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星载电子系统高能质子单粒子翻转率计算
被引量：
6
1
作者
薛玉雄
曹洲
杨世宇
《航天器环境工程》
2005年第4期192-201,共10页
文章对星栽电子系统空间高能质子单粒子翻转率计算方法进行了研究。总结了13种主要计算质子单粒子翻转率的方法,并对各种算法之间的相似性和差异性进行了比对分析。用Visual Basic语言编程,实现了高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,...
文章对星栽电子系统空间高能质子单粒子翻转率计算方法进行了研究。总结了13种主要计算质子单粒子翻转率的方法,并对各种算法之间的相似性和差异性进行了比对分析。用Visual Basic语言编程,实现了高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,为高能质子单粒子效应加固设计和验证评估提供技术依据。计算了几种典型轨道上的质子单粒子翻转率；在此基础上,与在轨观测数值进行比对分析验证,并分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系。
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关键词
空间轨道
高能质子
单
粒子
翻转
单
粒子
翻转
截面
单
粒子
翻转
率
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职称材料
α粒子软错误机理及加速试验技术研究
2
作者
李守委
梁佩
+1 位作者
陈思
祁杰俊
《电子产品可靠性与环境试验》
2024年第2期63-68,共6页
基于Am-241放射源,搭建SRAM单粒子效应测试系统,结合α粒子辐照试验、反向分析和蒙特卡洛仿真开展α粒子在65、90 nm工艺SRAM器件中的软错误机理和加速试验技术研究。结果表明,65 nm SRAM在Am-241放射源加速试验条件下的α粒子单粒子翻...
基于Am-241放射源,搭建SRAM单粒子效应测试系统,结合α粒子辐照试验、反向分析和蒙特卡洛仿真开展α粒子在65、90 nm工艺SRAM器件中的软错误机理和加速试验技术研究。结果表明,65 nm SRAM在Am-241放射源加速试验条件下的α粒子单粒子翻转截面远高于90 nm SRAM。基于反向分析结果构建器件三维仿真模型,65 nm SRAM器件使用6层金属布线,灵敏区大小为0.2μm(x)×0.19μm(y)×0.45μm(z),临界电荷约为1 fC。蒙特卡洛仿真发现,65 nm SRAM器件的灵敏区沉积能量谱和单粒子翻转截面表现出明显的入射角度依赖性。
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关键词
Α
粒子
软错误
灵敏区沉积能量谱
单
粒子
翻转
截面
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职称材料
质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算
被引量：
4
3
作者
王园明
陈伟
+6 位作者
郭红霞
何宝平
罗尹虹
姚志斌
张凤祁
张科营
赵雯
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1505-1508,共4页
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势...
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势上与双参数公式所预言的相符合,并可得到很高能量质子引起的极限截面;在较低能段的数据与文献的理论和实验值相符。
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关键词
质子
有效体积
单
粒子
翻转
截面
多位
翻转
截面
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职称材料
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究
被引量：
2
4
作者
贺朝会
耿斌
+4 位作者
王燕萍
彭宏论
杨海亮
陈晓华
李国政
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期228-230,256,共4页
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻...
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反 ,会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 60 Coγ源辐照时的水平 ,甚至更低 。
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关键词
重离子
γ源
单
粒子
翻转
截面
Γ辐照
半导体器件
钴60
镧252
单
粒子
效应
γ累积剂量
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职称材料
低能质子引起SRAM单元阵列的单粒子效应Geant4模拟
5
作者
杜枢
叶常青
+2 位作者
梁云川
杨诚
陈虹见
《科技视界》
2018年第23期7-10,42,共5页
本文建立了SRAM单元阵列(2×2)的几何结构简化模型、单粒子翻转截面计算模型,利用蒙特卡洛工具包Geant4编写了可视化程序,对能量为1-5MeV的低能段质子在SRAM单元中的输运过程进行了模拟,分析了不同能量的低能段质子在不同特征尺寸的...
