基于模拟电路的新型忆感器等效模型 被引量：12

1

作者 梁燕 于东升 陈昊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期510-519,共10页

本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型.通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型,给出了理论分析并结合Pspice软件进行了仿真验证.忆感... 本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型.通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型,给出了理论分析并结合Pspice软件进行了仿真验证.忆感器等效电路模型的韦安关系展现出典型的非线性磁滞回线特性.最后,运用实验手段研究了正弦波和三角波两种典型电压信号激励下忆感器与RC串联后电路的动态特征,证明了本文提出忆感器等效电路模型的有效性. 展开更多

关键词 忆阻器 忆感器 磁滞回线特性 PSPICE

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一种通用的记忆器件模拟器及在串联谐振电路中的应用 被引量：5

2

作者 李志军 向林波 肖文润 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第7期1626-1633,共8页

该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗(VCFI)电路与电流积分器,构建一种通用的记忆器件模拟器。该电路在拓扑结构保持不变的情况下,通过接入不同... 该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗(VCFI)电路与电流积分器,构建一种通用的记忆器件模拟器。该电路在拓扑结构保持不变的情况下,通过接入不同性质的元件能分别模拟忆阻器、忆容器和忆感器的电学行为。最后将提出的忆阻器、忆容器和忆感器分别替换RLC串联谐振电路中的电阻、电容和电感元件,并从时域和频域两方面研究了记忆器件对电路的影响。PSPICE仿真结果验证了该模拟器的可行性和有效性。 展开更多

关键词 忆阻器 忆容器 忆感器 RLC串联谐振

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一种忆感器模型及其振荡器的动力学特性研究 被引量：5

3

作者 袁方 王光义 靳培培 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期214-226,共13页

忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验... 忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验证的方法研究了忆感器模型的特性及其在电路中的动力学规律.分岔分析表明,在适当的参数下忆感器会使电路产生周期和混沌振荡.设计了实现忆感器模型及其振荡器的模拟电路,实验验证了忆感器模型和振荡器的特性,实验结果与理论分析完全一致. 展开更多

关键词 忆感器 振荡器 混沌

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基于Knowm忆阻器的新型忆感器模型的设计与分析 被引量：3

4

作者 朱雷杰 王发强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第19期269-275,共7页

以往有关忆阻器模型及其应用研究主要集中于忆阻器基本概念构建并分析忆阻器模型及其等效电路模型,而基于市场上商用忆阻器件的研究则很少.本文根据忆感器与忆阻器之间的理论关系,基于全球首款商用忆阻器芯片: Knowm 忆阻器,结合第二代... 以往有关忆阻器模型及其应用研究主要集中于忆阻器基本概念构建并分析忆阻器模型及其等效电路模型,而基于市场上商用忆阻器件的研究则很少.本文根据忆感器与忆阻器之间的理论关系,基于全球首款商用忆阻器芯片: Knowm 忆阻器,结合第二代电流传输器和跨导运算放大器,构建了一种新型忆感器模型.通过调节输入信号的频率和幅值以及运算跨导放大器的跨导增益,可有效地在电路中实现忆感器忆感值的连续调节.设计了新型忆感器的 LTspice 电路模型和硬件实验电路,以电路仿真结果和硬件电路实验结果验证了新型忆感器模型的有效性和设计方法的正确性. 展开更多

关键词 Knowm忆阻器 跨导 忆感器

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一个具有隐藏与共存吸引子的忆感器混沌系统 被引量：3

5

作者 吴泽炎 顾梅园 李付鹏 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2019年第4期6-11,50,共7页

在磁控忆感器数学模型的基础上,提出了一个新型四维连续混沌系统,通过分析系统的李雅普诺夫指数、分岔图和Poincaré截面等基本动力学特性,验证了系统的混沌特性。随着参数的变化,新系统可产生逆倍周期分岔现象,在系统参数固定不变... 在磁控忆感器数学模型的基础上,提出了一个新型四维连续混沌系统,通过分析系统的李雅普诺夫指数、分岔图和Poincaré截面等基本动力学特性,验证了系统的混沌特性。随着参数的变化,新系统可产生逆倍周期分岔现象,在系统参数固定不变而初始条件变化时,系统出现共存吸引子,并在特定条件下,出现隐藏吸引子。仿真实验表明:系统出现的混沌现象与理论分析结果一致。 展开更多

