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快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响 被引量：1
1
作者 郝秋艳 乔治 +3 位作者 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期747-750,共4页
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原... 本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。 展开更多
关键词 快速退火 原生微缺陷 流动图形缺陷 原子力显微镜 直拉硅单晶片
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300 mm单晶硅生长过程中直径的功率控制方法 被引量：3
2
作者 张俊 林勇刚 +2 位作者 高宇 李阳健 曹建伟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期687-694,共8页
直拉法硅单晶生长过程微缺陷的形成和长大遵循Voronkov提出的V/G(V是晶体生长速度,G是晶体生长界面的轴向温度梯度)理论。在G由热场设计和液面位置决定的前提下,单晶硅生长过程中晶体提升速度的精确控制是生长无空洞型原生微缺陷大尺寸... 直拉法硅单晶生长过程微缺陷的形成和长大遵循Voronkov提出的V/G(V是晶体生长速度,G是晶体生长界面的轴向温度梯度)理论。在G由热场设计和液面位置决定的前提下,单晶硅生长过程中晶体提升速度的精确控制是生长无空洞型原生微缺陷大尺寸单晶硅的关键。为控制晶体的提升速度处于无原生微缺陷单晶硅生长所需的范围内,同时获得±1 mm的直径控制效果,需要解决复杂的热传递过程导致晶体直径变化相对于功率调节大滞后性的问题。研究了通过调节加热功率控制晶体直径的时滞系统理论模型,提出了模糊比例、积分、微分(PID)控制结合Smith预估控制器的控制策略。结果表明,Smith预估控制器能有效消除系统迟滞对控制器的影响,大幅提高系统的稳定性。同时结合Smith预估控制器,普通PID控制策略和模糊PID控制策略均有较好的控制效果,且模糊PID响应更为快速,系统鲁棒性和抗干扰能力更强。在30 mm·h^(-1)晶体提升速度的条件下,降低晶体内流动图形缺陷(FPD)密度,并实现了直径300 mm单晶硅晶体直径的精确控制,精度达到±1 mm。 展开更多
关键词 直拉法(CZ) 单晶硅 无空洞型原生微缺陷(COP) 直径控制 恒定拉速 加热功率
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浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除 被引量：1
3
作者 尚海波 丁玲 +1 位作者 叶祖超 谢江华 《上海有色金属》 CAS 2010年第2期78-81,共4页
在集成电路飞速发展的过程中,特征线宽逐渐缩小,并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP,直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度,可以有效改善单晶的COP,改善后的重掺Sb衬底经外延后,COP被"覆... 在集成电路飞速发展的过程中,特征线宽逐渐缩小,并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP,直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度,可以有效改善单晶的COP,改善后的重掺Sb衬底经外延后,COP被"覆盖",而不对外延层造成影响。 展开更多
关键词 硅单晶 空洞型原生微缺陷 热场温度梯度
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