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用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜 被引量：4
1
作者 朋兴平 谭永胜 +2 位作者 方泽波 杨映虎 王印月 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期701-704,共4页
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分... 以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa),薄膜表面平整。样品为n型导电,电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应共溅射
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In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究 被引量：1
2
作者 朋兴平 杨映虎 +2 位作者 季涛 方泽波 王印月 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期82-85,共4页
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和... 通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2). 展开更多
关键词 ZNO薄膜 In掺杂 射频反应共溅射 结构
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Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究 被引量：52
3
作者 朋兴平 兰伟 +2 位作者 谭永胜 佟立国 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2705-2709,共5页
通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂... 通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂量为 2 5 %时 ,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰 ,而溅射功率为 1 0 0W ,Cu掺杂量为1 5 %时 ,出现了位于 4 37nm(2 84eV)处较强的蓝光峰 ,后者的取向性较好 .还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响 。 展开更多
关键词 铜掺杂 氧化锌薄膜 光致发光谱 射频反应共溅射法 氧化物半导体材料
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TiO_2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响 被引量：4
4
作者 刘涛 李合琴 +3 位作者 刘丹 武大伟 吕晓庆 宋泽润 《真空》 CAS 北大核心 2011年第6期21-24,共4页
用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析... 用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明:在溅射气压为1 Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密,晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显。 展开更多
关键词 掺钨VOx薄膜 TiO2缓冲层 直流/射频反应磁控共溅射 光透过率
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