关键词 忆感器 混沌系统 共存吸引子 隐藏吸引子

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忆感等效电路的特性分析与实验验证 被引量：3

6

作者 史致远 王春丽 +1 位作者 包伯成 冯霏 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期845-849,共5页

忆感器是从忆阻器概念推演出来的一个新的具有记忆功能的非线性电路元件。基于忆感近似等效电路模型,采用一个有源磁控忆阻器实现等效电路中的忆阻器,建立了忆感近似等效电路的状态方程组;借助MATLAB数学工具软件,进行了等效忆感器特性... 忆感器是从忆阻器概念推演出来的一个新的具有记忆功能的非线性电路元件。基于忆感近似等效电路模型,采用一个有源磁控忆阻器实现等效电路中的忆阻器,建立了忆感近似等效电路的状态方程组;借助MATLAB数学工具软件,进行了等效忆感器特性的数值仿真分析。结果表明,等效忆感器的韦安关系呈现典型的紧磁滞回线特性,且依赖于外加电压激励频率。通过有源磁控忆阻器的等效电路进行了忆感近似等效电路的实验验证,实验测量结果和数值仿真结果基本一致,说明了忆感近似等效电路模型的正确性。 展开更多

关键词 等效电路 实验 韦安关系 忆感器 仿真

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基于Matlab的忆感器建模仿真及应用 被引量：3

7

作者 张金铖 李传东 李超辈 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期239-245,共7页

忆感器是一种有记忆能力的非线性电感器,其电感值的变化依赖于流过它的电荷数或磁通量。对于这种新的纳米级的电子元件,从电路学的基本原理出发,推导了它的基本公式,从数值分析的角度提出了一种新的基于Matlab的忆感器的建模及仿真方法... 忆感器是一种有记忆能力的非线性电感器,其电感值的变化依赖于流过它的电荷数或磁通量。对于这种新的纳米级的电子元件,从电路学的基本原理出发,推导了它的基本公式,从数值分析的角度提出了一种新的基于Matlab的忆感器的建模及仿真方法,验证了忆感器的典型的磁滞回环现象,并利用这种方法重点分析了忆感器在非易失性存储和人工神经网络中的应用。实验表明,该建模方法准确地反映了忆感器的特性,同时也说明了忆感器在众多的领域里具有很高的潜在的应用价值。 展开更多

关键词 忆感器 MATLAB SIMULINK 非易失性存储 人工神经网络

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纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破 被引量：1

8

作者 于凌宇 刘夏飞 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2016年第1期15-20,共6页

该文阐述了纳米记忆元件的内涵和工作机理,探讨了记忆元件的国内外研发进展,深入分析了记忆元件对电子科技的重大突破。为我国紧密跟踪记忆元件科技前沿,精准找好切入点,奋力抢占制高点提供一定的技术基础。

关键词 记忆元件 忆阻器 忆容器 忆感器 研发 突破

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一种分数阶流控忆感器的幅频特性分析 被引量：2

9

作者 刘梦 甘朝晖 张士英 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1179-1187,共9页

忆感器是一种具有非线性特性的记忆元件,是记忆元器件家族中的重要一员。忆感器的研究主要集中在时域特性的分析上,而频域特性的研究还没有开展。在研究了一种带有非线性窗函数的分数阶流控忆感器模型的基础上,分析了它在不同电流激励... 忆感器是一种具有非线性特性的记忆元件,是记忆元器件家族中的重要一员。忆感器的研究主要集中在时域特性的分析上,而频域特性的研究还没有开展。在研究了一种带有非线性窗函数的分数阶流控忆感器模型的基础上,分析了它在不同电流激励信号下的幅频响应特性,并总结了分数阶阶次以及非线性窗函数的控制参数对分数阶流控忆感器幅频特性影响的规律,这对忆感器频域特性的研究具有一定的指导意义。 展开更多

