釉面砖表面掺铅TiO_2涂层的溶胶──凝胶法制备及其光催化性能 被引量：7

1

作者 赵青南 余家国 +1 位作者 赵修建 冯为民 《陶瓷工程》 1998年第6期4-6,共3页

用溶胶一凝胶法在釉面砖上制备了均匀的TiO2及掺铅TiO2涂层，讨论了影响涂层质量的某些因素，用X射线光电子能谱仪（XPS）研究了釉面涂层的化学组成。在紫外线及日光照射下，TiO2涂层釉面砖可以对有机磷农药光催化降解。掺铅TiO2涂层釉... 用溶胶一凝胶法在釉面砖上制备了均匀的TiO2及掺铅TiO2涂层，讨论了影响涂层质量的某些因素，用X射线光电子能谱仪（XPS）研究了釉面涂层的化学组成。在紫外线及日光照射下，TiO2涂层釉面砖可以对有机磷农药光催化降解。掺铅TiO2涂层釉面砖的光催化降解率明显高于未掺铅的TiO2涂层釉面砖的光催化降解率。该类材料可望在环境保护、污水处理等方面有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 釉面砖 涂层 掺铅 光催化 陶瓷 二氧化钛

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高价离子掺入Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系对成相和结构的影响 被引量：1

2

作者 陈凤翔 朱文杰 +7 位作者 李能 林炳雄 唐有祺 冯庆荣 吴克 薛立新 钟善锦 何俊 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1990年第5期519-522,共4页

Sunshine等在Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中掺入少量Pb^(2+)后,可获得T_(c(0))=110K以“2223”相为主的样品.其后,Shun-ichi、卢伟京等也得到同样的结果,但都需要长达300～500小时烧结,所得到的样品仍含有少量“2212”相、我们拟对Bi(Pb)-Sr-Ca-C... Sunshine等在Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中掺入少量Pb^(2+)后,可获得T_(c(0))=110K以“2223”相为主的样品.其后,Shun-ichi、卢伟京等也得到同样的结果,但都需要长达300～500小时烧结,所得到的样品仍含有少量“2212”相、我们拟对Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系掺入高价离子,M^(n+)(n≥4),如Sn^(4+),Sb^(5+),Mo^(6+),W^(6+),研究它们对“2223”成相和结构的影响。 展开更多

关键词 超导材料 铋锶钙铜氧 掺铅 成相

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有机衬底上掺Sb的SnO_2透明导电膜的性质与制备参数关系的研究

3

作者 杨田林 杨光德 +1 位作者 高绪团 万云芳 《光电子技术》 CAS 2002年第2期63-67,共5页

采用射频磁控溅射法在透明聚酯胶片上制备出了 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,主要讨论了制备条件对薄膜光电特性的影响。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 ,具有明显的 [1 1 0 ]的趋向。通过调节制备参数 ,制备出了电... 采用射频磁控溅射法在透明聚酯胶片上制备出了 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,主要讨论了制备条件对薄膜光电特性的影响。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 ,具有明显的 [1 1 0 ]的趋向。通过调节制备参数 ,制备出了电阻率为 3 .7× 1 0 -3 Ω· cm,平均透过率高于 80 展开更多

关键词 有机衬底 导电膜 制备参数 透明薄膜 光电特性 溅射 掺铅 氧化锡

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碘化铯晶体中Ph^(2+)基聚集相的发光性质

4

作者 冯锡淇 赵建林 +2 位作者 高明 S.kapphan 张雁行 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期416-420,共5页

掺铅的碘化铯（Pb：CsI）晶体在400℃空气中进行热处理可以在晶体中诱导产生发光中心，这些发光中心的激发谱与CS－Pb-I体系中一系列化合物的激子吸收谱相吻合．它们被认为是由该晶体在退火过程中所形成的CsPbI3、Cs4PbI6等聚集相产生... 掺铅的碘化铯（Pb：CsI）晶体在400℃空气中进行热处理可以在晶体中诱导产生发光中心，这些发光中心的激发谱与CS－Pb-I体系中一系列化合物的激子吸收谱相吻合．它们被认为是由该晶体在退火过程中所形成的CsPbI3、Cs4PbI6等聚集相产生的．测量了10～30K温度范围内分别在410nm和360nm波长激发下Ph：CsI的发射谱，观察到各发射谱的相对强度随退火时间而变化，这表明在400℃退火温度下晶体中各类Cs－Ph－I聚集相的形成和转化已十分活跃． 展开更多