本文建立了SRAM单元阵列(2×2)的几何结构简化模型、单粒子翻转截面计算模型,利用蒙特卡洛工具包Geant4编写了可视化程序,对能量为1-5MeV的低能段质子在SRAM单元中的输运过程进行了模拟,分析了不同能量的低能段质子在不同特征尺寸的SRAM单元灵敏体积中的沉积能量,并以此为基础,计算了由低能质子引起SRAM阵列的单粒子翻转截面与质子能量的关系。模拟结果表明,沉积能量在1-5MeV能量区间内随能量增大而减小,随特征尺寸增大而增大;单粒子翻转截面在1-5MeV能量区间内随随能量增大而减小,随临界电荷增大而减小。
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关键词
质子
SRAM
单
粒子
翻转
沉积能量
单
粒子
翻转
截面
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职称材料
题名
星载电子系统高能质子单粒子翻转率计算
被引量：
6
1
作者
薛玉雄
曹洲
杨世宇
机构
兰州物理研究所
出处
《航天器环境工程》
2005年第4期192-201,共10页
文摘
文章对星栽电子系统空间高能质子单粒子翻转率计算方法进行了研究。总结了13种主要计算质子单粒子翻转率的方法,并对各种算法之间的相似性和差异性进行了比对分析。用Visual Basic语言编程,实现了高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,为高能质子单粒子效应加固设计和验证评估提供技术依据。计算了几种典型轨道上的质子单粒子翻转率；在此基础上,与在轨观测数值进行比对分析验证,并分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系。
关键词
空间轨道
高能质子
单
粒子
翻转
单
粒子
翻转
截面
单
粒子
翻转
率
Keywords
space orbit
high-energy proton
SEU(Single Event Upset)
SEU cross section
SEU rate
分类号
V520.6 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]
V527
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职称材料
题名
α粒子软错误机理及加速试验技术研究
2
作者
李守委
梁佩
陈思
祁杰俊
机构
无锡中微高科电子有限公司
中国电子科技集团公司第五十八研究所
工业和信息化部电子第五研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2024年第2期63-68,共6页
文摘
基于Am-241放射源,搭建SRAM单粒子效应测试系统,结合α粒子辐照试验、反向分析和蒙特卡洛仿真开展α粒子在65、90 nm工艺SRAM器件中的软错误机理和加速试验技术研究。结果表明,65 nm SRAM在Am-241放射源加速试验条件下的α粒子单粒子翻转截面远高于90 nm SRAM。基于反向分析结果构建器件三维仿真模型,65 nm SRAM器件使用6层金属布线,灵敏区大小为0.2μm(x)×0.19μm(y)×0.45μm(z),临界电荷约为1 fC。蒙特卡洛仿真发现,65 nm SRAM器件的灵敏区沉积能量谱和单粒子翻转截面表现出明显的入射角度依赖性。
关键词
Α
粒子
软错误
灵敏区沉积能量谱
单
粒子
翻转
截面
Keywords
αparticle
soft error
deposition energy spectrum in sensitive region
flip cross section of single particle
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算
被引量：
4
3
作者
王园明
陈伟
郭红霞
何宝平
罗尹虹
姚志斌
张凤祁
张科营
赵雯
机构
西北核技术研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1505-1508,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10875096)
文摘
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势上与双参数公式所预言的相符合,并可得到很高能量质子引起的极限截面;在较低能段的数据与文献的理论和实验值相符。
关键词
质子
有效体积
单
粒子
翻转
截面
多位
翻转
截面
Keywords
proton
effective sensitive region
single event upset cross section
multiple bits upset cross section
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究
被引量：
2
4
作者
贺朝会
耿斌
王燕萍
彭宏论
杨海亮
陈晓华
李国政
机构
西北核技术研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期228-230,256,共4页
文摘
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反 ,会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 60 Coγ源辐照时的水平 ,甚至更低 。
关键词
重离子
γ源
单
粒子
翻转
截面
Γ辐照
半导体器件
钴60
镧252
单
粒子
效应
γ累积剂量
Keywords
static random access memory
252 Cf source
60 Co γ source
single event upset effects
分类号
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
TN3 [理学—物理]
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职称材料
题名
低能质子引起SRAM单元阵列的单粒子效应Geant4模拟
5
作者
杜枢
叶常青
梁云川
杨诚
陈虹见
机构
核反应堆系统设计技术重点实验室
出处
《科技视界》
2018年第23期7-10,42,共5页
文摘
本文建立了SRAM单元阵列(2×2)的几何结构简化模型、单粒子翻转截面计算模型,利用蒙特卡洛工具包Geant4编写了可视化程序,对能量为1-5MeV的低能段质子在SRAM单元中的输运过程进行了模拟,分析了不同能量的低能段质子在不同特征尺寸的SRAM单元灵敏体积中的沉积能量,并以此为基础,计算了由低能质子引起SRAM阵列的单粒子翻转截面与质子能量的关系。模拟结果表明,沉积能量在1-5MeV能量区间内随能量增大而减小,随特征尺寸增大而增大;单粒子翻转截面在1-5MeV能量区间内随随能量增大而减小,随临界电荷增大而减小。
关键词
质子
SRAM
单
粒子
翻转
沉积能量
单
粒子
翻转
截面
Keywords
Proton
SRAM
single event upset
Deposited energy
SEU cross section
分类号
O572.2 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
星载电子系统高能质子单粒子翻转率计算
薛玉雄
曹洲
杨世宇
《航天器环境工程》
2005
6
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职称材料
2
α粒子软错误机理及加速试验技术研究
李守委
梁佩
陈思
祁杰俊
《电子产品可靠性与环境试验》
2024
0
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职称材料
3
质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算
王园明
陈伟
郭红霞
何宝平
罗尹虹
姚志斌
张凤祁
张科营
赵雯
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
下载PDF
职称材料
4
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究
贺朝会
耿斌
王燕萍
彭宏论
杨海亮
陈晓华
李国政
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
5
低能质子引起SRAM单元阵列的单粒子效应Geant4模拟
杜枢
叶常青
梁云川
杨诚
陈虹见
《科技视界》
2018
0
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职称材料
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