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VDMOS栅源漏电的经验解析
1
作者
方绍明
赵美英
闻正锋
《电子技术（上海）》
2020年第3期30-32,共3页
针对VDMOS的栅源漏电(Igss)机理进行分析,对于平面型VDMOS、沟槽型VDMOS栅源漏电的各种原因进行分析,并列出各种芯片生产实例,提出相应工艺改善措施进行总结。
关键词
集成电路制造
垂直
双扩散
mos
栅源漏电
良率
原文传递
考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型
被引量：
1
2
作者
鲍嘉明
孙伟锋
时龙兴
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期612-616,共5页
在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移区电压降求解方法等在内的一整套处理方法,并由此提出了VDMOS的一种改进物理模型。计算结果表明,与Kim Ye...
在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移区电压降求解方法等在内的一整套处理方法,并由此提出了VDMOS的一种改进物理模型。计算结果表明,与Kim Yeong-Seuk等人提出的模型相比,该改进模型在更大的工作电压范围内都具有较高的计算精度,特别是在VDMOS发生准饱和效应时,计算精度有较大程度的提高,更加符合MEDICI的模拟结果。
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关键词
垂直
双扩散
mos
场效应晶体管
物理模型
准饱和效应
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职称材料
硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进
被引量：
1
3
作者
鲍嘉明
孙伟锋
+1 位作者
赵野
陆生礼
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期312-315,370,共5页
在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计...
在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计算精度,与Yeong-seukKim等人的模型相比,改进模型的计算精度有较大的提高。
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关键词
垂直
双扩散
mos
场效应晶体管
静态物理模型
解析解
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职称材料
高压VDMOS的一种高精度静态物理模型
4
作者
鲍嘉明
孙伟锋
+1 位作者
赵野
陆生礼
《中国工程科学》
2008年第2期72-78,共7页
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解析...
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程,由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明,该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高,具有较高的计算精度,特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下,其计算精度有较大程度的提高。
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关键词
垂直
双扩散
mos
场效应晶体管
静态物理模型
解析方法
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职称材料
题名
VDMOS栅源漏电的经验解析
1
作者
方绍明
赵美英
闻正锋
机构
深圳市明微电子股份有限公司
深圳方正微电子有限公司
华为技术有限公司
出处
《电子技术（上海）》
2020年第3期30-32,共3页
文摘
针对VDMOS的栅源漏电(Igss)机理进行分析,对于平面型VDMOS、沟槽型VDMOS栅源漏电的各种原因进行分析,并列出各种芯片生产实例,提出相应工艺改善措施进行总结。
关键词
集成电路制造
垂直
双扩散
mos
栅源漏电
良率
Keywords
IC manufacturing
VD
mos
Igss
yield
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型
被引量：
1
2
作者
鲍嘉明
孙伟锋
时龙兴
机构
北方工业大学信息工程学院微电子学系
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期612-616,共5页
文摘
在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移区电压降求解方法等在内的一整套处理方法,并由此提出了VDMOS的一种改进物理模型。计算结果表明,与Kim Yeong-Seuk等人提出的模型相比,该改进模型在更大的工作电压范围内都具有较高的计算精度,特别是在VDMOS发生准饱和效应时,计算精度有较大程度的提高,更加符合MEDICI的模拟结果。
关键词
垂直
双扩散
mos
场效应晶体管
物理模型
准饱和效应
Keywords
VD
mos
Physical model
Quasi-saturation effect
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进
被引量：
1
3
作者
鲍嘉明
孙伟锋
赵野
陆生礼
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期312-315,370,共5页
基金
国家"863"计划(No.2003AA1Z1400)资助
文摘
在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计算精度,与Yeong-seukKim等人的模型相比,改进模型的计算精度有较大的提高。
关键词
垂直
双扩散
mos
场效应晶体管
静态物理模型
解析解
Keywords
VD
mos
FET
steady-state physical model
analytic solution
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高压VDMOS的一种高精度静态物理模型
4
作者
鲍嘉明
孙伟锋
赵野
陆生礼
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《中国工程科学》
2008年第2期72-78,共7页
基金
"八六三"国家高技术研究发展计划资助项目(20041Z1060)
文摘
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程,由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明,该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高,具有较高的计算精度,特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下,其计算精度有较大程度的提高。
关键词
垂直
双扩散
mos
场效应晶体管
静态物理模型
解析方法
Keywords
VD
mos
steady-state physical model
analytical method
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VDMOS栅源漏电的经验解析
方绍明
赵美英
闻正锋
《电子技术（上海）》
2020
0
原文传递
2
考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型
鲍嘉明
孙伟锋
时龙兴
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
3
硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进
鲍嘉明
孙伟锋
赵野
陆生礼
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
4
高压VDMOS的一种高精度静态物理模型
鲍嘉明
孙伟锋
赵野
陆生礼
《中国工程科学》
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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