期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
下世纪的抗蚀刻材料
1
作者 周鹤年 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期26-30,共5页
半导体大规模集成电路的集成度以相当快的速度逐年提高。现已大量生产4M DRAM(最小线宽0.8μm),1991～1992年将大量生产16M DRAM(最小线宽0.5μm)的产品。集成度之所以能如此急剧地提高是与光刻技术的发展分不开的,而该技术则依赖于抗... 半导体大规模集成电路的集成度以相当快的速度逐年提高。现已大量生产4M DRAM(最小线宽0.8μm),1991～1992年将大量生产16M DRAM(最小线宽0.5μm)的产品。集成度之所以能如此急剧地提高是与光刻技术的发展分不开的,而该技术则依赖于抗蚀刻材料的开发。表1是短波长抗蚀技术中对抗蚀剂特性的要求,而下世纪在64M和256M DRAM的制作中,对抗蚀剂特性的要求将更高。在此就短波长紫外线光刻。 展开更多
关键词 抗蚀刻材料 集成电路
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部