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题名掺氢非晶硅薄膜材料光稳定性的研究
被引量：2
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作者
薛华
于积贞
李永忠
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机构
西北民族学院物理系
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出处
《西北民族学院学报（自然科学版）》
2000年第1期14-16,48,共4页
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文摘
用射频辉光放电法制备了a Si:H样品 ,并对样品进行了光照测试 实验表明 ,样品经过光照后 ,光电流和暗电流逐渐减小 ,在光照初期 ,这种变化很大 ,随着光照时间增加 ,光诱导效应渐趋饱和 ,这种现象是由于强光照产生亚稳缺陷态所引起 讨论了在非晶硅氢薄膜中亚稳光诱导变化的机理 ,并解释了S
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关键词
S-W效应
缺陷态
掺氢非晶硅薄膜
光稳定性
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Keywords
S W effect
defect state
photocurrent
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
TN304.12
[理学—物理]
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