硅基GaN单片功率集成电路的研制

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摘要研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。

作者吕树海谭永亮默江辉周国付兴中

机构地区中国电子科技集团公司第十三研究所

出处《通讯世界》 2024年第8期1-3,共3页 Telecom World

关键词硅基GAN 单片集成功率IC 增强型器件耗尽型器件

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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