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宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
被引量：
6
1
作者
徐军
谢家纯
+3 位作者
董小波
王克彦
李垚
易波
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期320-323,共4页
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏...
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .
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关键词
宽禁带SiC肖特基势垒二极管
碳化硅
半导体器件
微电子
平面工艺
正向整流特性
反向漏电流
下载PDF
职称材料
微型化Clark氧传感器
2
作者
朱建中
《电子与仪表》
1997年第5期25-28,共4页
叙述运用微电子平面工艺和微机械加工技术实现的微型化Ｃｌａｒｋ氧传感器及其应用实例－微型葡萄糖传感器。
关键词
微电子
平面工艺
氧传感器
葡萄糖
化学传感器
下载PDF
职称材料
题名
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
被引量：
6
1
作者
徐军
谢家纯
董小波
王克彦
李垚
易波
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期320-323,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (5D132 0 40 )
文摘
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .
关键词
宽禁带SiC肖特基势垒二极管
碳化硅
半导体器件
微电子
平面工艺
正向整流特性
反向漏电流
Keywords
Wide Forbidden Band
SiC
Schottky Barrier
Diode
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微型化Clark氧传感器
2
作者
朱建中
出处
《电子与仪表》
1997年第5期25-28,共4页
文摘
叙述运用微电子平面工艺和微机械加工技术实现的微型化Ｃｌａｒｋ氧传感器及其应用实例－微型葡萄糖传感器。
关键词
微电子
平面工艺
氧传感器
葡萄糖
化学传感器
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
Q－331 [自动化与计算机技术—控制科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
徐军
谢家纯
董小波
王克彦
李垚
易波
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
下载PDF
职称材料
2
微型化Clark氧传感器
朱建中
《电子与仪表》
1997
0
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职称材料
已选择
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