关键词 掺铅 碘化铯 聚集相 发光性质 晶体 铅离子

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掺铅Bi2212陶瓷中的沉淀和钉扎

5

作者 李成仁 《稀有金属快报》 CSCD 1996年第10期19-20,共2页

关键词 陶瓷 掺铅 沉淀 钉扎

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物理掺铅法改善电解二氧化锰可充性的研究 被引量：6

6

作者 童庆松 连锦明 朱则善 《福建师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第4期59-64,共6页

将日本电解二氧化锰粉末与含铅（Ⅱ）离子的溶液混合搅拌制备了掺铅电解二氧化锰．化学分析表明，当溶液中铅离子浓度高时，制得的掺铅二氧化锰样品中铅离子的含量高，视比重略有增大，而二氧化锰的百分含量和结合水含量略有减小．充放... 将日本电解二氧化锰粉末与含铅（Ⅱ）离子的溶液混合搅拌制备了掺铅电解二氧化锰．化学分析表明，当溶液中铅离子浓度高时，制得的掺铅二氧化锰样品中铅离子的含量高，视比重略有增大，而二氧化锰的百分含量和结合水含量略有减小．充放电循环实验表明，充放电的前６０循环，含铅离子重量为０．７％的掺杂样比空白样的累积容量和容量维持系数分别增加了７８％和３４％．循环伏安充放电结果表明，掺入铅可显著改善放电深度达－０．５７Ｖ（ｖｓ．Ｈｇ／ＨｇＯ电极）时充放电反应的可逆性． 展开更多

关键词 可充性 电解二氧化锰 物理掺铅法 二氧化锰

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伽马射线辐照对掺铅石英光纤的磁光特性影响 被引量：3

7

作者 文建湘 王文娜 +6 位作者 郭琪 黄怿 董艳华 庞拂飞 陈振宜 刘云启 王廷云 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期416-420,共5页

研究了伽马射线辐照对掺铅石英光纤磁光特性的影响。实验结果表明:掺铅石英光纤样品辐照前,在660、808、980、1310和1550 nm波长处的费尔德常数分别为3.093、1.676、1.240、0.705和0.538 rad/(T?m),均高于单模光纤的费尔德常数,且费尔... 研究了伽马射线辐照对掺铅石英光纤磁光特性的影响。实验结果表明:掺铅石英光纤样品辐照前,在660、808、980、1310和1550 nm波长处的费尔德常数分别为3.093、1.676、1.240、0.705和0.538 rad/(T?m),均高于单模光纤的费尔德常数,且费尔德常数随着波长的增加而减小,尤其在660 nm,相比较单模光纤,掺铅石英光纤样品费尔德常数提高了20.82%。经伽马射线辐照后,掺铅石英光纤样品的费尔德常数随着辐照剂量的增加而增大,尤其在5 k Gy剂量,其费尔德常数增加了41.94%,而单模光纤仅增加了33.04%。掺铅石英光纤通过掺杂及辐照的手段提高了费尔德常数,在大电流传感领域具有重要意义。 展开更多

关键词 掺铅石英光纤 磁光特性 费尔德常数 伽马射线辐照

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KBr:Pb^(2+)单晶中x辐射致色心的吸收光谱研究

8

作者 王应宗 《陕西师大学报（自然科学版）》 CSCD 1990年第3期20-23,共4页

利用吸收光谱技术研究了掺铅溴化钾单晶中辐射致缺陷随x辐照剂量及锻烧温度的变化。作为对比,文中对纯KBr单晶在相同的实验条件下进行了平行的实验测量。

关键词 掺铅溴化钾 单晶 色心 吸收光谱

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掺铅CsI晶体中Pb^(2+)聚集体的发光(英文)

9

作者 冯锡淇 赵建林 +2 位作者 M. Nikl S. Kappam K. Nitsch 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第1期27-30,共4页

退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10～ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶... 退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10～ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶体中不同的 Pb2＋基聚集相的形成机制 和发光机理。 展开更多

