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国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS
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作者 魏昕宇 陆妩 +6 位作者 李小龙 王信 孙静 于新 姚帅 刘默寒 郭旗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期369-374,共6页
研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总... 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应（ELDRS）,且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。 展开更多
关键词 国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤 剂量率
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