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AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果 被引量：4
1
作者 陈效建 刘军 郑雪帆 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 1995年第2期133-141,共9页
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、... 借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。 展开更多
关键词 功率PHEMT CAD 异质结 双平面掺杂
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GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究 被引量：1
2
作者 吕晶 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 孙莹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期116-120,共5页
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡... 设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证。结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 非接触霍尔测试 双平面掺杂 二维电子气面密度 霍尔测试
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新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
3
作者 陈震 和致经 +2 位作者 魏珂 刘新宇 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期454-457,共4页
设计并制作了双异质结双平面掺杂的 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率 PHEMT器件 ,采用双选择腐蚀栅槽结构 ,有效提高了 PHEMT器件的输出电流和击穿电压 .对于 1μm栅长的器件 ,最大输出电流为5 0 0 m... 设计并制作了双异质结双平面掺杂的 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率 PHEMT器件 ,采用双选择腐蚀栅槽结构 ,有效提高了 PHEMT器件的输出电流和击穿电压 .对于 1μm栅长的器件 ,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为 2 75 m S/ m m,阈值电压为 - 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了 33V .研究结果表明 ,在栅源间距一定时 ,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系 ,是设计功率 PHEMT的关键之一 . 展开更多
关键词 PHEMT 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压
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双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型
4
作者 陈震 刘新宇 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期836-840,共5页
利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压... 利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系 .该模型为优化和预测双平面掺杂 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电荷控制模型 异质结 二维电子气 双平面掺杂 EEACC 1350A 2560S
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