关键词 掺铅碘化铯晶体 退火 Pb^2+聚集体 发光

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0.87Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.13PbTiO_3薄膜的MOSD+Dipping制备

10

作者 王卓 杨长红 +1 位作者 王民 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期817-819,共3页

采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜。用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌。同时还研究了薄膜的存储性能。

关键词 掺铅钛酸铋钠 铁电薄膜 制备 MOSD法 Dipping法 表面形貌 存储性能

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气相法掺铅钛酸钡薄膜的微观形态变化

11

作者 申玉双 翟学良 +1 位作者 伊赞荃 李纪标 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期355-355,共1页

关键词 钛酸钡薄膜 气相法 形态变化 掺铅 溶胶-凝胶法 电子陶瓷材料 掺杂工艺 微观 等离子体法

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F,Y双掺钨酸铅晶体的发光性能和微观缺陷 被引量：10

12

作者 叶崇志 廖晶莹 +3 位作者 杨培志 谢建军 罗澜 曹顿华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期1947-1952,共6页

通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试,研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO4,简称PWO)晶体的发光性能,并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶体中的缺陷种类和变化进行了分析.结果表明:与未掺杂晶体相比,双掺样品在350n... 通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试,研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO4,简称PWO)晶体的发光性能,并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶体中的缺陷种类和变化进行了分析.结果表明:与未掺杂晶体相比,双掺样品在350nm附近的透过率大大提高,吸收边向短波方向移动约30nm,光致发光谱中出现位于350nm的发光峰,双掺样品的LY(100ns内)为未掺杂PWO的2·7倍左右.晶体中主要存在的缺陷为(WO3)-和(WO4)3-,对双掺晶体进行600℃真空气氛下退火发现:晶体中(WO3)-和(WO4)3-缺陷浓度增加;而600℃空气气氛下退火则有利于填补氧空位,并将(WO3)-和(WO4)3-氧化为正常的钨酸根阴离子基团,从而改善晶体的发光性能.这一实验结果对提高PWO晶体的LY提供了新的思路. 展开更多

关键词 F Y双掺钨酸铅闪烁晶体 高光产额 热释光 正电子湮没寿命谱

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掺镧PbWO_4闪烁晶体的缺陷研究 被引量：6

13

作者 汤学峰 顾牡 +9 位作者 童宏勇 梁玲 姚明珍 陈玲燕 廖晶莹 沈炳浮 曲向东 殷之文 徐炜新 王景成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期2007-2010,共4页

利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线电子能谱 (XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化 .结果表明 :掺镧后 ,PbWO4 晶体中的正电子捕获中心铅空位 (VPb)浓度增加 ,并进一步诱导低价氧浓度的增加 .讨论了掺La的作用机制 ,认为掺La... 利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线电子能谱 (XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化 .结果表明 :掺镧后 ,PbWO4 晶体中的正电子捕获中心铅空位 (VPb)浓度增加 ,并进一步诱导低价氧浓度的增加 .讨论了掺La的作用机制 ,认为掺La将抑制晶体中的氧空位 ,增加铅空位浓度 . 展开更多

关键词 掺镧钨酸铅晶体 缺陷 PAT XPS

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掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究 被引量：1

14

作者 刘峰松 顾牡 +1 位作者 姚明珍 梁玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期218-223,共6页

采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量 ,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布 ,发现与VO 相关的F+ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。 (Nb... 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量 ,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布 ,发现与VO 相关的F+ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。 (NbO3 +F+ ) 2 -缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低。计算结果表明VO 有关的F+ 的存在是有效消除晶体中 35 0nm吸收的主要原因。而F+ →W5d轨道的跃迁能量为 2 .8eV ,对应晶体中 4 2 0nm吸收。 展开更多

关键词 掺铌钨酸铅晶体 缺陷 密度泛函 掺铌晶体 态密度

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掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究 被引量：1

15

作者 刘峰松 顾牡 +2 位作者 姚明珍 梁玲 陈铭南 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期2274-2279,共6页

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道... 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能 ,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为 3 9eV ,表明掺Y不会引起晶体中35 0nm和 4 2 0nm吸收 .从掺Y对PbWO4 晶体电子结构的影响来看 。 展开更多

