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在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究
1
作者 樊路嘉 秦明 《电子器件》 CAS 2002年第2期157-159,共3页
本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅... 本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应 (PDE) ,并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响。结果表明 :即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜 ,也未曾观察到PDE。 展开更多
关键词 硅化物 多晶栅耗尽效应 硅化镍膜
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下一代栅材料—难熔金属
2
作者 周华杰 徐秋霞 《电子器件》 CAS 2007年第2期398-402,共5页
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了选... 随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了选择难熔金属栅材料所需考虑的因素以及五种主要的制备工艺,并对比了它们各自的优缺点. 展开更多
关键词 金属栅 难熔金属 多晶硅栅耗尽效应 硼穿通
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