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题名考虑导体厚度的微带结构计算方法研究
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作者
陈挺
李英
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机构
上海大学通信工程系
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2000年第1期51-55,共5页
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基金
国家自然科学基金
东南大学毫米波国家重点实验室资助项目
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文摘
本文主要研究考虑导体厚度的三维微带结构 ,使用若干个零厚度导体去模拟厚导体 ,为了减少计算量和简化计算方法 ,用复镜象表示格林函数 ,Chebyshev多项式表示电荷密度 ,通过伽略金方法把求解方程变为矩阵方程 ,计算电容系数。本文结果与已知结果比较 ,发现此法对三维厚导体板结构进行模拟较简单明了 ,精度足够 ,占用 CPU时间也较少。
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关键词
集成电路
复镜象法
VLSI
导体厚度
微带结构
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Keywords
D microwave integrated circuit,Complex image theory
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分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名导体厚度对LTCC电路微波性能的影响
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作者
侯清健
张兆华
胡永芳
崔凯
谢廉忠
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机构
南京电子技术研究所
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出处
《贵金属》
CAS
北大核心
2021年第4期27-31,共5页
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文摘
贵金属导体占据低温共烧陶瓷(LTCC)成本的主要部分,降低贵金属导体用量是控制LTCC成本的重要途径之一。采用不同目数的丝网印刷获得了不同厚度的金属导体,研究了不同厚度导体对带状线的微波性能影响;制作了低膜层厚度的T/R组件,并测试了其的微波性能。研究结果表明,导体厚度控制在5μm以上对带状线的插入损耗和回波损耗影响较小,对T/R组件输出功率和接收增益等关键指标影响也不大。通过控制导体厚度可以有效降低LTCC成本,并且不影响LTCC电路的微波性能。
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关键词
低温共烧陶瓷
微波电路
带状线
导体厚度
T/R组件
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Keywords
LTCC
microwave circuit
stripline
conductor thickness
T/R module
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分类号
TN61
[电子电信—电路与系统]
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题名OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究
被引量：2
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作者
刘向
刘惠
薛钰芝
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机构
大连交通大学材料学院
大连理工大学电信学院
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期66-70,共5页
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基金
大连交通大学博士启动基金
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文摘
用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件,对比酞菁铜厚度为15、40、80nm的3种器件性能后,得到40nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率。分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V.s,阈值电压为-9.5V。
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关键词
酞菁铜
半导体厚度
载流子迁移率
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Keywords
CuPc
thickness of semiconductor
mobility
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分类号
TN27
[电子电信—物理电子学]
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