依赖关系和热力学动态行为。在分解ESR谱的过程中,发现了它的不对称成分,并对此进行了定量分析和微观... 本文应用原位电子自旋共振(ESR)技术研究了射频反应溅射法制备的氢化非晶锗碳(a-Ge_(1-x)C_x:H)薄膜中自旋缺陷态的种类、密度、温度依赖关系和热力学动态行为。在分解ESR谱的过程中,发现了它的不对称成分,并对此进行了定量分析和微观机理的探讨。 展开更多
关键词 氢化 薄膜 无定形半导体 缺陷 错
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用于可折叠显示器的材料
7
作者 顾约伦 《高桥石化》 2005年第2期48-48,共1页
东京技术学院的科学家演示了一种能够用于可折叠薄膜式显示器的新型无定形半导体氧化物材料。这项研究的目标是开发所谓的电子纸张材料和相关的显示技术，以前的研究成果集中于以无定形的氢化硅片和各种类型的有机半导体材料作为可折叠... 东京技术学院的科学家演示了一种能够用于可折叠薄膜式显示器的新型无定形半导体氧化物材料。这项研究的目标是开发所谓的电子纸张材料和相关的显示技术，以前的研究成果集中于以无定形的氢化硅片和各种类型的有机半导体材料作为可折叠、透明的晶体管薄膜的活性通道材料。但是这类材料的电荷携带能力很低，因而限制了其应用范围。 展开更多
关键词 可折叠 显示器 有机半导体材料 无定形半导体 氧化物材料 显示技术 电子纸张 研究成果 应用范围 薄膜式 科学家 晶体管 硅片
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磷酸盐玻璃高温导电特性的研究
8
作者 向艳旭 《才智》 2009年第15期162-162,共1页
半导体材料通常是指电阻率介于绝缘体和导体之间,即电阻率的数值在10-3109欧姆·厘米范围内的材料。如果按化学成分来分类,有元素半导体(如锗、硅等)和化合物半导体(如砷化镓、磷化镓等)。如果从原子排列的状态来看。
关键词 磷酸盐玻璃 磷化镓 导电特性 玻璃半导体 元素半导体 化合物半导体 无定形半导体 原子排列 晶态 实
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使用胶体刻蚀法制备纳米线氧化物场效应晶体管
9
作者 杜晓松 《功能材料与器件学报》 CAS 2020年第5期369-372,共4页
透明无定形氧化物半导体作为场效应晶体管的沟道材料在微电子学各个领域有着广泛应用。在这里我们报道一种使用胶体刻蚀方法制备Zn-Sn-O(ZTO)纳米线作为场效应晶体管的沟道材料。电学测量显示制备的底栅型ZTO纳米线晶体管有着优良的电... 透明无定形氧化物半导体作为场效应晶体管的沟道材料在微电子学各个领域有着广泛应用。在这里我们报道一种使用胶体刻蚀方法制备Zn-Sn-O(ZTO)纳米线作为场效应晶体管的沟道材料。电学测量显示制备的底栅型ZTO纳米线晶体管有着优良的电学性能,其中源漏电极间的导通/关闭电流比约为3.9×105,电子迁移率约为2 cm2/Vs,而门电极的漏电流却小于1 nA/cm2。在使用分子自组装层封装ZTO表面后,底栅型ZTO纳米线晶体管的正/负向电压稳定性和回滞性均得到了很大改善,这得益于氧化物半导体表面污染物的减少。 展开更多
关键词 透明无定形氧化物半导体 场效应晶体管 胶体刻蚀 纳米线
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