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正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料的制备及性能研究 被引量：2
1
作者 梁先文 于淑会 +2 位作者 孙蓉 罗遂斌 庄志强 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2010年第4期40-44,共5页
利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料。研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响。结果表明:正... 利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料。研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响。结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2绝缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%)。由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%)。 展开更多
关键词 正硅酸乙酯 聚偏二氟乙烯 复合材料 嵌入式电容 纳米银
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多层PCB介质基板中嵌入高K材料对信号完整性的影响 被引量：1
2
作者 胡玉生 《安全与电磁兼容》 2019年第4期53-56,共4页
采用数值仿真分析了多层PCB的电源/地平面中嵌入高K材料对过孔转换信号完整性的影响。研究了电源/地平面间的介质层整体采用高介电常数(高K)材料时信号过孔的S参数,并提出了两种局部添加高K材料的方法,一是在过孔周围布置一个包围过孔... 采用数值仿真分析了多层PCB的电源/地平面中嵌入高K材料对过孔转换信号完整性的影响。研究了电源/地平面间的介质层整体采用高介电常数(高K)材料时信号过孔的S参数,并提出了两种局部添加高K材料的方法,一是在过孔周围布置一个包围过孔的介质柱,二是在过孔周围均匀布置若干个小介质柱。计算结果表明,介质层整体采用高K材料会引起较多的谐振,信号完整性变差;当嵌入介质材料的介电常数足够大时,在过孔周围局部嵌入高K材料的方法可明显增强信号完整性,其中,包围过孔的单个介质柱在高频时的性能良好,而在过孔周围嵌入多个小介质柱在低频时的效果较好。 展开更多
关键词 信号完整性 过孔转换 嵌入式电容 高K 材料 电源/地平面 多层PCB
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用于嵌入式电容的高K绝缘材料
3
作者 Toshihisa Nonaka 李桂云（编译） 《现代表面贴装资讯》 2006年第1期32-37,共6页
本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究，并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol％的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115，这一数据与大于10nF／cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时... 本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究，并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol％的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115，这一数据与大于10nF／cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时，在10GHz下获得的介电常数为100。对于填料表面的化学态评估，这种评估是采用FT-IR光谱分析实施的，评估结果说明填料表面吸水增加了介电损耗。在添加了分散剂和树脂成分以及在优化了固化条件后，在1MHz下，复合材料的介电损耗为0．02。对温度与介电常数的关系曲线线进行了评估，而结果显示值小。还对复合材料的激光导通孔的形成工艺进行了检测。在10μm厚的膜中可生成100μm直径的导通孔已得到了确认。通过对膜的应力测试而获得的复合材料的共面热膨胀系数为17ppm／℃。该值与Cu的热膨胀系数吻合。对弹性模量进行了测量，发现填料在75vol％下时为18GPa。 展开更多
关键词 嵌入式电容 SIP 高K
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嵌入式电容器与储能用聚合物/陶瓷介电复合材料的研究进展
4
作者 简刚 封亮 《江苏科技大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第4期25-30,共6页
具有高介电常数、低介电损耗、高储能密度的聚合物/陶瓷复合材料在电子电气行业和能源等领域有重要的应用前景.文中结合本课题组的工作和国内外近年来在这一领域的研究成果,对聚合物/陶瓷高性能介电复合材料的研究进展进行了介绍.重点... 具有高介电常数、低介电损耗、高储能密度的聚合物/陶瓷复合材料在电子电气行业和能源等领域有重要的应用前景.文中结合本课题组的工作和国内外近年来在这一领域的研究成果,对聚合物/陶瓷高性能介电复合材料的研究进展进行了介绍.重点讨论了陶瓷填料的种类和形貌对复合材料介电性能的影响以及陶瓷填料的表面特性和复合材料的多层结构对介电材料击穿强度的影响.分析了陶瓷填料形貌及复合材料结构调控材料介电及击穿性能等方面存在的问题及解决途径.为开发用于嵌入式电容器和储能器件的高性能介电复合材料提供相应依据. 展开更多
关键词 嵌入式电容器 聚合物/陶瓷 介电常数 击穿强度 储能密度
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嵌入式电容器用钛酸钡/环氧复合材料性能的研究 被引量：3
5
作者 陈惠玲 余萍 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期213-215,219,共4页
将颗粒尺寸分布较宽的钛酸钡（BT）粉末与环氧树脂采用溶液共混旋涂工艺制备了嵌入式电容器材料，并对该复合材料的显微结构、晶相、热稳定性及介电性能进行了分析。研究表明，该复合材料的介电常数及介电损耗与陶瓷相含量和陶瓷粉末的... 将颗粒尺寸分布较宽的钛酸钡（BT）粉末与环氧树脂采用溶液共混旋涂工艺制备了嵌入式电容器材料，并对该复合材料的显微结构、晶相、热稳定性及介电性能进行了分析。研究表明，该复合材料的介电常数及介电损耗与陶瓷相含量和陶瓷粉末的分散有关；在20-150kHz频率范围内，复合材料介电常数的变化较为稳定，而介电损耗值均在0.036-0.039之间，随频率增大略有增大；受BT粒子的影响，复合材料基体聚合物的有序排列分子结构被破坏，环氧树脂分子链的排列密度降低；BT粉末的加入及BT含量的增加均导致材料体系的固化温度和热分解温度提高。 展开更多
关键词 复合材料 钛酸钡(BT) 嵌入式电容器 介电性能
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基于新型纳米复合介电材料的嵌入式微电容制备及特性(英文) 被引量：1
6
作者 谢丹 武潇 +2 位作者 任天令 刘理天 党智敏 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第5期460-464,共5页
嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米无机填充颗粒,选用聚酰亚胺(PI)作为有机基体制备新型BaTiO3... 嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米无机填充颗粒,选用聚酰亚胺(PI)作为有机基体制备新型BaTiO3/PI纳米复合薄膜,并对该薄膜的介电性能、耐压特性及温度特性进行了测试;并采用光刻、溅射、刻蚀等工艺,对BaTiO3/PI纳米复合薄膜进行图形化研究,制造嵌入式微电容器件原型,其后对该器件的介电性能进行了测试.测试结果显示,嵌入式电容器件原型的介电常数在低频下达到15以上,击穿场强达到58 MV/m以上,而刻蚀和溅射工艺对薄膜的性能影响不大. 展开更多
关键词 嵌入式微电容 聚酰亚胺(PI) 钛酸钡(BT) 图形化
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