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双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究
被引量：
2
1
作者
贾金成
陆妩
+7 位作者
吴雪
张培健
孙静
王信
李小龙
刘默寒
郭旗
刘元
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期120-125,共6页
对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPS...
对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。
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关键词
双
多晶
自动
准
NPN管
^60CO-Γ辐射
辐射损伤
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职称材料
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
2
作者
刘默寒
陆妩
+7 位作者
贾金成
施炜雷
王信
李小龙
孙静
郭旗
吴雪
张培健
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期44-48,共5页
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率...
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。
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关键词
双
多晶
自动
准
NPN晶体管
发射极尺寸
剂量率效应
原文传递
题名
双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究
被引量：
2
1
作者
贾金成
陆妩
吴雪
张培健
孙静
王信
李小龙
刘默寒
郭旗
刘元
机构
中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院大学
模拟集成电路重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期120-125,共6页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503)
国家自然科学基金联合基金资助项目(U1630141)
+1 种基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11605283)
中科院西部之光基金资助项目(2016-QNXZ-B-7)
文摘
对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。
关键词
双
多晶
自动
准
NPN管
^60CO-Γ辐射
辐射损伤
Keywords
double polysilicon self-align
NPN transistor
60 Co-γ, radiation
radiation damage
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
2
作者
刘默寒
陆妩
贾金成
施炜雷
王信
李小龙
孙静
郭旗
吴雪
张培健
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院大学
模拟集成电路国家重点实验室
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期44-48,共5页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金(No.0C09YJTJ1503)
国家自然科学基金(No.U1630141)资助~~
文摘
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。
关键词
双
多晶
自动
准
NPN晶体管
发射极尺寸
剂量率效应
Keywords
DPSA
NPN BJT
Emitter size
Dose rate effect
分类号
TL82 [核科学技术—核技术及应用]
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究
贾金成
陆妩
吴雪
张培健
孙静
王信
李小龙
刘默寒
郭旗
刘元
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
2
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
刘默寒
陆妩
贾金成
施炜雷
王信
李小龙
孙静
郭旗
吴雪
张培健
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
原文传递
已选择
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