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题名一种抗单粒子多节点翻转的存储单元
被引量：1
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作者
胡春艳
岳素格
陆时进
刘琳
张晓晨
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机构
北京微电子技术研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期348-352,358,共6页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2017ZX01010102)
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文摘
为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T)。在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存"0"节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点对的数目是晶体管双立互锁(DICE)存储单元的一半。基于敏感节点对分离和SET缩减原理,进行了加固存储单元版图设计。在相同设计方法下,该存储单元的敏感节点间距是DICE存储单元的3倍。抗SEU仿真结果表明,该存储单元具备单节点翻转全加固能力。全物理模型单粒子瞬态仿真结果表明,该存储单元的线性能量转移(LET)翻转阈值为DICE存储单元的2.8倍,能有效缓解单粒子多节点翻转的问题。
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关键词
存储单元
SEU
多节点翻转
敏感节点对
LET翻转阈值
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Keywords
memory cell
SEU
multiple node upset
sensitive node pair
LET upset threshold
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名28nm工艺触发器抗单粒子翻转版图加固技术
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作者
苑靖爽
赵元富
王亮
李同德
孙雨
朱永钦
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机构
北京微电子技术研究所
中国航天电子技术研究院
中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术试验室
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出处
《现代应用物理》
2022年第1期110-115,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
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文摘
为提高28 nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了2种抗辐射加固触发器版图结构。同时设计了3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固的触发器链,通过流片和封装后对芯片进行了抗单粒子翻转试验。试验结果表明,采用的2种版图加固方法可使单粒子翻转数下降95%以上;当入射重离子LET值为37 MeV·cm^(2)·mg^(-1)时,电荷补偿原理的版图加固结构抗单粒子翻转性能更强;28 nm工艺下,版图加固最优敏感节点对的距离为3倍标准单位距离。
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关键词
单粒子翻转
触发器
敏感节点对
单粒子加固设计
重离子试验
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Keywords
single event upset
flip-flop
sensitive node pair
single event hardened design
heavy ion test
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TL99
[核科学技术—核技术及应用]
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