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高分辨磁旋转编码器磁鼓表露磁场分析与AMR检测磁头设计 被引量：14
1
作者 王立锦 胡强 +1 位作者 滕蛟 朱逢吾 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期498-501,532,共5页
应用静磁场理论分析了高分辨磁旋转编码器磁鼓的表露磁场,通过数值计算得到磁鼓表露场分布的直观曲线.设计制作出性能优良的磁旋转编码器AMR检测磁头,理论分析结果与对磁鼓表露磁场的实际测试结果进行了分析对比.结果表明,AMR检测磁头... 应用静磁场理论分析了高分辨磁旋转编码器磁鼓的表露磁场,通过数值计算得到磁鼓表露场分布的直观曲线.设计制作出性能优良的磁旋转编码器AMR检测磁头,理论分析结果与对磁鼓表露磁场的实际测试结果进行了分析对比.结果表明,AMR检测磁头输出信号形状与幅度及其倍频特性与理论计算结果是相符的. 展开更多
关键词 磁性旋转编码器 各向异性磁电阻(amr) 磁电阻磁头
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Al_2O_3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究 被引量：7
2
作者 丁雷 王乐 +1 位作者 滕蛟 于广华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期26-29,共4页
各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiF... 各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响。结果表明:由于Al2O3层的"镜面反射"作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值,当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%。性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的"镜面反射"作用外,抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素。 展开更多
关键词 NiFe薄膜 各向异性磁电阻(amr) 纳米氧化层 镜面反射
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热处理对Ta／Ni0.65Co0.35薄膜微结构和磁电阻性能的影响 被引量：2
3
作者 王立锦 陈连康 +3 位作者 郭歌 王云蛟 于亚多 于广华 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期362-365,387,共5页
选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以... 选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加. 展开更多
关键词 各向异性磁电阻(amr) 薄膜材料 织构 传感器 灵敏度
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NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性 被引量：1
4
作者 张辉 滕蛟 +2 位作者 于广华 吴杏芳 朱逢吾 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期599-602,共4页
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算... 采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率．结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程．宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难．在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘． 展开更多
关键词 NiFe膜 各向异性磁电阻(amr) amr元件 非均匀退磁场 磁化反转
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退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响 被引量：1
5
作者 季红 季勇 +3 位作者 周萍 郑鹉 王艾玲 姜宏伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期813-815,819,共4页
用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都... 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象. 展开更多
关键词 各向异性磁电阻(amr) 织构 晶粒尺寸 NiCo薄膜
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磁控溅射制备高质量Fe_(20)Ni_(80)薄膜（英文）
6
作者 王娇 张艺超 杨建红 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第6期364-368,共5页
采用磁控溅射的方法制备了高质量的铁镍合金(Fe_(20)Ni_(80))软磁性薄膜,探究了制备过程中溅射条件对Fe_(20)Ni_(80)薄膜质量的影响,包括溅射气压、溅射功率、退火温度和薄膜厚度等。这些条件或改变了溅射时的溅射速率,或改变了溅射出... 采用磁控溅射的方法制备了高质量的铁镍合金(Fe_(20)Ni_(80))软磁性薄膜,探究了制备过程中溅射条件对Fe_(20)Ni_(80)薄膜质量的影响,包括溅射气压、溅射功率、退火温度和薄膜厚度等。这些条件或改变了溅射时的溅射速率,或改变了溅射出来的粒子的平均自由程,进而影响制备的Fe_(20)Ni_(80)薄膜的性质,包括薄膜晶粒取向、各向异性磁电阻及垂直各向异性等。通过分别改变薄膜制备过程中的工作气压、溅射功率、退火温度及薄膜厚度等,制备了具有高的各向异性磁电阻、低垂直各向异性和很小的矫顽力的Fe_(20)Ni_(80)薄膜,为下一步制备基于Fe_(20)Ni_(80)薄膜的自旋整流器件提供了工艺基础。 展开更多
关键词 Fe_(20)Ni_(80)薄膜 磁控溅射 各向异性磁电阻(amr) 软磁性薄膜 自旋整流器件
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AMR磁栅尺磁头输出波形的半次谐波现象与分析 被引量：2
7
作者 王立锦 李希胜 +1 位作者 刘亚东 朱逢吾 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期575-577,共3页
对采集到的AMR磁栅尺磁头输出波形进行了付里叶谐波分析,发现了波形中的半次谐波现象.对该现象产生的原因以及半次谐波幅度与磁头水平偏角的关系进行了定性分析.磁头水平偏角为零时输出波形不含半次谐波,磁头水平偏角越大,半次谐波幅度... 对采集到的AMR磁栅尺磁头输出波形进行了付里叶谐波分析,发现了波形中的半次谐波现象.对该现象产生的原因以及半次谐波幅度与磁头水平偏角的关系进行了定性分析.磁头水平偏角为零时输出波形不含半次谐波,磁头水平偏角越大,半次谐波幅度就越高;在偏角小于3°的小角度范围内,两者之间基本上是一个线性关系;磁头水平偏角的正负变化会引起半次谐波项正负的变化.结果对正确使用AMR薄膜磁电阻磁头,提高磁栅尺测量系统的精度有指导意义. 展开更多
关键词 金属薄膜材料 各向异性磁电阻(amr)效应 磁栅尺 磁头 谐波分析
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一种具有消谐波正弦输出的AMR薄膜磁头设计 被引量：2
8
作者 王立锦 胡强 滕蛟 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期134-137,共4页
设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头,这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试,表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比,可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器... 设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头,这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试,表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比,可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器角度测量系统中。 展开更多
关键词 金属薄膜材料 各向异性磁电阻(amr)效应 磁头 谐波分析
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