摘要
半导体大规模集成电路的集成度以相当快的速度逐年提高。现已大量生产4M DRAM(最小线宽0.8μm),1991～1992年将大量生产16M DRAM(最小线宽0.5μm)的产品。集成度之所以能如此急剧地提高是与光刻技术的发展分不开的,而该技术则依赖于抗蚀刻材料的开发。表1是短波长抗蚀技术中对抗蚀剂特性的要求,而下世纪在64M和256M DRAM的制作中,对抗蚀剂特性的要求将更高。在此就短波长紫外线光刻。
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期26-30,共5页
New Chemical Materials