关键词 忆感器 分数阶 幅频 特性

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忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真 被引量：1

10

作者 曹新亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期120-123,178,共5页

忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源... 忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源等效。MATLAB的系统级仿真结果表明:等效忆感器具有电流-磁通量之间的自收缩滞回特性,这与理论概念上的忆感特性相吻合,为忆感器在电子学中产生新功能的实验研究提供了功能模拟实体。 展开更多

关键词 忆感器 忆阻器 有源等效 滞回特性

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高科记忆元件力推知识经济崛起

11

作者 于业丽 于凌宇 《当代经济》 2016年第4期12-13,共2页

随着信息技术快速提升,信息化与全球化迅猛推进,人类大步跨入了知识经济新时代。本文简介了纳米记忆元件发展概况,探讨了其突破芯片技术极限,推动信息技术进步、信息产业升级和知识经济崛起的战略意义,展望了其高新科技应用前景。

关键词 记忆元件 忆阻器 忆容器 忆感器 信息技术 信息产业 知识经济

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忆感器的Simulink模型及其特性分析 被引量：1

12

作者 李程 汪晓东 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期584-587,共4页

忆感器是一种具有记忆功能的非线性电感器。根据忆感器的数学模型,建立了Simulink仿真模型,并由该模型的仿真结果得到关于忆感器的典型特性,验证了模型的有效性。研究了不同参数对忆感器特性的影响。根据该模型,磁控忆感系统的建模也可... 忆感器是一种具有记忆功能的非线性电感器。根据忆感器的数学模型,建立了Simulink仿真模型,并由该模型的仿真结果得到关于忆感器的典型特性,验证了模型的有效性。研究了不同参数对忆感器特性的影响。根据该模型,磁控忆感系统的建模也可以采用类似的方法。 展开更多

关键词 忆感器 模型 SIMULINK

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忆感器文氏电桥振荡器 被引量：1

13

作者 许碧荣 王光义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期53-65,共13页

为了探索新型忆感器的特性,提出了一种新的忆感器模型,该模型考虑了内部变量的影响,更符合未来实际忆感器的性能.建立了其等效电路,分析了其特性.利用该忆感器模型,设计了一种忆感器文氏电桥混沌振荡器,分析了系统的稳定性和动力学行为... 为了探索新型忆感器的特性,提出了一种新的忆感器模型,该模型考虑了内部变量的影响,更符合未来实际忆感器的性能.建立了其等效电路,分析了其特性.利用该忆感器模型,设计了一种忆感器文氏电桥混沌振荡器,分析了系统的稳定性和动力学行为.研究发现,此系统不仅存在周期、拟周期和混沌等多种状态,还发现了一些重要的动力学现象,如恒Lyapunov指数谱、非线性调幅、共存分岔模式和吸引子共存等复杂非线性现象,说明了这些特殊现象的基本机理和潜在应用.最后进行电路实验验证,验证了该振荡器的混沌特性. 展开更多

关键词 忆感器 文氏电桥 混沌 吸引子共存

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一种磁控忆感模拟器的设计及其特性分析 被引量：1

14

作者 杨凌 苏婧 +1 位作者 黄麟 蒲中柱 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期744-749,共6页

记忆器件的出现为电路设计提供了新的方法,由于目前尚无法获得实际的记忆器件,所以研究人员通常通过搭建电路模拟器的方法对其进行研究。本文直接从忆感器的定义出发,建立了一种磁控忆感器的数学模型,采用通用电路元器件设计了一种不包... 记忆器件的出现为电路设计提供了新的方法,由于目前尚无法获得实际的记忆器件,所以研究人员通常通过搭建电路模拟器的方法对其进行研究。本文直接从忆感器的定义出发,建立了一种磁控忆感器的数学模型,采用通用电路元器件设计了一种不包含忆阻器的磁控忆感"浮地"电路模拟器,并采用Matlab和Multisim混合仿真的方法,给出了在不同交变信号激励以及不同参数下磁控忆感电路模拟器的系统级仿真实验,结果表明:所设计的磁控忆感器具有磁通-电流之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电感,这与理论概念上的忆感器特性相吻合,从而为忆感器在电子学领域产生新的应用电路提供了器件模拟实体。 展开更多