关键词 掺钇钨酸铅晶体 晶体缺陷 过渡态方法 轨道跃迁 激发能 密度泛函 态密度分布 闪烁体 探测器

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掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究 被引量：1

16

作者 姚明珍 顾牡 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期460-463,共4页

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能... 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明 :掺镧晶体不会引起 42 0nm和 35 0nm的吸收 ,改善了PbWO4 晶体中的两个本征吸收带。掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为 3.98eV。 展开更多

关键词 掺镧钨酸铅晶体 理论 研究 晶体缺陷 La:PbWO4 密度泛函 吸收中心 态密度分布

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Ce^(3+)掺杂PbTiO_3钛酸铅陶瓷的制备及导电性能研究

17

作者 刘冬 张晓红 +1 位作者 乔英杰 李庆芬 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期829-831,共3页

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了Ce3+掺杂钛酸铅超细粉体,并烧结成陶瓷.讨论了pH、温度等条件对制备Ce3+掺杂钛酸铅凝胶的影响因素,确定了最佳工艺条件.同时利用XRD对钛酸铅粉体进行了物相分析,用SEM进行了形貌表征,还测试了其介电性能.... 采用溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了Ce3+掺杂钛酸铅超细粉体,并烧结成陶瓷.讨论了pH、温度等条件对制备Ce3+掺杂钛酸铅凝胶的影响因素,确定了最佳工艺条件.同时利用XRD对钛酸铅粉体进行了物相分析,用SEM进行了形貌表征,还测试了其介电性能.结果表明Ce的掺杂,可使钛酸铅电阻率下降6个数量级. 展开更多

关键词 掺Ce钛酸铅 溶胶-凝胶法 结构特性 电阻率

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PCT纳米材料结构相变的变温拉曼光谱研究 被引量：1

18

作者 陈建 唐新桂 +2 位作者 张宇晖 张进修 张卓良 《分析测试学报》 CAS CSCD 2000年第6期24-27,共4页

采用溶胶－凝胶法制备了（Ｐｂ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（ＰＣＴ（ｘ））纳米晶粉和纳米薄膜。变温拉曼光谱显示ＰＣＴ（０）和 ＰＣＴ（２０）从铁电四方相向顺电立方相的转变温度分别降低至４３０℃和３３０℃；结果同时表明ＰＣＴ（... 采用溶胶－凝胶法制备了（Ｐｂ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（ＰＣＴ（ｘ））纳米晶粉和纳米薄膜。变温拉曼光谱显示ＰＣＴ（０）和 ＰＣＴ（２０）从铁电四方相向顺电立方相的转变温度分别降低至４３０℃和３３０℃；结果同时表明ＰＣＴ（０）和ＰＣＴ（２０）薄 膜的声子频率发生一定程度的红移或蓝移，这归因于纳米材料掺杂引起的诱导效应和晶粒尺寸效应。 展开更多

关键词 相变 拉曼光谱 掺钙钛酸铅 纳米材料 铁电体

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掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论计算 被引量：1

19

作者 刘峰松 顾牡 +2 位作者 姚明珍 梁玲 陈铭南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期413-419,共7页

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO_4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。V_(Pb)是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。Y_(Pb^(3+)+V_(Pb)相关缺... 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO_4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。V_(Pb)是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。Y_(Pb^(3+)+V_(Pb)相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']在晶体中更稳定。缺陷态[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']和[(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体利O_(2p)→W_(5d)的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO_4^(2-)禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少V_(Pb)-V_O联合空位可有效抑制PbWO_4晶体的本征吸收。晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光。 展开更多

关键词 掺钇钨酸铅晶体 缺陷 理论计算 密度泛函理论 PBWO4 电荷补偿 态密度

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掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究

20

作者 刘洪 蒲朝辉 +2 位作者 龚小刚 肖定全 朱建国 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1149-1153,共5页

采用射频磁控溅射技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9Ld0.1）TiO3，PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构。分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对... 采用射频磁控溅射技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9Ld0.1）TiO3，PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构。分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构。测试了PLT10铁电薄膜的电学参数，研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系。发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365，介电损耗tgδ为0．02，热释电系数γ为2．20×10^-8C·（cm2·K）^-1，可以满足制备非制冷红外探测器的需要。 展开更多

关键词 掺镧钛酸铅 铁电薄膜 溅射 热释电

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