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硅基GaN单片功率集成电路的研制
1
作者
吕树海
谭永亮
+2 位作者
默江辉
周国
付兴中
《通讯世界》
2024年第8期1-3,共3页
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片...
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
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关键词
硅基GAN
单片
集
成功率
ic
增强型器件
耗尽型器件
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职称材料
题名
硅基GaN单片功率集成电路的研制
1
作者
吕树海
谭永亮
默江辉
周国
付兴中
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《通讯世界》
2024年第8期1-3,共3页
文摘
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
关键词
硅基GAN
单片
集
成功率
ic
增强型器件
耗尽型器件
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅基GaN单片功率集成电路的研制
吕树海
谭永亮
默江辉
周国
付兴中
《通讯世界》
2024
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