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Y掺杂Al_2O_3高k栅介质薄膜的制备及性能研究 被引量：1
1
作者 郭得峰 耿伟刚 +2 位作者 兰伟 黄春明 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期5901-5906,共6页
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌,用高频C_V和变频C_V及J_V测量了样品的电学特性.结果表明,Y的掺... 利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌,用高频C_V和变频C_V及J_V测量了样品的电学特性.结果表明,Y的掺入使电介质薄膜的介电常数k有了很大提高(8.14—11.8),并体现出了较好的介电特性.分析认为与氧具有较大电负性差的Y离子的加入,增大了薄膜中的金属—氧键(M—O)的强度;同时,Y的加入使Al2O3的结构和原子配位发生了改变,从而提高了离子极化对薄膜介电常数的贡献.退火前后的XRD谱均显示薄膜为非晶态;HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜非常平整,能够满足器件要求. 展开更多
关键词 高K栅介质 掺杂氧化铝 射频反应溅射
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磷掺杂氧化铝载体对裂解汽油二段加氢催化剂性能的影响 被引量：6
2
作者 梁顺琴 颉伟 +4 位作者 吴杰 康宏敏 常晓昕 王廷海 钱颖 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期63-65,共3页
将磷元素选择性插入Al2O3载体中调控载体的结构与表面性质。以改性Al2O3为载体,制备的Co-Mo-Ni催化剂酸性适中,活性组分分散性好,将其用于裂解汽油二段加氢,加氢产品硫含量小于0.5μg/g,溴价小于0.5 g/(100 g),经600 h运转后反应器压差... 将磷元素选择性插入Al2O3载体中调控载体的结构与表面性质。以改性Al2O3为载体,制备的Co-Mo-Ni催化剂酸性适中,活性组分分散性好,将其用于裂解汽油二段加氢,加氢产品硫含量小于0.5μg/g,溴价小于0.5 g/(100 g),经600 h运转后反应器压差无明显上升。 展开更多
关键词 催化剂 磷掺杂氧化铝载体 改性 裂解汽油 加氢
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ZnO膜膜厚对ZnO/p-Si异质结光电转换性能的影响
3
作者 卢沛洪 杨元政 +1 位作者 邓子谦 谢致薇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第7期425-429,共5页
采用射频磁控溅射法在p型Si衬底上制备了不同膜厚的氧化锌中掺杂氧化铝(AZO)薄膜。测试了电阻率、结构性质、光透过率、单色光光子-电子转换效率(IPCE)和电池性能谱,研究了膜厚对电池光电转换性能的影响。结果表明,在适当的膜厚内,随着... 采用射频磁控溅射法在p型Si衬底上制备了不同膜厚的氧化锌中掺杂氧化铝(AZO)薄膜。测试了电阻率、结构性质、光透过率、单色光光子-电子转换效率(IPCE)和电池性能谱,研究了膜厚对电池光电转换性能的影响。结果表明,在适当的膜厚内,随着膜厚的增大,异质结对波长300～400 nm的光的光电转换效率逐渐增大,对400 nm以上波长段光的光电转换效率逐渐减小;而膜厚过薄或过厚会导致光电转换率降低;溅射时间为30 min的样品膜厚最适中,为153.0 nm,样品的电池开路电压为0.399 V,短路电流为361.5μA,最大功率为40.8μW。 展开更多
关键词 氧化锌中掺杂氧化铝(AZO) 硅(Si) 太阳电池 光电转换 膜厚
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退火对Cr^(3+)离子掺杂Al_2O_3薄膜的结构及发光性能影响 被引量：1
4
作者 孙乃坤 杜宝盛 +3 位作者 高印博 柳峰 蔡宗岐 赵美星 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期1859-1862,共4页
用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%(质量分数)的Cr3+∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰。薄膜基本保... 用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%(质量分数)的Cr3+∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰。薄膜基本保持了靶材中原有各元素成分比例,平均粒径为250nm,形貌为条形。与Al2O3粉体相比,制备态薄膜在386nm处的发光峰强度明显提高。这可归因于薄膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2+色心浓度提高。薄膜经真空退火后在332、398nm附近的发光峰强度明显增强,这是由于薄膜中氧空位的增加提高了F+、F色心浓度。与此同时,制备态薄膜在386nm附近发光峰经退火后由386nm蓝移至381nm,可归因于退火后制备态薄膜的内应力得到了释放。1%(质量分数)Cr3+掺杂薄膜在646、694nm出现Cr3+离子由4 T2能级跃迁至4 A2能级及由E-能级跃迁至4 A2能级产生的荧光发光峰。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 Cr3+掺杂的氧化铝薄膜 荧光光谱 真空退火
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