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液态金属镓离子源的制备 被引量：1
1
作者 马向国 刘同娟 顾文琪 《微细加工技术》 EI 2007年第1期7-10,59,共5页
叙述了为纳米聚焦离子束装置研制的镓液态金属离子源的制备,并对该离子源的I-V特性、角电流密度、稳定性以及寿命等性能进行了测试,结果表明,该源的各项指标均达到了聚焦离子束系统对液态金属离子源的性能要求。
关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 测试系统 发射尖
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纳米聚焦离子束系统液态金属离子源的研制
2
作者 马向国 顾文琪 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期382-384,共3页
叙述了为纳米聚焦离子束装置研制的镓液态金属离子源的制备.发射尖的腐蚀采用自主开发的一套发射尖腐蚀设备腐蚀而成,该设备保证了源尖腐蚀工艺的可靠性和可重复性,腐蚀后的发射尖曲率半径在0.5～5μm之间.液态金属储备槽采用同轴针形结... 叙述了为纳米聚焦离子束装置研制的镓液态金属离子源的制备.发射尖的腐蚀采用自主开发的一套发射尖腐蚀设备腐蚀而成,该设备保证了源尖腐蚀工艺的可靠性和可重复性,腐蚀后的发射尖曲率半径在0.5～5μm之间.液态金属储备槽采用同轴针形结构,槽的材料采用高温下不易与金属镓发生反应的金属钼,这种源结构的优点是可以调节发射尖伸出合金槽的长度,储备的液态金属多,减少了液态金属蒸发对系统造成的污染,源发射尖到达寿命后结构仍可使用,该源具有良好的发射特性(达到100μA)、长寿命(1000h以上)和稳定度.该源与纳米聚焦离子束系统结合,将为纳米离子束加工带来新的发展前景,从而为研究其他单质源或合金源提供经验. 展开更多
关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 发射尖 腐蚀
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液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术
3
作者 马向国 顾文琪 《微细加工技术》 2004年第4期11-15,共5页
发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖... 发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。 展开更多
关键词 聚焦离子束 液态金属离子源(LMIS) 发射尖
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液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术
4
作者 马向国 顾文琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期142-144,共3页
发射尖是液态金属离子源的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。本文通过对源尖腐蚀的多次实验,开发了一套发射尖腐蚀装置,该装置可以对发射尖插入腐蚀液的深度加以控制,并能在腐蚀完成后自动切断回路电流,实... 发射尖是液态金属离子源的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。本文通过对源尖腐蚀的多次实验,开发了一套发射尖腐蚀装置,该装置可以对发射尖插入腐蚀液的深度加以控制,并能在腐蚀完成后自动切断回路电流,实现了发射尖腐蚀工艺的重复性和可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制开发提供了一个有效的辅助工具。 展开更多
关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 发射尖
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真空微电子压力传感器的研制 被引量：7
5
作者 温志渝 温中泉 +4 位作者 徐世六 刘玉奎 张正元 陈刚 杨国渝 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第6期603-607,共5页
提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结... 提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品。对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24000个/mm2,起始发射电压为0.5～1V,反向电压≥25V,当正向电压为5V时,单尖发射电流为0.2nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa。 展开更多
关键词 压力传感器 过载保护 场致发射阴极锥尖阵列 各向异性腐蚀
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电子器件基础
6
《电子科技文摘》 2000年第1期18-19,共2页
0000209FEA 场发射微尖的一些氮化物薄膜[刊]/季旭东//光电子技术.—1999,19(3).—207～211(B)一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性能,适合于用作 FEA 发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性... 0000209FEA 场发射微尖的一些氮化物薄膜[刊]/季旭东//光电子技术.—1999,19(3).—207～211(B)一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性能,适合于用作 FEA 发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性能方面的介绍。 展开更多
关键词 电子器件 发射微尖 过渡金属氮化物 制备与性能 薄膜 光电子技术 场发射 逸出功 殷钢荫罩 磁偏转系统
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场发射锥尖的制备及特性研究
7
作者 秦明 黄庆安 魏同立 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第2期281-284,共4页
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构的特点及用于制备高频微波器件的可能性。
关键词 场致发射锥尖 键合 微波器件
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薄膜材料与器件
8
《中国光学》 EI CAS 2002年第6期52-52,共1页
O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA ... O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA 上制备的铌化合物薄膜,并对该类膜改进硅发射微尖的场发射性能做了说明。图6参4(杨妹清) 展开更多
关键词 场发射性能 硅微尖 铌化合物 光电技术 发射微尖 有限元分析 器件 集团公司 薄膜材料 薄膜技术
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