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题名新型含硅丙烯酸酯型纳米压印胶的研究与应用
被引量：1
- 1
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作者
董会杰
辛忠
陆馨
吕宇皓
王磊
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机构
华东理工大学化学工程联合国家重点实验室
武汉纺织大学化学与化工学院
华中科技大学国家光电实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第9期630-636,共7页
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基金
上海市科委纳米技术专项资助课题(0652nm001)
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文摘
纳米压印技术因其成本低、产量高的优点广受关注,而开发可适用于纳米压印的压印胶成为该工艺的关键。合成了一种硅含量高的单体三(三甲基硅氧基)甲基丙烯酰氧丙基硅烷(TRIS),制备了一种新型紫外纳米压印用含硅丙烯酸酯型压印胶,用四点弯曲实验机和接触角测试仪表征了压印胶与模板的黏附性能,研究了配方组成对模板黏附性能的影响,优化得到了抗黏附性能优异的配方。压印实验结果表明,该压印胶与模板分离时无粘连。AFM与SEM测试结果表明,压印胶上复制得到了线宽149 nm、周期298 nm、深宽比为1的纳米光栅图形,图形结构完整。
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关键词
紫外纳米压印
压印胶
含硅丙烯酸酯
抗黏附
表面能
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Keywords
ultraviolet nanoimprint lithography
resist
Si-containing acrylate
antiadhesion
surface energy
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分类号
O647.5
[理学—物理化学]
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题名紫外纳米压印用PMMA转移层膜的制备及性能
- 2
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作者
董会杰
辛忠
陆馨
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机构
华东理工大学化学工程联合国家重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第9期561-565,共5页
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基金
上海市科委纳米技术专项资助课题(0652nm001)
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文摘
以苯甲醚为溶剂,采用旋涂法制备PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)转移层膜。当PMMA的质量分数为5%、旋涂速度为2000～6000r/min时,转移层膜的厚度为90～150nm,粗糙度为0.3nm,可满足纳米压印要求。采用接触角测量仪测试计算出PMMA、PS转移层膜的表面能,并通过转移层膜与压印胶之间的粘附功和界面张力的计算,评价了PMMA、PS和Si片对压印胶的润湿和粘附性能。结果表明,PMMA膜可改善压印胶在基片上的润湿铺展性能和粘附性能,而PS膜虽能改善基片的润湿铺展性能,却不利于压印胶的粘附。
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关键词
紫外纳米压印
聚甲基丙烯酸甲酯
转移层膜
压印胶
粘附功
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Keywords
ultraviolet nanoimprint lithography PMMA
transfer layer
resist
adhesion work
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分类号
O631.2
[理学—高分子化学]
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题名纳米压印用压印胶的研究进展
被引量：1
- 3
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作者
董会杰
辛忠
陆馨
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机构
武汉纺织大学化学与化工学院
华东理工大学化学工程联合国家重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第10期666-672,共7页
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基金
上海市科委纳米技术专项资助项目(0652nm001)
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文摘
纳米压印需采用压印胶进行图案转移,作为压印技术的关键材料,压印胶的性能直接影响到纳米压印的质量。根据压印技术的工艺特点对压印胶进行了分类,介绍了纳米压印用热压印胶和紫外压印胶的发展研究现状和性能优缺点,分析了目前压印胶存在的主要问题,并指出压印胶的研究主要是提高压印胶的脱模性能、固化速率以及简化工艺,主要列举了含氟硅类压印胶、双表面能压印胶的性能特点,并展望了未来的发展方向。
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关键词
纳米压印
紫外压印胶
热压印胶
脱模性
表面能
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Keywords
nanoimprint lithography
UV-curable resist
thermal resist
demoulding property
surface energy
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名纳米压印胶专利技术研发态势
被引量：1
- 4
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作者
罗联源
边昕
李明瑞
戴翀
李珍珍
郜珺珩
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机构
国家知识产权局专利局光电技术发明审查部
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出处
《科学观察》
2020年第3期12-28,共17页
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文摘
纳米压印胶是目前纳米压印技术研发的关键材料,对纳米压印的质量起到关键作用。该文从纳米压印胶的基本技术概况出发,分析阐述了当前纳米压印胶专利技术的专利申请态势、主要申请人和重点技术,梳理了该技术的发展脉络,绘制了技术演进路线图,并对技术发展趋势进行了预测。
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关键词
纳米压印胶
技术
态势
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Keywords
nano-imprint resist
technology
development trend
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分类号
TQ436
[化学工程]
G306
[文化科学]
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题名大面积复合纳米压印的残余层厚度优化
- 5
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作者
曹海燕
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机构
大连东软信息学院智能与电子工程学院
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出处
《微处理机》
2021年第4期5-7,共3页
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基金
2020年度辽宁省自然科学基金项目“PN异质结型ZnO基高性能纳米发电器件的制备和关键技术研究”(2020-MS-316)。
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文摘
纳米压印是为应对半导体行业越来越高的芯片元件集成度而产生的高新技术,因其制造成本低、图形精确、生产率高等优势成为纳米领域的研究热点。残余层厚度作为大面积纳米压印光刻紫外固化工艺的重要参数,直接影响刻蚀工艺和基片的完整度。尝试通过改变旋涂转速和纳米压印胶的固体含量,来优化残余层厚度。通过实验与分析,给出了压印胶种类、转速及残余层厚度的优化方案,并且没有胶体收缩现象发生,为后续大面积复合纳米压印研究提供了工艺参数基础。
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关键词
纳米压印
残余层
紫外固化
纳米压印胶
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Keywords
Nanoimprint
Residual layer
UV curing
Nanoimprint resist
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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