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热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p^+/n^+发射极研究 被引量：2
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作者 宿世超 王涛 +6 位作者 韩宇哲 田罡煜 黄海宾 高超 岳之浩 袁吉仁 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2591-2595,共5页
为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散。采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中... 为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散。采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG。通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50~250Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150~600Ω/□范围内可控的p+型发射极。并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除。 展开更多
关键词 HWCVD 晶硅太阳电池 固态扩散源 发射极 方阻
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用纸型固态扩散源制作硅功率整流管的工艺
2
作者 伏炳万 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1992年第1期52-54,共3页
对采用纸型固态扩散源制作硅功率整流管的一次全扩散工艺进行了试验，提出了适用于ZP200A整流管生产线的一次全扩展工艺方法，并对此工艺方法做了经济分析，认为该方法是降低成本，提高产品质量，创造经济效益的好途径。
关键词 电力半导体器件 硅功率整流管 纸型固态扩散源
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