关键词 模拟器 浮地 忆感器 磁滞回线特性

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基于忆容器和忆感器的混沌振荡电路设计

15

作者 臧寿池 王光义 史传宝 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2017年第3期6-10,共5页

忆容器和忆感器是在忆阻器基础上定义的两种新型非线性记忆元件,目前未实现实际的忆容器和忆感器.为探究忆容器和忆感器在非线性电路中的特性,基于其数学模型设计了一个基于忆容器和忆感器的混沌振荡电路.通过对系统的分岔特性和Lyapou... 忆容器和忆感器是在忆阻器基础上定义的两种新型非线性记忆元件,目前未实现实际的忆容器和忆感器.为探究忆容器和忆感器在非线性电路中的特性,基于其数学模型设计了一个基于忆容器和忆感器的混沌振荡电路.通过对系统的分岔特性和Lyapounov指数等动力学特性的分析得出:在参数固定初始条件不同的情况下,系统出现了共存吸引子现象.对混沌系统进行了DSP实验验证,DSP实验结果与数值分析结果具有一致性. 展开更多

关键词 忆容器 忆感器 混沌振荡器 共存吸引子

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一种基于Volterra级数的FOM时域建模方法 被引量：1

16

作者 甘朝晖 吴骞 +1 位作者 尚涛 杨朋杰 《计算机仿真》 北大核心 2022年第8期307-310,402,共5页

忆感器是一种新型的非线性电子元件,具有较大的应用前景,受到了研究人员的广泛关注。目前忆感器还没有实际的产品出现,对它的研究主要集中于忆感器的数学模型和等效电路。Volterra级数是泰勒级数的拓展,适用于非线性系统特性的研究。结... 忆感器是一种新型的非线性电子元件,具有较大的应用前景,受到了研究人员的广泛关注。目前忆感器还没有实际的产品出现,对它的研究主要集中于忆感器的数学模型和等效电路。Volterra级数是泰勒级数的拓展,适用于非线性系统特性的研究。结合Volterra级数的特性提出了一种分数阶忆感器时域建模方法,并详细分析了Volterra级数的两种控制参数对其所建模型的影响。仿真结果验证了应用Volterra级数构建分数阶忆感器时域模型方法的正确性。 展开更多

关键词 分数阶忆感器 非线性系统 建模

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一种浮地磁控忆感模拟器的设计及其特性分析

17

作者 杨凌 石莹 +2 位作者 胡丙萌 陈璐 苏婧 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期1337-1346,共10页

直接从忆感器的定义出发,建立了一种磁控忆感器的数学模型,基于该模型采用通用电路元器件设计了一种不包含忆阻器的磁控忆感器"浮地"电路模拟器,借助Matlab和Multisim仿真工具软件,进行了等效忆感电路模拟器在不同信号、不同... 直接从忆感器的定义出发,建立了一种磁控忆感器的数学模型,基于该模型采用通用电路元器件设计了一种不包含忆阻器的磁控忆感器"浮地"电路模拟器,借助Matlab和Multisim仿真工具软件,进行了等效忆感电路模拟器在不同信号、不同参数下的系统级仿真实验,完成了硬件电路的实现及性能测试。软件仿真和硬件测试结果均表明:所设计的磁控忆感器具有磁通-电流之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电感,这与理论概念上的忆感器特性相吻合,从而为忆感器在电子学领域产生新的应用电路提供了器件模拟实体。 展开更多

关键词 浮地 磁控忆感器 模拟器 磁滞回线特性

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