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双面电镀在先进封装中应用的可行性研究
被引量：
1
1
作者
Richard Hollman
《电子工业专用设备》
2012年第3期17-19,共3页
在晶圆双面及孔的侧壁用一种简单的工序电沉积金属的能力,在先进封装和某些工艺中提供了一些基本的优势。双面电镀样机硬件已经过用配置垂直电镀槽的生产型ECD装置的试验。这种工艺已经成功地在几种不同的金属和多种应用中得以展示。
关键词
3D封装
硅通孔
封装体叠层
倒装芯片
双面
电镀
电镀
下载PDF
职称材料
高厚度均匀性晶圆双面电镀金技术
被引量：
1
2
作者
陈苏伟
解坤宪
+4 位作者
曹秀芳
张伟锋
王迪
杜婷婷
郭育澎
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第10期796-800,共5页
分析了晶圆双面电镀金工艺过程中影响镀层厚度均匀性的因素,通过单因素对比实验,研究阴极触点数量、电场屏蔽板开孔尺寸、旋转桨与晶圆间距和旋转桨转速等因素对镀金层厚度均匀性的影响及其影响机理。当阴极触点数量为12个,电场屏蔽板...
分析了晶圆双面电镀金工艺过程中影响镀层厚度均匀性的因素,通过单因素对比实验,研究阴极触点数量、电场屏蔽板开孔尺寸、旋转桨与晶圆间距和旋转桨转速等因素对镀金层厚度均匀性的影响及其影响机理。当阴极触点数量为12个,电场屏蔽板开孔尺寸为60 mm,旋转桨与晶圆的间距为3 mm,旋转桨转速为180 r/min时,可得到最优的4英寸(1英寸=2.54 mm)晶圆双面电镀金厚度均匀性。当电镀工艺目标镀层厚度为4μm时,晶圆双面镀层厚度均匀性可控制在5%以内。实验结果表明,晶圆双面挂镀设备即可满足晶圆双面同时电镀,也可满足高端芯片封装对镀层厚度均匀性的要求。
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关键词
双面
电镀
镀层均匀性
电场屏蔽板
旋转桨
挂镀
下载PDF
职称材料
2.5D封装中硅转接板双面电镀槽研究
3
作者
陈苏伟
吴光庆
+2 位作者
曹秀芳
张伟峰
解坤宪
《电子工业专用设备》
2020年第2期34-38,共5页
介绍了在2.5D封装中运用简化工艺进行硅转接板双面电镀的电镀槽功能模块及其设计原理。
关键词
2.5D封装
简化工艺
硅转接板
双面
电镀
电镀
槽
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职称材料
基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
4
作者
李明浩
王俊强
李孟委
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第2期265-269,共5页
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的...
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10^(-3)Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。
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关键词
硅通孔
微机电系统封装
双面
盲孔
电镀
深反应离子刻蚀
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职称材料
题名
双面电镀在先进封装中应用的可行性研究
被引量：
1
1
作者
Richard Hollman
机构
美国英科系统股份有限公司
出处
《电子工业专用设备》
2012年第3期17-19,共3页
文摘
在晶圆双面及孔的侧壁用一种简单的工序电沉积金属的能力,在先进封装和某些工艺中提供了一些基本的优势。双面电镀样机硬件已经过用配置垂直电镀槽的生产型ECD装置的试验。这种工艺已经成功地在几种不同的金属和多种应用中得以展示。
关键词
3D封装
硅通孔
封装体叠层
倒装芯片
双面
电镀
电镀
Keywords
3D packaging, TSV, package-on-package, flip chip, double-sided plating, electroplating.
分类号
TQ153 [化学工程—电化学工业]
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职称材料
题名
高厚度均匀性晶圆双面电镀金技术
被引量：
1
2
作者
陈苏伟
解坤宪
曹秀芳
张伟锋
王迪
杜婷婷
郭育澎
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第10期796-800,共5页
基金
装备预研中国电科联合基金资助项目(6141B08120202)。
文摘
分析了晶圆双面电镀金工艺过程中影响镀层厚度均匀性的因素,通过单因素对比实验,研究阴极触点数量、电场屏蔽板开孔尺寸、旋转桨与晶圆间距和旋转桨转速等因素对镀金层厚度均匀性的影响及其影响机理。当阴极触点数量为12个,电场屏蔽板开孔尺寸为60 mm,旋转桨与晶圆的间距为3 mm,旋转桨转速为180 r/min时,可得到最优的4英寸(1英寸=2.54 mm)晶圆双面电镀金厚度均匀性。当电镀工艺目标镀层厚度为4μm时,晶圆双面镀层厚度均匀性可控制在5%以内。实验结果表明,晶圆双面挂镀设备即可满足晶圆双面同时电镀,也可满足高端芯片封装对镀层厚度均匀性的要求。
关键词
双面
电镀
镀层均匀性
电场屏蔽板
旋转桨
挂镀
Keywords
double-sided electroplating
coating uniformity
electric field baffle
rotating paddle
hanging eletroplating
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
2.5D封装中硅转接板双面电镀槽研究
3
作者
陈苏伟
吴光庆
曹秀芳
张伟峰
解坤宪
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2020年第2期34-38,共5页
文摘
介绍了在2.5D封装中运用简化工艺进行硅转接板双面电镀的电镀槽功能模块及其设计原理。
关键词
2.5D封装
简化工艺
硅转接板
双面
电镀
电镀
槽
Keywords
2.5D package
Simplified process
Silicon interposer
Double-sided electroplating
Electroplating cell
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
4
作者
李明浩
王俊强
李孟委
机构
中北大学仪器与电子学院
中北大学前沿交叉学科研究院
中北大学南通智能光机电研究院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第2期265-269,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61804137)
"173计划"基金资助项目(2017JCJQZD00604)。
文摘
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10^(-3)Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。
关键词
硅通孔
微机电系统封装
双面
盲孔
电镀
深反应离子刻蚀
Keywords
through silicon via(TSV)
micro-electromechanical system(MEMS)packaging
double-sided blind via plating
deep reactive ion etching(DRIE)
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双面电镀在先进封装中应用的可行性研究
Richard Hollman
《电子工业专用设备》
2012
1
下载PDF
职称材料
2
高厚度均匀性晶圆双面电镀金技术
陈苏伟
解坤宪
曹秀芳
张伟锋
王迪
杜婷婷
郭育澎
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
3
2.5D封装中硅转接板双面电镀槽研究
陈苏伟
吴光庆
曹秀芳
张伟峰
解坤宪
《电子工业专用设备》
2020
0
下载PDF
职称材料
4
基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
李明浩
王俊强
李孟委
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
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