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40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
被引量：
1
1
作者
郑凯磊
贺光辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第4期100-102,107,共4页
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSM...
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.
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关键词
反向
窄
沟道效应
器件物理特性
标准单元库设计
版图设计
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职称材料
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
2
作者
宋文斌
许高博
+1 位作者
郭天雷
韩郑生
《电子器件》
CAS
2007年第5期1535-1538,共4页
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反...
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
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关键词
部分耗SOI
鸟嘴
效应
边缘电场
效应
反向
窄
沟道效应
杂质重新分布
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职称材料
题名
40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
被引量：
1
1
作者
郑凯磊
贺光辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第4期100-102,107,共4页
文摘
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.
关键词
反向
窄
沟道效应
器件物理特性
标准单元库设计
版图设计
Keywords
inverse narrow width effect
physical characteristic of device
design of standard cell
layout design
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
2
作者
宋文斌
许高博
郭天雷
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2007年第5期1535-1538,共4页
文摘
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
关键词
部分耗SOI
鸟嘴
效应
边缘电场
效应
反向
窄
沟道效应
杂质重新分布
Keywords
PD SOI
bird beak effect
fringing field
Inverse-Narrow-Width-Effect
doping redistribution
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
郑凯磊
贺光辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014
1
下载PDF
职称材料
2
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
宋文斌
许高博
郭天雷
韩郑生
《电子器件》
CAS
2007
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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