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CMOS多晶电容工艺误差分析及设计研究
被引量：
1
1
作者
朱樟明
杨银堂
+1 位作者
张春朋
付晓东
《电子器件》
CAS
2004年第1期24-26,共3页
研究分析了CMOS多晶电容的工艺误差,给出了氧化硅介质层厚度的梯度误差、边际效应等工艺因素对CMOS多晶电容的影响。基于单位电容的改进设计,给出了CMOS多晶电容阵列的共心设计方法。采用0.6μmCMOS DPDM工艺,实现了基于CMOS多晶电容阵...
研究分析了CMOS多晶电容的工艺误差,给出了氧化硅介质层厚度的梯度误差、边际效应等工艺因素对CMOS多晶电容的影响。基于单位电容的改进设计,给出了CMOS多晶电容阵列的共心设计方法。采用0.6μmCMOS DPDM工艺,实现了基于CMOS多晶电容阵列的开关电容带通滤波器,实验结果表明本文的CMOS多晶电容设计方法具有较高的精度,能直接用于亚微米及深亚微米集成电路设计。
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关键词
多晶
电容
CMOS
工艺误差
共心分布
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职称材料
题名
CMOS多晶电容工艺误差分析及设计研究
被引量：
1
1
作者
朱樟明
杨银堂
张春朋
付晓东
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2004年第1期24-26,共3页
基金
国家高技术研究发展863计划资助项目(2002AA1Z1210)
文摘
研究分析了CMOS多晶电容的工艺误差,给出了氧化硅介质层厚度的梯度误差、边际效应等工艺因素对CMOS多晶电容的影响。基于单位电容的改进设计,给出了CMOS多晶电容阵列的共心设计方法。采用0.6μmCMOS DPDM工艺,实现了基于CMOS多晶电容阵列的开关电容带通滤波器,实验结果表明本文的CMOS多晶电容设计方法具有较高的精度,能直接用于亚微米及深亚微米集成电路设计。
关键词
多晶
电容
CMOS
工艺误差
共心分布
Keywords
Poly-silicon capacitor
CMOS
Technology Errors
Common-center floorplan
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS多晶电容工艺误差分析及设计研究
朱樟明
杨银堂
张春朋
付晓东
《电子器件》
CAS
2004
1
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职称材料
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